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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計,諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2586 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
SiC MOSFET的實(shí)時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實(shí)時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6335 0
由于SiC具有高導(dǎo)熱性,因此它比其他半導(dǎo)體材料更快地散發(fā)熱量。因此,SiC器件可以在極高的功率水平下運(yùn)行,并且仍然可以散發(fā)器件產(chǎn)生的大量多余熱量。
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動...
當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時,已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2374 0
基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計實(shí)現(xiàn)高功率密度
作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關(guān)損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
2021-05-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC柵極驅(qū)動器 1503 0
簡短的電動汽車部署展望 電動汽車、電動動力總成和車輛電氣化技術(shù)已經(jīng)存在多年。事實(shí)上,第一個?電動汽車(EV)?出現(xiàn)在晚19日?世紀(jì)。 然而,在近年來一直...
SiCMOSFET如何實(shí)現(xiàn)降低功率轉(zhuǎn)換過程中能量損耗
人們普遍認(rèn)為,SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非??斓拈_關(guān)速度,有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制,在實(shí)際...
2021-01-27 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體功率晶體管 3821 0
功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢眾多
Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達(dá),以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計。
可再生能源的產(chǎn)生和收集方面最新進(jìn)展是使同一個電網(wǎng)可以擴(kuò)展其發(fā)電資源(風(fēng)能和太陽能),同時可以創(chuàng)建靈活的雙向分配方式,以滿足不同的需求和存儲選擇。
消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對可再生能源的利用,這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的,支持本地發(fā)電的拓?fù)洌⑼ㄟ^...
2020-12-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)太陽能光伏SiC 7997 0
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗(yàn)證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對被測點(diǎn)的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動 2961 0
碳化硅(SiC)是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料, 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件,例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵(GaN)具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力,...
長距離電動汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實(shí)現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長,以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
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