隧道磁阻技術(shù)（TMR）及其應(yīng)用簡(jiǎn)介

TMR磁傳感器產(chǎn)品的應(yīng)用非常廣泛，包括工業(yè)控制、金融器具、生物醫(yī)療、消費(fèi)電子、汽車領(lǐng)域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高靈敏度。

2018-09-18 標(biāo)簽：磁阻傳感器電流傳感器磁傳感器 2.4萬 0

什么是TMR傳感器？TMR的輸出響應(yīng)與GMR和AMR的比較

TMR（穿隧磁阻，Tunneling Magnetoresistance）傳感器是一種利用量子現(xiàn)象提供優(yōu)于現(xiàn)有傳感器的性能優(yōu)勢(shì)，可以替代主流霍爾效應(yīng)傳感...

2023-12-18 標(biāo)簽：傳感器TMR霍爾效應(yīng)傳感器 1.5萬 0

基于FPGA的三模冗余容錯(cuò)技術(shù)的研究

基于SRAM 的FPGA對(duì)于空間粒子輻射非常敏感，很容易產(chǎn)生軟故障，所以對(duì)基于FPGA的電子系統(tǒng)采取容錯(cuò)措施以防止此類故障的出現(xiàn)非常重要。通過對(duì)敏感電路...

2017-11-18 標(biāo)簽：sramtmr 1.2萬 0

TMR技術(shù)加持 電流傳感器提升電機(jī)的運(yùn)作效能

電流控制是提升電機(jī)運(yùn)作效能的關(guān)鍵，如何準(zhǔn)確地測(cè)量電流的強(qiáng)度，則需要精準(zhǔn)的電流傳感器，采用TMR技術(shù)的電流傳感器將會(huì)是相關(guān)應(yīng)用的理想選擇之一。本文將為您介...

2022-10-02 標(biāo)簽：傳感器電流電機(jī) 1.2萬 0

TMR磁傳感器芯片有哪些特性？有哪些應(yīng)用？

二十世紀(jì)八九十年代，隨著材料技術(shù)和微加工技術(shù)的發(fā)展，GMR（巨磁電阻）、TMR（隧穿磁電阻）效應(yīng)逐步被發(fā)現(xiàn)并被認(rèn)為具有廣闊的應(yīng)用前景，尤其是具有更高M(jìn)R...

2023-08-03 標(biāo)簽：電阻器電磁干擾芯片封裝 1.1萬 0

詳解TMR隧道磁電阻效應(yīng)

進(jìn)入信息化時(shí)代以來，人們對(duì)于信息的讀取和存儲(chǔ)要求越來越嚴(yán)格。從最開始用真空管保存信息到現(xiàn)在U盤的大范圍使用，人們對(duì)于信息的大容量，高質(zhì)量?jī)?chǔ)存越來越重視。...

2023-11-03 標(biāo)簽：磁場(chǎng)TMR磁電阻 1.0萬 0

TMR電流傳感器介紹

電流傳感器的種類繁多，本章從產(chǎn)品原理出發(fā)，通過不同技術(shù)路線的參數(shù)對(duì)比、不同產(chǎn)品的精度計(jì)算，在突顯集成化優(yōu)勢(shì)的同時(shí)讓讀者對(duì)于第四代磁傳感器TMR技術(shù)有一定...

2023-02-09 標(biāo)簽：電流傳感器磁傳感器TMR 8643 0

電機(jī)控制應(yīng)用中的TMR位置和電流檢測(cè)

ADI公司的電流和角度傳感器實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制系統(tǒng)中的精確相位電流和角度測(cè)量。ADI業(yè)界領(lǐng)先的性能使我們的客戶有能力為最終應(yīng)用提供更順暢、更高效的電機(jī)。

2018-06-04 標(biāo)簽：傳感器電流adi 6328 0

論SRAM型FPGA軟核Microblaze抗單粒子加固的方法

Microblaze是32位/64位 RISC軟核處理器，可以用作微處理器、實(shí)時(shí)處理器和應(yīng)用處理器（Linux+MMU）。

2023-08-28 標(biāo)簽：fpgasram微處理器 4696 0

霍爾傳感器是什么 霍爾傳感器的典型應(yīng)用有哪些？（下）

霍爾開關(guān)傳感器典型應(yīng)用實(shí)現(xiàn) 1.霍爾開關(guān)霍爾傳感器在水流量計(jì)中的應(yīng)用 水流量計(jì)霍爾開關(guān)應(yīng)用，水輪葉片上固定一個(gè)小磁鐵，在水流帶動(dòng)葉輪，旁邊安...

2023-01-31 標(biāo)簽：CMOS霍爾傳感器TMR 4694 0

多維科技推出17位高速TMR磁編碼器芯片—TMR3107和TMR3108

17位分辨率，<±0.04°角度重復(fù)精度， SPI / ABZ / UVW / PWM等多種接口。

2023-08-27 標(biāo)簽：編碼器無刷電機(jī)磁傳感器 4382 0

MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面

MRAM是使用單個(gè)一體化的機(jī)臺(tái)進(jìn)行物理氣相沉積(PVD)，可以精確地沉積20至30個(gè)不同的金屬和絕緣層，每個(gè)金屬層和絕緣層的厚度通常在0.2至5.0nm之間。

2022-11-17 標(biāo)簽：TMRMRAM金屬電極 3139 0

利用電機(jī)控制中PLU模塊與CTIMER計(jì)數(shù)器解碼電機(jī)

　　在電機(jī)控制中，實(shí)時(shí)獲取電機(jī)轉(zhuǎn)子位置是非常重要的。通過監(jiān)測(cè)電機(jī)軸或機(jī)械設(shè)備運(yùn)動(dòng)的位置可以計(jì)算電機(jī)轉(zhuǎn)速。當(dāng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，編碼盤傳感器（Encoder）會(huì)發(fā)...

2022-12-01 標(biāo)簽：電機(jī)控制電機(jī)計(jì)數(shù)器 3116 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問題及其影響。

2023-08-11 標(biāo)簽：fpgasramCMOS工藝 2836 0