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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...
與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比,GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強(qiáng)等特...
PiN二極管(P-I-N Diode)和SiC二極管(Silicon Carbide Diode)在多個方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工...
如何通過實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度提高SiC牽引逆變器的效率
在本文中,我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時可變柵極驅(qū)動強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢,這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù),例如效率(影響電動汽車行駛里程)和 SiC過沖(影響可靠性)。
碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體,相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動...
2024-01-01 標(biāo)簽:MOSFET大功率電源轉(zhuǎn)換器 977 0
有效的熱管理對于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系,環(huán)境過熱會降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過早失效,充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對于 M...
安森美SiC Cascode JFET的背景知識和并聯(lián)設(shè)計(jì)
隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能,能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode...
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題
在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 968 0
SiC功率器件市場正處于快速增長階段,特別是在汽車電動化趨勢的推動下,其市場規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對SiC功...
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源SiC 963 0
碳化硅SiC芯片封裝:銀燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘
隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢,封裝技術(shù)起著...
PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
功率密度和靈活性便是 Wolfspeed 和 Astrodyne TDI(ATDI)合作的原因,雙方一同挖掘 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢,以滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造/...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 955 0
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn),車載充電器(OBC)與DCDC轉(zhuǎn)換器(HV-LV DCDC)的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展,同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設(shè)計(jì)人員把目光投向...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性,在多個大功...
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