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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

設(shè)計(jì)安全關(guān)鍵型嵌入式系統(tǒng)：在運(yùn)行時(shí)檢測(cè)SRAM故障的挑戰(zhàn)

本文介紹了SRAM的邏輯和物理布局之間未記錄的差異如何導(dǎo)致我們無意中錯(cuò)誤地實(shí)現(xiàn)內(nèi)存測(cè)試，例如棋盤算法。標(biāo)準(zhǔn)微控制器的數(shù)據(jù)表中通常沒有必要的信息，但幸運(yùn)的...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式存儲(chǔ)器 sram 869 0

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在可移動(dòng)數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用方案

在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號(hào)，需要長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)記錄信號(hào)變化;用性能可靠的移動(dòng)存儲(chǔ)器接在工作現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄采集，待采集完成后取回并接到計(jì)算機(jī)讀...

2023-06-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 數(shù)據(jù)采集 866 0

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供...

2024-01-09 標(biāo)簽：電容器控制器 sram 849 0

怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)同步FIFO？（3）

我們說這個(gè)結(jié)構(gòu)之所以使得FIFO的輸出Q在讀完SRAM之后保持穩(wěn)定，其實(shí)需要SRAM本身可以保持RDATA在讀操作之后的多個(gè)周期保持穩(wěn)定。即SRAM本身...

2023-05-04 標(biāo)簽：sram fifo 848 0

海速芯TM52F1363單片機(jī)在智能電熱杯中的應(yīng)用

電熱杯加熱水主要是通過底部的發(fā)熱管起作用的，電熱杯底部發(fā)熱管通電后，內(nèi)部的電阻絲會(huì)產(chǎn)生熱量，并將熱量傳遞到杯身，從而對(duì)杯內(nèi)的水進(jìn)行加熱，當(dāng)水加熱沸騰時(shí)，...

2023-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)mcu 驅(qū)動(dòng)器 836 0

基于32位RISC-V CPU架構(gòu)的Trikarenos微控制器

研究人員解釋說，針對(duì)太空條件的常見對(duì)策通常依賴于專有的抗輻射技術(shù)、低密度制造節(jié)點(diǎn)和廣泛的復(fù)制。這些因素導(dǎo)致成本高、性能和效率低。Trikarenos 旨...

2023-10-09 標(biāo)簽：微控制器芯片 sram 827 0

通過閃存微控制器即時(shí)增強(qiáng)性能

超高速微控制器（UHSM）是 5V、1 時(shí)鐘 8051，集成了閃存和 SRAM。這些UHSM可以進(jìn)入現(xiàn)有的8051應(yīng)用，并且只需很少或沒有努力，就可...

2023-03-02 標(biāo)簽：微控制器存儲(chǔ)器 sram 811 0

DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說

本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲(chǔ)；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。?...

2025-03-04 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)單元 sram 809 0

ChatGPT在邊緣設(shè)備的應(yīng)用探索

這要求在更接近數(shù)據(jù)源的地方大幅提高性能，但仍然只能使用非常少的功耗，并且價(jià)格便宜。雖然訓(xùn)練將繼續(xù)在云中進(jìn)行，但長(zhǎng)距離移動(dòng)大量數(shù)據(jù)的成本很高，所以邊緣AI...

2024-04-07 標(biāo)簽：cpu sram AI 797 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對(duì)于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)SRAM和I/O，因?yàn)檫@些節(jié)點(diǎn)在較新的工藝上無法很好地?cái)U(kuò)展。

2024-03-01 標(biāo)簽：英特爾 cpu sram 791 0

C語(yǔ)言指針存在SRAM里面嗎

應(yīng)該有可以回答的上來的，但是大部分應(yīng)該是回答不上來。標(biāo)題的回答也不對(duì)。計(jì)算機(jī)內(nèi)存里面分這么幾種數(shù)據(jù) 存在SRAM里面，嗯？?jī)?nèi)存？對(duì)也不對(duì)，大家覺得內(nèi)存...

2024-06-04 標(biāo)簽：sram 計(jì)算機(jī)內(nèi)存 762 0

淺談人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算的內(nèi)存挑戰(zhàn)

CXL – CXL 提供了大幅擴(kuò)展內(nèi)存容量和提高帶寬的機(jī)會(huì)，同時(shí)還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式，CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個(gè)很好的接口...

2023-09-25 標(biāo)簽：DRAM sram 內(nèi)存 761 0

深入解析Cache在AI處理器設(shè)計(jì)中的作用機(jī)制

最快的存儲(chǔ)器類型是SRAM，但每個(gè)SRAM單元需要六個(gè)晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因?yàn)樗鼤?huì)消耗大量的空間和功率。

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器 sram 734 0

8位MCU已近黃昏？

隨著時(shí)代的流逝，8/16位MCU可能會(huì)從市場(chǎng)上消失。

2023-03-02 標(biāo)簽：mcu 嵌入式 cpu 702 0

EDA探索之Intel集成電路工藝發(fā)展歷史

幾十年來，英特爾一直使用相同的命名方案。所有工藝技術(shù)（包括封裝技術(shù)）都以 "P "開頭，然后是晶圓尺寸和工藝 ID。一般來說，工藝 ...

2023-08-02 標(biāo)簽：集成電路 sram intel 645 0

DRAM和NAND的局限性未來如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說?！暗窃?3 級(jí)之后，我們可以有 4 級(jí)，一個(gè)額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(fù)載...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 621 0

如何打通機(jī)器學(xué)習(xí)的三大玄關(guān)

隨著時(shí)下智能時(shí)代的發(fā)展，機(jī)器學(xué)習(xí)已成為不少專業(yè)人士的“必備技能”。盡管如此，可它在實(shí)用性上仍然存在一些問題。因而設(shè)計(jì)師們采取了架構(gòu)精簡(jiǎn)、壓縮、以及硬件加...

2023-08-03 標(biāo)簽：cpu 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 592 0

XL32F001系列微控制器介紹

XL32F001 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM Cortex-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入 24Kbytes Flash 和...

2023-07-13 標(biāo)簽：微控制器 mcu 內(nèi)核 585 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動(dòng)大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競(jìng)相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 447 0

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰...

2025-02-27 標(biāo)簽：sram 引腳 416 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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存儲(chǔ)行業(yè)

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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