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當CMOS技術(shù)遇上微波傳感器,更先進的雷達系統(tǒng)誕生了
隨著武器測試技術(shù)的進步、傳統(tǒng)的測速技術(shù),如靶圈測試、天幕靶測試等方法因測試過程 繁瑣,精度較差,已不能滿足實時戰(zhàn)地測試的需要。而毫米波測速雷達將毫米波技...
使用SiGe和28nm CMOS的24GHz至44GHz無線電的完整解決方案
完整的寬帶解決方案,涵蓋26 GHz至44 GHz范圍內(nèi)的所有無線電設(shè)計。這款完整的信號鏈采用高度集成的寬帶高性能部件,可減少元件數(shù)量,簡化設(shè)計架構(gòu),加...
ADI公司拓展用于微波頻率生成和轉(zhuǎn)換的高集成度SiGe解決方案系列,為航空飛行、汽車雷達和5G等各種客戶應用提供寬帶性能。
SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...
以CMOS技術(shù)實現(xiàn)的微型化毫米波傳感器
大多數(shù)商用雷達系統(tǒng),特別是高級駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達系統(tǒng),均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車輛都有一個多芯片SiGe雷達系統(tǒng)。雖然...
2023-04-07 標簽:SiGeadas雷達系統(tǒng) 1817 0
相對于基于傳統(tǒng)鍺硅(SiGe)的傳感器技術(shù),TI基于RFCMOS的雷達傳感器引入了更高的數(shù)字和模擬集成度,以實現(xiàn)高輸出功率、低功耗(比市面上現(xiàn)有解決方案...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術(shù)。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制
在過去的幾年中,MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應,并導致更高的驅(qū)動電流泄漏。然而,隨著柵極長度減小到小于...
ADA4950-1低功耗、增益可選的差分ADC驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADA4950-1/ADA4950-2是ADA4932-1/ADA4932-2的增益可選版本,具有片上反饋和增益電阻。作為單端至差分或差分至差分放大器,...
MAX2659 GPS/GNSS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2659是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計為用于GPS、Galileo和GLONASS等應用。芯片采用Maxim先進的硅鍺(SiGe)工藝,在...
ADL5562 2.6GHz 超低失真RF/IF差分放大器技術(shù)手冊
ADL5562是一款專為RF和IF而優(yōu)化的高性能差分放大器。該放大器在寬頻范圍內(nèi)提供2.1 nV/√Hz的低噪聲以及出色的失真性能,從而使其成為驅(qū)動8-...
ADRF6780 5.9 至23.6GHz、寬帶微波上變頻器技術(shù)手冊
ADRF6780是一款采用硅鍺(SiGe)設(shè)計的寬帶、微波上變頻器,針對點到點微波無線電設(shè)計進行優(yōu)化,工作頻率范圍為5.9 GHz至23.6 GHz。
MAX2658 GPS/GNSS低噪聲放大器技術(shù)手冊
MAX2657/MAX2658是高增益、低噪聲放大器(LNA),設(shè)計用于GPS L1、Galileo和GLONASS應用。器件采用Maxim先進的SiG...
ADL5721 5.9GHz至8.5GHz、低噪聲放大器技術(shù)手冊
ADL5721是一款針對微波無線鏈路接收器設(shè)計的窄帶、高性能、低噪聲放大器。單芯片硅鍺(SiGe)設(shè)計在5.9 GHz至8.5 GHz頻率范圍內(nèi)針對微波...
AD8344 400MHz至1.2GHz有源接收混頻器技術(shù)手冊
AD8344是一款高度集成的SiGe有源濾波器,專門針對接收路徑下變頻進行了優(yōu)化。該器件的輸入范圍為400 MHz至1.2 GHz,適合CDMA、GSM...
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