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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑
在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來(lái)了替代其市場(chǎng)份額的重大機(jī)遇。
國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在電力電子輔助電源中的全面進(jìn)口替代方案
隨著新能源、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,輔助電源對(duì)高效率、高功率密度及高溫穩(wěn)定性的需求日益迫切。傳統(tǒng)的硅基器件已逐漸難以滿足嚴(yán)苛的性能要求,而碳...
基本半導(dǎo)體SiC功率模塊:中國(guó)工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS廠商出海的“技術(shù)引擎”
在全球能源轉(zhuǎn)型與碳中和目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,工商業(yè)儲(chǔ)能市場(chǎng)正經(jīng)歷技術(shù)代際更迭的浪潮。碳化硅(SiC)功率模塊憑借其高頻高效、耐高溫高壓等特性,成為儲(chǔ)能變流器(P...
開(kāi)啟焊機(jī)高效時(shí)代:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析
碳化硅逆變焊機(jī)輸出整流應(yīng)用的革新之選:國(guó)內(nèi)首發(fā)400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言:碳化硅技術(shù)引領(lǐng)焊機(jī)高效化浪潮 隨著電力電...
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)...
東芝推出隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電路參考設(shè)計(jì)
隨著SiC材料特性的深入發(fā)掘和技術(shù)的不斷成熟,SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、工業(yè)變頻器、軌道交通牽引變流器等工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),不僅大幅提...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET東芝驅(qū)動(dòng)電路 334 0
2025上海車(chē)展,電驅(qū)逆變磚的“百家爭(zhēng)鳴” | 10大逆變磚技術(shù)方案匯總與解讀
-關(guān)于2025上海車(chē)展·10大逆變磚(InverterBrick)技術(shù)方案解讀-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:2025上海車(chē)展,廠商官網(wǎng)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整...
2025-05-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC電控系統(tǒng) 657 0
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為...
2025-05-21 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 387 0
SiC模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒(méi)有停下腳步,開(kāi)始投入到12英寸襯底的開(kāi)發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,...
2025-05-21 標(biāo)簽:SiC 6424 0
美信檢測(cè)榮獲車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)杰出供應(yīng)商
近日,以 “車(chē)啟芯時(shí)代,引領(lǐng)芯未來(lái)” 為主題的 2025 全球車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)(GAPS)在杭州隆重開(kāi)幕。深圳市美信檢測(cè)技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管SiC功率半導(dǎo)體 365 0
芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車(chē)電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì),匯聚了眾...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率...
為何必須通過(guò)TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車(chē)載充電機(jī)(OBC)、汽車(chē)空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機(jī)等應(yīng)用中,部分國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問(wèn)題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
聞泰科技榮膺2025中國(guó)上市公司年度智創(chuàng)品牌
近日,“2025第九屆中國(guó)上市公司品牌價(jià)值榜”發(fā)布會(huì)在上海圓滿落幕。聞泰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新實(shí)力與全球化品牌影響力,從眾多優(yōu)秀企業(yè)中脫穎而...
老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)下的部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對(duì)部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新
在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開(kāi)關(guān)頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...
東芝第3代SiC MOSFET助于降低應(yīng)用中電源損耗分享個(gè)人觀點(diǎn)
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛...
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