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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊,在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會,公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展(國際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽:功率開關(guān)PDSiC 1172 0
利用C2000實(shí)時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
2023-03-20 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1046 0
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高,器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。
隔離比較器在電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,而電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的趨勢是高效率,高功率密度和高可靠性。功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級...
在特斯拉投資者大會上,特斯拉表示下一代汽車平臺的動力總成中將減少75%的碳化硅使用。
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向,但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說,前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計工程師,本文的讀者就...
SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域
SiC 晶體中不同類型的位錯通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7(a)所示, 大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP,中六邊形有底部的腐蝕...
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對容易獲得。
低邊開關(guān)關(guān)斷時的柵極 – 源極間電壓的動作
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時的做法一樣,為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時相比,只是...
低邊開關(guān)導(dǎo)通時的Gate-Source間電壓的動作
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,首先ID會變化(下述波形示意圖T1)。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動,受下述等效電路圖中所示的事...
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