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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡(jiǎn)介
SRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來(lái)存儲(chǔ)每個(gè)位。只要有電源,數(shù)據(jù)位就會(huì)保留在存儲(chǔ)器中。與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同,SR...
低功耗SRAM存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單描述及特征介紹
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,是靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣泛...
基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度
基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度,消耗較高功率; 基于閃存技術(shù)的Xilinx CPLD具有較低的邏輯密度,功耗也比較低。為了提...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I特征介紹
ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態(tài)SRAM。該產(chǎn)品使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。...
醫(yī)療刺激裝置如何通過(guò)外部存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費(fèi)類、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大,越來(lái)越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性,價(jià)格...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRA...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎樣的
EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝,以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保...
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
美國(guó)ISSI公司是為汽車(chē)和通信,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...
以STM32F407ZGT6單片機(jī)來(lái)講解一下擴(kuò)展外部SRAM
現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用,對(duì)SRAM要求越來(lái)越高,單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來(lái)越不夠用。當(dāng)電腦運(yùn)行比較卡的時(shí)候,我們可以通過(guò)給電腦加裝內(nèi)存條來(lái)改善電腦的性能...
簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車(chē)傳動(dòng)和安全系統(tǒng)
AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,即通過(guò)了一系列專為確保汽車(chē)應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力
新一代器件已通過(guò)QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證,支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用,包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
淺談IntrinsicID提出的不需要存儲(chǔ)密鑰就能保護(hù)數(shù)據(jù)的方法
數(shù)據(jù)保護(hù)現(xiàn)在已經(jīng)成了幾乎每個(gè)人都在考慮的問(wèn)題。新聞上也每隔一段時(shí)間就會(huì)出現(xiàn)黑客、入侵或網(wǎng)絡(luò)恐怖主義的故事。越來(lái)越多地依賴云計(jì)算、超連接設(shè)備以及AI輔助硬...
2021-03-26 標(biāo)簽:sramIP安全數(shù)據(jù)安全 2085 0
一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案
最近的ISSCC上,臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案,能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。 上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展SRAM陣...
2021-04-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)sram 1442 0
國(guó)產(chǎn)并口PSRAM存儲(chǔ)芯片EMI164NA16LM的功能描述
EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備,其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電...
國(guó)產(chǎn)串行SRAM存儲(chǔ)芯片EMI7008LSMI的介紹
EMI7008LSMI該器件是8Mb串行訪問(wèn)的SRAM存儲(chǔ)芯片,內(nèi)部組織為1024K字,每個(gè)8位。該器件采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造,以提供高速...
關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM
ISSI IS61WV204816ALL是高速,32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠...
關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說(shuō)明
VTI7064 64Mbit串行SRAM,它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI(串行外圍接口/四重外圍接口)SRAM器件。該RAM可配...
物聯(lián)網(wǎng)中常用的ota升級(jí)方案
這樣可以解決一個(gè)問(wèn)題,當(dāng)模塊升級(jí)后連接不了網(wǎng)絡(luò)的問(wèn)題。如果連接網(wǎng)絡(luò)失敗,可以將失敗的原因放到備份SRAM中,多次連接不上,BOOT檢測(cè)到這個(gè)現(xiàn)象,可以跳...
2021-03-09 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)OTA 3400 0
SRAM是什么,它的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)是什么
隨著信息時(shí)代的到來(lái),海量信息存儲(chǔ)、傳播和交流正在深刻改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)生活方式,然而信息技術(shù)在追求高性能、高速度的同時(shí),必須重視國(guó)家信息安全和個(gè)人隱私安全。...
XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu),它有哪些特點(diǎn)
XRAM是一種新的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu),旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu),顯著提高了存儲(chǔ)器密度,...
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