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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2838個(gè) 瀏覽：65228次 帖子：124個(gè)

      sic資訊

      6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、...

      2022-01-13 標(biāo)簽：SiC 1188 0

      6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.5 高低頻方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.5高低頻方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和...

      2022-01-10 標(biāo)簽：SiC 736 0

      ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      ９.２.１　電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      ９.２.１電流-電壓關(guān)系９.２絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)...

      2022-03-21 標(biāo)簽：電壓SiC 596 0

      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅...

      2022-03-03 標(biāo)簽：SiC 809 0

      6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《...

      2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1125 0

      6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表...

      2022-01-18 標(biāo)簽：SiC 1141 0

      6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)...

      2022-01-27 標(biāo)簽：SiC 1646 0

      7.3.2 “i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      7.3.2 “i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7....

      2022-02-14 標(biāo)簽：SiC 818 0

      6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理—...

      2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 1036 0

      8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.1 MOS靜電學(xué)回顧∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.1MOS靜電學(xué)回顧8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》...

      2022-02-22 標(biāo)簽：MOSSiC 1028 0

      6.3.4.3 確定表面勢(shì)、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.3 確定表面勢(shì)、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.4.4Terman法6.3.4.3確定表面勢(shì)6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基...

      2022-01-07 標(biāo)簽：SiC 1485 0

      8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.11 氧化層可靠性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往...

      2022-03-07 標(biāo)簽：SiC 655 0

      6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)...

      2022-01-21 標(biāo)簽：SiC 1344 0

      6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.1 界面態(tài)分布∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、...

      2022-01-12 標(biāo)簽：SiC 1426 0

      6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.7 遷移率限制因素∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶...

      2022-01-21 標(biāo)簽：SiC 1329 0

      6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表...

      2022-01-17 標(biāo)簽：SiC 1136 0

      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

      8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)...

      2022-03-05 標(biāo)簽：SiC 753 0

      碳化硅的需求正在飆升

      　到2030年，汽車(chē)電源市場(chǎng)（包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體）的收入預(yù)計(jì)將達(dá)到266億美元，幾乎是今年收入的兩倍。未來(lái)五年，車(chē)用功率芯片市...

      2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 1480 0

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

      在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類(lèi)似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。

      2023-06-16 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 957 0

      又一SiC車(chē)型上市，首發(fā)訂單破10000輛

      6月15日，江鈴汽車(chē)在上海舉行了“江鈴樂(lè)行新能源品牌”發(fā)布會(huì)，正式開(kāi)啟新能源領(lǐng)域新征程。同時(shí)，江鈴汽車(chē)的全新純電SiC輕卡——江鈴樂(lè)行E路達(dá)正式全球首發(fā)上市。

      2023-06-16 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)控制器SiC 469 0

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      • 快充技術(shù)
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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
      • 無(wú)線(xiàn)供電
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        無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
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        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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        Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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        Pebble
        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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        WPC
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      • 手機(jī)快充
        手機(jī)快充
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        手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
      • 電池系統(tǒng)
        電池系統(tǒng)
        +關(guān)注
        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        智能變電站
        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
      • USB PD
        USB PD
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        太陽(yáng)能充電
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        PSR
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        浪涌抑制器
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        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
      • USB-PD
        USB-PD
        +關(guān)注
      • PWM信號(hào)
        PWM信號(hào)
        +關(guān)注
        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
      • DCDC電源
        DCDC電源
        +關(guān)注
        DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
      • 醫(yī)療電源
        醫(yī)療電源
        +關(guān)注
      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • LT8705
        LT8705
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      放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
      時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
      視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
      模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
      線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
      電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
      開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
      5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
      NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
      Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
      語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
      CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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