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標(biāo)簽 > SiCMOSFET
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對(duì)SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢(shì)已被大規(guī)模地證實(shí),它被認(rèn)為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開(kāi)發(fā)工程師所關(guān)心的重點(diǎn)之一...
美高森美瞄準(zhǔn)工業(yè)和汽車市場(chǎng)推出新型SiC MOSFET和SiC SBD產(chǎn)品,繼續(xù)在碳化硅解決方案領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位
美高森美參加在3月4日至8日在美國(guó)舉辦的APEC展覽會(huì),于1147號(hào)展位展示適用于惡劣環(huán)境的電源應(yīng)用新器件。
英飛凌推出1200V SiC MOSFET 將提高可靠性和降低系統(tǒng)成本
大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有...
國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場(chǎng)對(duì)電動(dòng)汽車長(zhǎng)續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...
深入了解SiCMOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案的示例
來(lái)源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟 對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì),...
2022-12-09 標(biāo)簽:SiCMOSFET 1271 0
來(lái)源:電氣技術(shù) 清華大學(xué)電機(jī)系電力系統(tǒng)及發(fā)電設(shè)備安全控制和仿真國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員朱義誠(chéng)、趙爭(zhēng)鳴、王旭東、施博辰,在2017年第12期《電工技術(shù)學(xué)報(bào)...
提高工業(yè)電機(jī)效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器
工業(yè)電機(jī)需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC(碳化硅)MOSFET技術(shù)設(shè)計(jì)的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步...
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