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標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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本實驗通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點,采用物理氣相傳輸(physical...
該獎項主要表彰本年度碳化硅/氮化鎵供應(yīng)鏈中快速崛起的優(yōu)秀企業(yè),他們實現(xiàn)了國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料、器件、模塊和裝備等環(huán)節(jié)技術(shù)的突圍,并且在全球化道路上邁出堅...
SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體...
Ameya360:SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFE...
半導(dǎo)體國產(chǎn)替代持續(xù)加速IGBT、SiC和車載傳感器前景可期
2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場規(guī)模約為513億美元;根據(jù)SEMI關(guān)于全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模的預(yù)測,全球半導(dǎo)體設(shè)備零部件市場規(guī)模將在2022-2024...
Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車 (BEV)功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...
云計算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)...
CEO進一步指出,產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2023-01-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1017 0
為此,DISCO開發(fā)了DFG8540的后繼設(shè)備DFG8541,旨在保持高清潔度的同時穩(wěn)定減薄,并提高可操作性和生產(chǎn)率。通過選擇高扭矩主軸,可以支持SiC...
NOM-FUNGIBLE TOKENS榮膺極光獎中國SiC功率器件設(shè)計十強 ? ? 2023年伊始,由行家說三代半和行家說Research主辦的全球第三...
如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率
交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍,一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)...
電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件,用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC...
梅賽德斯-奔馳已與Wolfspeed建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
根據(jù) Wolfspeed 的說法,梅賽德斯-奔馳作為“豪華車的領(lǐng)先供應(yīng)商”,了解對卓越性能的需求。梅賽德斯計劃使用自己的半導(dǎo)體“讓一些最高效的電動汽車上...
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作 來源:安森美 2023年1月4日— 領(lǐng)先于智能電源和智能感知...
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美...
SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
800V高壓平臺加速落地,2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺為解決里程焦慮的破局者,國內(nèi)外車企從2021年起掀起一...
今天的開關(guān)選擇多種多樣,IGBT因低導(dǎo)電損耗而受到極大功率應(yīng)用的青睞,MOSFET則憑借能盡量減小相關(guān)組件(尤其是磁性元件)體積和成本的快速開關(guān)能力占領(lǐng)...
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