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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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9.1.3 端電流∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.1.3端電流9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD...
2022-03-14 標(biāo)簽:SiC 377 0
7.3 pn與pin結(jié)型二極管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
7.3pn與pin結(jié)型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《...
2022-02-10 標(biāo)簽:SiC 1144 0
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6....
2022-01-24 標(biāo)簽:SiC 2042 0
6.3.4.1 SiC特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表...
2022-01-05 標(biāo)簽:SiC 988 0
8.2.3 MOSFET電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.3MOSFET電流-電壓關(guān)系8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器...
9.3 晶閘管∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.3晶閘管第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選...
2022-03-25 標(biāo)簽:SiC 484 0
6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》...
2022-01-24 標(biāo)簽:SiC 1005 0
7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7....
2022-02-07 標(biāo)簽:SiC 746 0
6.3.4.7 電導(dǎo)法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.7電導(dǎo)法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用...
2022-01-12 標(biāo)簽:SiC 818 0
6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件...
2022-01-10 標(biāo)簽:SiC 1102 0
6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生...
2022-01-19 標(biāo)簽:SiC 868 0
7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.5總結(jié)∈《碳化...
2022-02-07 標(biāo)簽:SiC 1062 0
7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7....
2022-02-09 標(biāo)簽:SiC 849 0
6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅...
2022-01-06 標(biāo)簽:SiC 1272 0
6.1.3 p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅...
2022-01-06 標(biāo)簽:SiC 1300 0
?9.1.2增益參數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
9.1.2增益參數(shù)9.1雙極結(jié)型晶體管(BJT)第9章雙極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPL...
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6...
2022-01-24 標(biāo)簽:SiC 1452 0
6.3.2 氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.3.1氧化...
2022-01-04 標(biāo)簽:SiC 1413 0
6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、...
2022-01-13 標(biāo)簽:SiC 1182 0
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