34mm碳化硅（SiC）功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案

傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

一、產(chǎn)品概述

BASIC Semiconductor基本股份推出的 Pcore?2 34mm系列SiC MOSFET工業(yè)模塊（型號：BMF80R12RA3、BMF160R12RA3）專為高頻、高功率密度場景設(shè)計，采用第三代SiC芯片技術(shù)，結(jié)合高性能DCB陶瓷基板與高溫焊料工藝，顯著提升模塊的可靠性和效率。其核心優(yōu)勢包括：

低導(dǎo)通電阻：BMF80R12RA3為15mΩ，BMF160R12RA3為7.5mΩ，大幅降低導(dǎo)通損耗。

高頻性能優(yōu)異：低開關(guān)損耗支持70kHz以上逆變頻率，助力焊機(jī)能效提升至1級標(biāo)準(zhǔn)（GB 28736-2019）。

高可靠性：支持結(jié)溫175℃，適應(yīng)嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境。

二、關(guān)鍵參數(shù)與選型建議

型號 額定電壓 額定電流 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）封裝 適用場景

BMF80R12RA3 1200V80A 15mΩ 34mm 半橋中小功率焊機(jī)、感應(yīng)加熱

BMF160R12RA3 1200V160A 7.5m Ω34mm 半橋大功率焊機(jī)、工業(yè)變頻器

選型依據(jù)：

輸出電流需求：若焊機(jī)額定電流≤160A，推薦BMF160R12RA3；若≤80A，可選BMF80R12RA3。

能效優(yōu)化：相比傳統(tǒng)IGBT方案，34mm模塊可將逆變頻率提升至70kHz，效率提升4%~5%（如NBC-500SIC焊機(jī)效率達(dá)90.47%）。

三、系統(tǒng)配套方案

為充分發(fā)揮34mm模塊性能，推薦以下配套驅(qū)動與電源方案：

驅(qū)動方案

驅(qū)動板：BSRD-2427-E501（即插即用，支持1200V SiC MOSFET，單通道輸出功率2W）。

驅(qū)動芯片：BTD5350MCWR（集成米勒鉗位功能，抑制誤開通風(fēng)險，開關(guān)速度較競品提升50%）。

隔離電源芯片：BTP1521P（6W輸出，支持高頻DCDC變換）。

輔助電源方案

采用反激拓?fù)?，搭配BTP284xx控制芯片與SiC MOSFET（如B2M600170R），輸出功率可達(dá)50W，適應(yīng)380V輸入環(huán)境。

四、核心優(yōu)勢與實測數(shù)據(jù)

能效提升：

以NBC-500SIC焊機(jī)為例，采用34mm模塊后，效率從IGBT方案的86%提升至90.47%，輸入功率降低2.56KVA（節(jié)電比例9.8%）。

工作頻率提升至70kHz，支持更精細(xì)的焊接控制。

可靠性驗證：

雙脈沖測試：模塊在800V/40A條件下，關(guān)斷損耗較競品降低30%，總損耗減少4%。

高溫性能：RDS(on)高溫變化率僅1.3倍（優(yōu)于溝槽柵工藝競品），確保長期穩(wěn)定運行。

驅(qū)動性能優(yōu)化：

搭配BTD5350MCWR驅(qū)動芯片后，VGS上升時間縮短至51ns（競品為123ns），開關(guān)損耗顯著降低。

五、應(yīng)用場景

高端工業(yè)焊機(jī)：支持500A以上大電流輸出，適配氣保焊、手工焊等多模式需求。

高頻感應(yīng)加熱：低損耗特性適合高頻諧振電路。

工業(yè)變頻器：提升功率密度，減少散熱系統(tǒng)體積。

六、總結(jié)

BASIC Semiconductor 基本股份 34mm SiC功率模塊（BMF80R12RA3/BMF160R12RA3）憑借高頻、高效、高可靠性優(yōu)勢，可全面替代傳統(tǒng)IGBT模塊方案，助力工業(yè)設(shè)備能效升級。結(jié)合配套驅(qū)動與電源方案，，實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益與技術(shù)性能的雙重提升。

推薦聯(lián)絡(luò)
BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊茜 微信&手機(jī)：13266663313

審核編輯 黃宇