各大廠商傾力開發(fā)，芯片立體堆疊技術(shù)應(yīng)用在即

TSV立體堆疊技術(shù)已在各式應(yīng)用領(lǐng)域當(dāng)中嶄露頭角。TSV堆疊技術(shù)應(yīng)用于DRAM、FPGA、無線設(shè)備等應(yīng)用上，可提升其效能并維持低功耗，因而獲得半導(dǎo)體廠及類...

2013-02-24 標簽：TSV立體堆疊技術(shù) 3661 0

半導(dǎo)體廠商關(guān)注，TSV應(yīng)用爆發(fā)一觸即發(fā)

TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍圖，TSV應(yīng)用市場正加速起飛，包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件，皆已...

2013-01-27 標簽：半導(dǎo)體TSV3D晶體管 3735 0

高通和英特爾介紹用在移動SOC的TSV三維封裝技術(shù)

在“NEPCON日本2013”的技術(shù)研討會上，英特爾和高通分別就有望在新一代移動SoC（系統(tǒng)級芯片）領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)實用的 TSV（硅通孔）三維封裝技術(shù)發(fā)表了演...

2013-01-22 標簽：高通英特爾SOC 1649 0

Littelfuse推出新款TSV陣列SP1005-01ETG

全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse新推出兩款0402規(guī)格產(chǎn)品，可為現(xiàn)代集成電路（IC）提供更有效的靜電放電（ESD）保護，進一步擴展了其SP...

2012-12-11 標簽：電源芯片TSVLittelfuse 1922 0

GlobalFoundries開始安裝20nm TSV設(shè)備

　　GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20n...

2012-05-01 標簽：TSV硅穿孔GlobalFoundries 1320 0

編輯視點：日本TSV技術(shù)能否再現(xiàn)輝煌？

　　在日本，硅通孔（TSV：Through Silicon Via）技術(shù)從10多年前開始就備受業(yè)界關(guān)注。比如，日本超尖端電子技術(shù)開發(fā)機構(gòu)（ASET）從1...

2012-04-18 標簽：高通賽靈思TSV 1634 0

編輯視點：TSV的面臨的幾個問題，只是一場噩夢？

　　你最近有看到關(guān)于過孔硅（TSV）的新聞嗎？

2012-04-16 標簽：TSV編輯視點 6033 0

分析：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)

TSV3DIC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準皆尚未成熟情況下，TSV3DIC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢，DIGITI...

2012-02-21 標簽：IC制造TSV3dic 1754 0

半導(dǎo)體封裝篇:采用TSV的三維封裝技術(shù)

2011年，半導(dǎo)體封裝業(yè)界的熱門話題是采用TSV(硅通孔)的三維封裝技術(shù)。雖然TSV技術(shù)此前已在CMOS圖像傳感器等產(chǎn)品上實用化，但始終未在存儲器及邏輯...

2011-12-23 標簽：半導(dǎo)體封裝TSV三維封裝 5134 0

ST采用硅通孔技術(shù)實現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片

意法半導(dǎo)體率先將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳...

2011-10-19 標簽：MEMSSTTSV 1014 0

3D封裝TSV技術(shù)仍面臨三個難題

高通(Qualcomm)先進工程部資深總監(jiān)Matt Nowak日前指出，在使用高密度的硅穿孔(TSV)來實現(xiàn)芯片堆疊的量產(chǎn)以前，這項技術(shù)還必須再降低成本...

2011-10-14 標簽：TSV3D封裝 2613 0