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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞...
2023-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 1648 0
科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線
2023年9月,科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
羅姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500種LTspice?模型
據(jù)AMEYA360介紹:全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)擴(kuò)大了支持電路仿真工具* 1 LTspice? 的SPICE模型* 2 陣容。LTs...
2023-10-17 標(biāo)簽:IGBTSiC羅姆半導(dǎo)體 949 0
SiC產(chǎn)業(yè)鏈與SiC戰(zhàn)略初探
隨著我們逐漸擺脫化石燃料,世界正在認(rèn)識到功率半導(dǎo)體的至關(guān)重要性。 能源效率、電氣化和二氧化碳減排是我們這個(gè)時(shí)代的口號,但它們只是最近一系列碳化硅(SiC...
第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)?如何破局?
近年來,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點(diǎn)之一。
日本電裝和三菱將投資10億美元,獲取對Coherent碳化硅部門25%股權(quán)
根據(jù)交易條款,電裝和三菱電機(jī)將各投資5億美元,以獲得Coherent 碳化硅業(yè)務(wù)12.5%的非控股所有權(quán),Coherent 擁有剩余75%的所有權(quán)。在交...
onsemi TPFC:NCP1681 和 LLC:NCP4390 高密度3 kW SiC 電源解決方案
我們提出了一種高密度3kW電源解決方案,移除輸入整流二極管,使用圖騰極PFC電路和650VSiCMOSFET和以及次級側(cè)控制LLC帶同步整流功能的轉(zhuǎn)換器...
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點(diǎn),即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動(dòng)技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今,出于多種原因,希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計(jì)人員正在轉(zhuǎn)向基于S...
2023-10-13 標(biāo)簽:處理器MOSFET場效應(yīng)晶體管 1755 0
CDIL 的第一批生產(chǎn)批次用于出口,因?yàn)楫?dāng)時(shí)印度的潛在客戶對印度是否有人可以生產(chǎn)硅持懷疑態(tài)度。CDIL 總裁兼董事總經(jīng)理 Inderdeep 表示:“但...
盛劍環(huán)境4億元泛半導(dǎo)體先進(jìn)綠色裝備生產(chǎn)項(xiàng)目奠基
據(jù)了解,湖北盛劍環(huán)境一期工程于2022年7月15日在肖正式投產(chǎn),擁有多條半導(dǎo)體清潔室專用管道和環(huán)保設(shè)備生產(chǎn)線。戰(zhàn)略部署,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)價(jià)值為進(jìn)行延...
我們知道,SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問題,最近,日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長技術(shù),據(jù)說可以...
芯塔電子與南京博蘭得達(dá)成長期戰(zhàn)略合作伙伴
近日,安徽芯塔電子科技有限公司董事長兼總經(jīng)理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司,與博蘭得董事長徐明博士進(jìn)行深入交流。
碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料。KeepTops的SiC肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可在電力電子技術(shù)領(lǐng)域突破硅的極限,成為新能...
如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題...
在元件層面,硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多,并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示,將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...
長飛先進(jìn)半導(dǎo)體注冊資本增至2.9億元,增幅達(dá)95%
6月28日,安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體公布完成38億元以上的a輪股票融資。新投資者包括光谷金控、中金資本旗下基金、國元金控集團(tuán)旗下基金、東風(fēng)資產(chǎn)、云岫資本等。
2023-10-08 標(biāo)簽:SiC功率模塊先進(jìn)半導(dǎo)體 1459 0
長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設(shè)計(jì)
長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。
2023-10-07 標(biāo)簽:電池管理SiC電機(jī)控制系統(tǒng) 1116 0
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