電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發(fā)布公告，宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗(yàn)證
2012-11-14 15:32:29
1076 20nm能讓我們超越什么？對(duì)于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會(huì)帶給我們什么樣的科技進(jìn)步？20nm FPGA背后到底蘊(yùn)藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341317 臺(tái)積電（TSMC）的高管對(duì)即將來(lái)臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺(tái)積電CEO張忠謀上周就曾做過(guò)一個(gè)預(yù)測(cè)，他說(shuō)最新的20nm工藝芯片2014年的成績(jī)會(huì)比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:45699 TSV技術(shù)應(yīng)用即將遍地開(kāi)花。隨著各大半導(dǎo)體廠商陸續(xù)將TSV立體堆疊納入技術(shù)藍(lán)圖，TSV應(yīng)用市場(chǎng)正加速起飛，包括影像感應(yīng)器、功率放大器和處理器等元件，皆已開(kāi)始采用；2013年以后，3D TSV技術(shù)更將由8寸晶圓逐漸邁向12寸晶圓應(yīng)用。
2013-01-27 10:25:003306 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的28nm突破性技術(shù)基礎(chǔ)之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2013-01-31 15:52:16893 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141742 臺(tái)積電的20nm芯片生產(chǎn)設(shè)施或?qū)⑴c本月20日開(kāi)始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進(jìn)入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:26910 Altera公司今天宣布，公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件，在收發(fā)器技術(shù)上樹(shù)立了另一關(guān)鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術(shù)的20 nm器件，該成果證實(shí)了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:431249 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術(shù)開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171397 Mentor CEO認(rèn)為：進(jìn)入20nm、14/16nm及10nm工藝時(shí)代后，摩爾定律可能會(huì)失效，每個(gè)晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導(dǎo)致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會(huì)更加嚴(yán)峻。
2013-09-20 10:06:001635 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產(chǎn)品系列，并提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)文檔和Vivado?設(shè)計(jì)套件支持。
2013-12-10 22:50:33935 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會(huì)采用臺(tái)積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會(huì)采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會(huì)在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:431870 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整并（Consolidation）現(xiàn)象將更加明顯。半導(dǎo)體晶圓制造商的資本密集度在20納米（nm）及其以下的制程之后，將呈現(xiàn)更驚人的倍數(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，因此能負(fù)擔(dān)如此巨額資本資出（CAPEX）的廠商家數(shù)愈來(lái)愈少，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備商、IC設(shè)計(jì)業(yè)者加速展開(kāi)購(gòu)并，以力鞏市場(chǎng)勢(shì)力版圖。
2014-01-21 09:15:10885 蘋果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動(dòng)處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風(fēng)頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對(duì)此，外媒傳來(lái)消息稱，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級(jí)為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:182462 昨日臺(tái)積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡(jiǎn)稱16FF+）工藝已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號(hào)稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在率先量產(chǎn)20nm UltraScale系列產(chǎn)品之后，全球領(lǐng)先的All Programmable解決方案提供商賽靈思最近又推出了全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D IC和MPSoC產(chǎn)品。再次實(shí)現(xiàn)了遙遙領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)。
2015-03-04 09:47:261887 據(jù)報(bào)道AMD明年代號(hào)“北極群島”的GPU家族將完全跳過(guò)有問(wèn)題的20nm工藝節(jié)點(diǎn)，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn)，希望實(shí)現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501150 GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE)，總算是邁入了1Xnm的大關(guān)。
2015-09-21 08:54:46838 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採(cǎi)用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場(chǎng)邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56673 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國(guó)巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級(jí)（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級(jí)4GB
2016-10-20 10:55:481662 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會(huì)量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會(huì)在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過(guò)10nm節(jié)點(diǎn)，他們下一個(gè)高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權(quán)，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171073 因應(yīng)快速成長(zhǎng)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)，英特爾宣布推出Intel Cyclone 10可編程邏輯閘陣列(FPGAs)系列產(chǎn)品，均采用臺(tái)積電20納米先進(jìn)制程生產(chǎn)。
