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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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為何必須通過TDDB(時間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗國產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(OBC)、汽車空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機等應(yīng)用中,部分國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
聞泰科技榮膺2025中國上市公司年度智創(chuàng)品牌
近日,“2025第九屆中國上市公司品牌價值榜”發(fā)布會在上海圓滿落幕。聞泰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新實力與全球化品牌影響力,從眾多優(yōu)秀企業(yè)中脫穎而...
老舊MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級的技術(shù)革新
在“雙碳”目標推動下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場景的嚴苛要求。碳化硅...
東芝第3代SiC MOSFET助于降低應(yīng)用中電源損耗分享個人觀點
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實現(xiàn)碳中和社會的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛...
聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET
在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V Si...
PCIM 2025:面向電動汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件
隨著全球電氣化進程加速,工程師們面臨著一個核心難題:如何在更緊湊的空間內(nèi)實現(xiàn)更高功率密度,同時不犧牲散熱性能與長期可靠性。無論是電動汽車、可再生能源系統(tǒng)...
英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
本文是按照2024年“第十八屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行...
全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Cen...
效率直逼99%!國產(chǎn)SiC讓儲能系統(tǒng)回本周期縮短2年
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)當(dāng)前,SiC芯片已經(jīng)在儲能系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用,并且發(fā)展呈現(xiàn)出快速增長的趨勢,其技術(shù)優(yōu)勢和市場潛力逐漸顯現(xiàn)。 ? SiC材...
2025-05-12 標簽:SiC儲能系統(tǒng) 5137 0
揚杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目盛大開工
2025 年5月9日上午,中共揚州市委副書記、秘書長焦慶標,邗江區(qū)委書記張新鋼,揚州市財政局局長楊蓉、副局長徐軍,揚州市邗江區(qū)副區(qū)長陳德康等領(lǐng)導(dǎo)齊聚揚杰...
2025-05-10 標簽:SiC功率半導(dǎo)體揚杰科技 1306 0
英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標準,加速電動汽車普及與工業(yè)效率提升
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)作為碳化硅(SiC)功率器件及SiCMOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,始終以卓越性能與...
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗
在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
宏微科技(688711)今日披露2025年一季報顯示,公司實現(xiàn)營業(yè)收入2.97億元,同比增長20.70%;歸屬于上市公司股東的凈利潤108.37萬元,成功扭虧。
新型IGBT和SiC功率模塊用于高電壓應(yīng)用的新功率模塊
近日,英飛凌、三菱和Navitas分別推出了多款新型功率模塊,旨在提升電動汽車及工業(yè)應(yīng)用的效率和可靠性。這些優(yōu)化的模塊不僅能夠降低能量損失,還能在極端環(huán)...
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...
國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進展,但面對英飛凌等國際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢,仍需從多個維...
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
34mm碳化硅(SiC)功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單...
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