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      標簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2814個 瀏覽：64757次 帖子：124個

      sic技術(shù)

      APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

      APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

      SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

      2023-04-27 標簽：MOSFET電源模塊SiC 1332 0

      什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

      什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

      由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

      2023-04-25 標簽：SiC氮化鎵GaN 5081 0

      高電壓平臺和SiC碳化硅功率開關(guān)的核心

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      電流方面，峰值充電電流可達600+A；電壓方面，量產(chǎn)電動車的架構(gòu)電壓普遍在400-500V，而小鵬實現(xiàn)了遠超行業(yè)平均工作電壓的800V級，并可兼容不同電...

      2023-04-25 標簽：電動車功率開關(guān)SiC 622 0

      液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

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      該團隊開發(fā)了一個生長3C-SiC的液相TSSG長晶設(shè)備，其生長過程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

      2023-04-24 標簽：功率器件SiC碳化硅 6099 0

      SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評估研究進展

      與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能， 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn)， 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...

      2023-04-15 標簽：MOSFET半導(dǎo)體功率器件 5079 0

      氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

      氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進行研究和開發(fā)。

      2023-04-14 標簽：肖特基二極管SiCGaN 750 0

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      2023-04-14 標簽：半導(dǎo)體UPS數(shù)據(jù)中心 1440 0

      碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

      碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

      2023-04-12 標簽：變壓器MOSFETIGBT 5750 0

      碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

      未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

      2023-04-11 標簽：MOSFET電感器IGBT 2491 0

      安森美碳化硅芯片的設(shè)計進展及技術(shù)分析

      減小了電場集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān)，同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

      2023-04-07 標簽：MOSFETSiC碳化硅 1484 0

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      2023-04-07 標簽：SiC氮化鎵GaN 458 0

      揭秘碳化硅芯片的設(shè)計和制造

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      眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個...

      2023-04-06 標簽：芯片MOSFETSiC 1897 0

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      2023-04-06 標簽：MOSFETIGBT等效電路 1492 0

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      電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

      2023-04-04 標簽：電力電子器件驅(qū)動電路SiC 8918 0

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      2023-04-04 標簽：SiCGaN半導(dǎo)體制造 1577 0

      Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

      功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。

      2023-04-01 標簽：電動汽車SiCDBC 7769 0

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      SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

      2023-04-01 標簽：MOSFETJFETSiC 2483 0

      用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

      交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。

      2023-03-30 標簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1425 0

      SiC和GaN的共源共柵解決方案

      GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設(shè)備，其中許多每天運行數(shù)小時，因此節(jié)省的能源將是巨大的。

      2023-03-29 標簽：電動汽車led逆變器 700 0

      脈沖測試一定要做探頭的延時校準

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      雙脈沖試驗的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開關(guān)特性，可以說是伴隨著從R&D到應(yīng)用功率器件的整個生命周期?；陔p脈沖試驗獲得的設(shè)備開關(guān)波形可以做很多事...

      2023-03-28 標簽：示波器延時SiC 2074 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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        USB-PD
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        PWM信號
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        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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        醫(yī)療電源
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      • DCDC電源
        DCDC電源
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        DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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      視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
      電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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