2017-02-28 08:39:12839 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭(zhēng)，無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:491675 本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究了TSV的電學(xué)特性，結(jié)果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:432748 
此前曾經(jīng)報(bào)道ARM的下一代架構(gòu)Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝，不過(guò)就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401463 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：“熟悉FPGA行業(yè)和對(duì)賽靈思有一定了解的業(yè)界人士都知道，賽靈思在28nm技術(shù)上取得了多項(xiàng)重大突破， 其產(chǎn)品組合處于整整領(lǐng)先一代?；?8nm技術(shù)突破之上的20nm產(chǎn)品系列
2012-11-19 09:27:483587 三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
使用STM32_Programmer_CLI構(gòu)建鏡像，可以根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv安裝到板子上， 同樣，從sd卡啟動(dòng)時(shí)，是否可以使用命令根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv將構(gòu)建的鏡像安裝
2022-12-16 08:39:14
著手開(kāi)始芯片設(shè)計(jì)?？蛻粢呀?jīng)開(kāi)始試用測(cè)試硅片?，F(xiàn)在需要提出的問(wèn)題是，20 nm芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品代對(duì)于系統(tǒng)供應(yīng)商意味著什么。這一節(jié)點(diǎn)也僅僅只是摩爾定律發(fā)展的另一個(gè)臺(tái)階嗎?對(duì)于SoC用戶，它會(huì)帶來(lái)很大
2014-09-01 17:26:49
方法制造的，并伴有各種電鍍輪廓的調(diào)整。通過(guò)X射線設(shè)備和掃描電子顯微鏡（SEM）觀察并表征圖像。結(jié)果表明，優(yōu)化的濺射和電鍍條件可以幫助改善TSV的質(zhì)量，這可以解釋為TSV結(jié)構(gòu)的界面效應(yīng)。
2021-01-09 10:19:52
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號(hào)嗎？ 謝謝， 何魯麗 ＃運(yùn)算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
GlobalFoundries正式宣布兼并新加坡特許半導(dǎo)體
GlobalFoundries昨天正式宣布，與新加坡特許半導(dǎo)體制造公司的合并已經(jīng)正式完成，二者將以GlobalFoundries的品牌開(kāi)始一體化運(yùn)營(yíng)
2010-01-15 09:43:50779 
GLOBALFOUNDRIES合并特許半導(dǎo)體，真正的全球性代工廠誕生
GLOBALFOUNDRIES公司宣布與特許半導(dǎo)體制造公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）已正式合并了業(yè)務(wù)，開(kāi)始以GLOBALFOUNDR
2010-01-19 08:57:16801 臺(tái)積電又跳過(guò)22nm工藝 改而直上20nm
為了在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過(guò)22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:16867 GlobalFoundries和Qualcomm簽訂代工協(xié)議
Qualcomm擴(kuò)充了代工廠商，宣布將與GlobalFoundries簽署代工協(xié)議。
此前，GlobalFoundries稱有意為Qualcomm提供45nm低功耗和28nm代工
2010-01-08 12:24:20682 3D-IC設(shè)計(jì)者希望制作出高深寬比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，從而設(shè)計(jì)出更小尺寸的通孔，以減小TSV通孔群在硅片上的占用空間，最終改進(jìn)信號(hào)的完整性。事實(shí)上，當(dāng)前傳統(tǒng)的TSV生產(chǎn)供應(yīng)鏈已落后于ITRS對(duì)其的預(yù)測(cè)。
2011-01-14 16:10:401719 
GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測(cè)試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設(shè)計(jì)工具。此次試制的測(cè)試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111269 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新?，F(xiàn)在我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">20nm和14nm。我認(rèn)為我們?cè)趤喸邮澜缰行凶叩么_實(shí)很艱難。轉(zhuǎn)換到新工藝所帶來(lái)的價(jià)格優(yōu)勢(shì)已經(jīng)開(kāi)始模糊
2011-12-18 14:21:13807 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場(chǎng)展示20nm的模擬和數(shù)碼設(shè)計(jì)技術(shù)。Sondrel在歐洲不同國(guó)家，以及以色列和中國(guó)有強(qiáng)大的設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，包括前端，驗(yàn)證，DFT等全套設(shè)計(jì)服務(wù)。
2012-02-23 09:49:46994 中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:401323 晶圓代工巨擘臺(tái)積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點(diǎn)提供單一製程，這與該公司過(guò)去針對(duì)不同製程節(jié)點(diǎn)均提供多種製程服務(wù)的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441076 2012年4月27日訊 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達(dá)到了一個(gè)重要的里程碑。在其位于美國(guó)紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開(kāi)始
2012-04-28 09:15:031294 GlobalFoundries 公司正在仔細(xì)考慮其 20nm 節(jié)點(diǎn)的低功耗和高性能等不同製程技術(shù)，而在此同時(shí)，多家晶片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來(lái)臨的 3D IC ，以及進(jìn)一步往 7nm 節(jié)點(diǎn)發(fā)
2012-05-06 11:06:351252 據(jù)報(bào)道，2012年臺(tái)積電準(zhǔn)備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預(yù)算中的一部分。去年，臺(tái)積電的R&D預(yù)算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會(huì)用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預(yù)計(jì)
