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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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      sic資訊

      安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模塊

      2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊...

      2024-01-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美晶圓 1284 0

      2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

      2023年國內(nèi)主要碳化硅襯底供應(yīng)商產(chǎn)能現(xiàn)狀

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進(jìn)展神速，同時(shí)三安和天...

      2024-01-08 標(biāo)簽：SiC襯底碳化硅 4478 0

      愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

      愛仕特1700V碳化硅功率模塊已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

      基于SiC功率器件的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)解決方案，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。

      2024-01-04 標(biāo)簽：SiC功率模塊碳化硅 1060 0

      一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

      一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

      金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率（高達(dá)2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

      2024-01-04 標(biāo)簽：激光器SiCGaN 2199 0

      中電化合物榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”

      近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具...

      2024-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC華大半導(dǎo)體 1897 0

      昕感科技推出超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件

      近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1219 0

      單相雙向 AC-DC 轉(zhuǎn)換器介紹

      單相雙向 AC-DC 轉(zhuǎn)換器介紹

      前言由于電力電子、數(shù)字控制及電池技術(shù)的進(jìn)步，促使再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)及新能源應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。例如:電動(dòng)汽車的電能系統(tǒng)、對(duì)電力系統(tǒng)用電進(jìn)行削峰填谷和調(diào)...

      2024-01-03 標(biāo)簽：PFC安森美半導(dǎo)體SiC 1681 0

      寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些

      寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的前沿發(fā)展有哪些

      逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電源電路。在應(yīng)用設(shè)備中，為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能，對(duì)小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實(shí)現(xiàn)逆變器的高速運(yùn)行，已經(jīng)提出使用寬帶...

      2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 1238 0

      益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC產(chǎn)線

      浙江益中封裝技術(shù)有限公司宣布其一期擴(kuò)建項(xiàng)目正式開工。這一重要項(xiàng)目標(biāo)志著其在車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局邁出了實(shí)質(zhì)性的一步。

      2024-01-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝技術(shù)SiC 1146 0

      益中封裝擴(kuò)建車規(guī)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線

      近日，據(jù)晶能微電子官微消息，浙江益中封裝技術(shù)有限公司舉行一期擴(kuò)建項(xiàng)目開工儀式。

      2024-01-02 標(biāo)簽：SiC芯片封裝 1332 0

      IGBT廠商翠展微電子2023年度總結(jié)重磅公布

      翠展微電子 2023年度總結(jié) 作為IGBT行業(yè)中的后起之秀，翠展微電子2020年落戶嘉善，21年封測(cè)線投產(chǎn)，22年搬入二期項(xiàng)目，23年三期項(xiàng)目占地59畝...

      2024-01-02 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1871 0

      清純半導(dǎo)體完成數(shù)億元Pre-B輪融資

      近日，清純半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資，這是清純半導(dǎo)體繼今年4月份完成數(shù)億元A+輪融資以來的又一融資進(jìn)展。

      2024-01-02 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET半導(dǎo)體 980 0

      飛仕得攜SiC器件動(dòng)靜態(tài)ATE測(cè)試機(jī)和動(dòng)態(tài)偏壓可靠性測(cè)試機(jī)亮相活動(dòng)

      由新態(tài)咨詢主辦的功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)暨 CIAShow國際功率半導(dǎo)體裝備及材料創(chuàng)新展將于2024年4月22-24日在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉辦。

      2023-12-29 標(biāo)簽：新能源汽車SiCATE 1640 0

      富士電機(jī)將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

      據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。

      2023-12-29 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體純電動(dòng)汽車 1060 0

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

      2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

      2023-12-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1963 0

      澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

      澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

      近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展

      2023-12-28 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶圓 1172 0

      大尺寸AlN單晶生長研究

      大尺寸AlN單晶生長研究

      AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)（PVT）是最適合AIN襯底制備的方法。

      2023-12-28 標(biāo)簽：SiC 1481 0

      上海微系統(tǒng)所發(fā)布面向5G NR與WiFi6的雙模SAW濾波器

      上海微系統(tǒng)所發(fā)布面向5G NR與WiFi6的雙模SAW濾波器

      射頻濾波器技術(shù)含量很高，多家中國本土企事業(yè)單位在攻關(guān)。

      2023-12-27 標(biāo)簽：諧振器SiCSAW濾波器 1752 0

      華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

      華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

      近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...

      2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 876 0

      碳化硅器件領(lǐng)域，中外的現(xiàn)況如何？

      碳化硅器件領(lǐng)域，中外的現(xiàn)況如何？

      導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物...

      2023-12-27 標(biāo)簽：IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 613 0

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      • 尼吉康
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        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭力的測(cè)試方案。
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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        光伏并網(wǎng)逆變器
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        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
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        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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