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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 標(biāo)簽:二極管SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 949 0
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 948 0
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過(guò)這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 948 0
1月5日,比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車(chē)型:比亞迪發(fā)布2款仰望車(chē)型搭載SiC電控,時(shí)隔2年,比亞迪再次公布了2款SiC電控的車(chē)型。正式發(fā)布...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 948 0
最近,“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn),通用電氣研究所(GE Research)發(fā)布文獻(xiàn)稱,他們已經(jīng)制造出擊穿電壓為3.8kV 的SiC超結(jié)JBS器件,其導(dǎo)通電阻僅...
安森美SiC JFET Cascode開(kāi)關(guān)特性解析
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì),特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。
基于碳化硅的解決方案實(shí)現(xiàn)公交車(chē)的電氣化
像任何其他電動(dòng)汽車(chē)一樣,公共汽車(chē)必須克服里程焦慮,因?yàn)樗鼈儽仨毮軌蛟诓恍枰潆姷那闆r下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電器SiC 944 0
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和...
GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別
如果想要說(shuō)明白GaN、超級(jí)SI、SiC這三種MOS器件的用途區(qū)別,首先要做的是搞清楚這三種功率器件的特性,然后再根據(jù)材料特性分析具體應(yīng)用。
電隔離式(GI)柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅(SiC)MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、...
*文末有禮 碳化硅(SiC) 正在改變?nèi)祟?lèi)能源控制和轉(zhuǎn)換的方式,帶來(lái)一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過(guò)SiC實(shí)現(xiàn)性...
SiC推動(dòng)實(shí)現(xiàn)可再生的未來(lái)
隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來(lái)邁進(jìn),許多國(guó)家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電,轉(zhuǎn)而使用可再生能源。
2022-11-24 標(biāo)簽:逆變器太陽(yáng)能光伏SiC 928 0
集成的專(zhuān)業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù),例如 X 波段 (8–12 GHz) 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其出色的物理和化學(xué)特性,如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開(kāi)關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開(kāi)關(guān)速度和寬...
碳化硅解決方案滿足快速充電基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)要求
基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應(yīng)性,有助于滿足當(dāng)今對(duì)快速電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施日益增長(zhǎng)的需求,無(wú)論它是否是雙向充電站。無(wú)論如何,它們?cè)谌魏吻闆r下都...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)SiC 920 0
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