2012-05-15 10:18:21675 南韓媒體朝鮮日?qǐng)?bào)、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開(kāi)始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501077 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開(kāi)與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點(diǎn)和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺(tái)積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺(tái)積電28nm工藝節(jié)點(diǎn)制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11636 Altera公司昨日公開(kāi)了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)。延續(xù)在硅片融合上的承諾，Altera向客戶提供終極系統(tǒng)集成平臺(tái)，以結(jié)合FPGA的硬件可編程功能、數(shù)字信號(hào)處理器和微
2012-09-07 09:25:04657 每一代硅片新技術(shù)既帶來(lái)了新機(jī)遇，也意味著挑戰(zhàn)，因此，當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術(shù)亦是如此。 Altera在 20nm 制造節(jié)點(diǎn)的
2012-09-07 09:41:08477 臺(tái)積電積極開(kāi)發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)下，未來(lái)1~2年內(nèi)有機(jī)會(huì)獨(dú)吞蘋果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評(píng)估，臺(tái)積電明年第1季開(kāi)始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061048 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461758 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14914 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設(shè)計(jì)五大挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101077 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開(kāi)的20nm創(chuàng)新技術(shù)展開(kāi)調(diào)查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構(gòu)3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:581992 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關(guān)于摩爾定律的經(jīng)濟(jì)活力問(wèn)題，有很多的討論。在過(guò)去的一年中，20nm節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到這個(gè)辯論的前沿和中心。無(wú)論說(shuō)辭如何，包括賽靈思在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521196 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：臺(tái)積電28nm良率大幅提升的利好還沒(méi)被市場(chǎng)徹底消化， FPGA業(yè)界雙雄 已爭(zhēng)先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢(shì)將愈演愈烈
2012-11-30 11:51:231865 據(jù)《韓國(guó)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺(tái)積電的20nm，雙方的長(zhǎng)期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號(hào)麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺(tái)積電之手。
2012-12-07 17:00:14839 20nm節(jié)點(diǎn)在是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭(zhēng)議。本文深入探究20 nm技術(shù)的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。
2012-12-14 11:37:542656 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領(lǐng)先一代的優(yōu)勢(shì)，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進(jìn)使其保持領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的優(yōu)勢(shì)？詳見(jiàn)本文
2013-01-10 09:33:43961 臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171257 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（NASDAQ:CDNS）近日宣布，GLOBALFOUNDRIES已攜手Cadence?，為其20和14納米制程提供模式分類數(shù)據(jù)
2013-05-13 10:20:02768 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:503807 （TWSE： 2330， NYSE： TSM）生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首款20nm產(chǎn)品，同時(shí)也是可編程邏輯器件（PLD）產(chǎn)業(yè)首款20nm All Programmable 產(chǎn)品。賽靈思UltraScale?器件采用
2013-11-12 11:24:051214 017年20nm、16nm及以下的先進(jìn)工藝將成為主流，這對(duì)我們?cè)O(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)是一個(gè)很大的啟示：我們?cè)趺礃舆m應(yīng)全球先進(jìn)工藝。
2013-12-16 09:40:211925 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認(rèn)證Cadence實(shí)體驗(yàn)證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術(shù)的客制/類比、數(shù)位與混合訊號(hào)設(shè)計(jì)實(shí)體signoff。同時(shí)
2014-03-25 09:33:50862 2014年12月22日，中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:13967 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其Virtex? UltraScale? 20nm FPGA已應(yīng)用于JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。
2015-04-09 11:13:25857 Storage Technology（SST）與先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強(qiáng)化型（LPx）/RF平臺(tái)的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）產(chǎn)品已通過(guò)全面認(rèn)證并開(kāi)始投放市場(chǎng)。
2015-05-18 14:48:301429 幾個(gè)星期之前在2015OFC展上，JDSU 推出了基于20nm UltraScale全可編程器件的預(yù)標(biāo)準(zhǔn)ONT 400G以太網(wǎng)測(cè)試平臺(tái)。新的測(cè)試平臺(tái)采用了JDSU成功的ONT測(cè)試平臺(tái)結(jié)構(gòu)，其率先
2017-02-09 04:56:33245 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中，功耗成為需要考慮的第一設(shè)計(jì)要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來(lái)直面功耗設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文描述了在未來(lái)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來(lái)降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:005058 以賽靈思 20nm UltraScale 系列的成功為基礎(chǔ)，賽靈思現(xiàn)又推出了全新的 16nm UltraScale+ 系列 FPGA、3D IC 和 MPSoC，憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D 和多處理SoC（MPSoC）技術(shù)，再次領(lǐng)先一代提供了遙遙領(lǐng)先的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。
2017-02-11 16:08:11660 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡(jiǎn)單的講，就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:482962 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來(lái)好消息，上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:18
12 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV622， TSV622A， TSV623， TSV623A， TSV624， TSV624A， TSV625， and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 20nm會(huì)延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢(shì)，但是要付出成本代價(jià)。2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展，進(jìn)一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問(wèn)題，在一個(gè)封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點(diǎn)也增加了體系結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度。目前為止，它也是功耗管理最復(fù)雜的節(jié)點(diǎn)。
2017-09-15 09:54:3010 在28nm技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點(diǎn)的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場(chǎng)推出的首款采用UltraScale技術(shù)
2018-01-12 05:49:45706 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn)，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過(guò)個(gè)人電腦（PC）客戶認(rèn)證，本月開(kāi)始出貨，為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后，再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng)，明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng)，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734 在制程推進(jìn)到10nm以內(nèi)后，研發(fā)難度也越來(lái)越大，這點(diǎn)從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries（格羅方德，格芯）的7nm
2018-08-29 08:31:00773 邏輯制程 采用ARM下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP，適合低電壓應(yīng)用 “55nm LPe 1V”平臺(tái)專為實(shí)現(xiàn)超低功耗，更低成本及更優(yōu)設(shè)計(jì)靈活性而優(yōu)化 GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的 55
2018-09-25 09:24:02279 ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個(gè)電源的時(shí)序或按照預(yù)定順序開(kāi)啟各電源
2019-07-24 06:16:001618 賽靈思UltraScale架構(gòu)：行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)，可從20nm平面晶體管結(jié)構(gòu) （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴(kuò)展。
2019-12-18 15:30:23801 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302184 在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強(qiáng)與IC設(shè)計(jì)公司合作，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風(fēng)險(xiǎn)。
2020-09-08 14:11:272024 根據(jù)報(bào)道，華為將在國(guó)內(nèi)建設(shè)一家45nm制程工藝起步的芯片工廠，計(jì)劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造28nm的芯片，并在2022年底之前為5G設(shè)備供應(yīng)20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:302770 據(jù)etnews報(bào)道，SK海力士已開(kāi)始在其位于韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過(guò)并未透露
2021-01-20 18:19:202146 晶體管是器件中提供開(kāi)關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來(lái)，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí)，平面晶體管開(kāi)始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進(jìn)。
2021-03-22 11:35:242074 據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱，臺(tái)積電的每片晶圓銷售價(jià)格從亞10nm工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，其中3nm的晶圓價(jià)格高達(dá)20,000美元。
2022-11-23 11:35:081699 和關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)上 , 對(duì)其中深孔刻蝕、氣相沉積、通孔填充、 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)等幾種關(guān)鍵工藝設(shè)備進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)在確保滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下不同設(shè)備的選型應(yīng)用及對(duì)設(shè)備安裝的廠 務(wù)需求提出了相關(guān)建議，同時(shí)對(duì) TSV 設(shè)備做出國(guó)產(chǎn)化展望。
2023-02-17 10:23:531010 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544128 TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成TSV的先進(jìn)封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設(shè)計(jì)與制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團(tuán) sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來(lái)制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57331
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