今年6月份,晶圓代工龍頭企業(yè)TSMC(臺積電)召開了股東常會,揭露了先進(jìn)制程技術(shù)的最新進(jìn)展。其中,7nm已經(jīng)在今年四月開始試產(chǎn),預(yù)期良品率改善將相當(dāng)迅速。5nm工藝則預(yù)計(jì)于2019年上半年試產(chǎn),如今也已擇地準(zhǔn)備建廠了。
半導(dǎo)體行業(yè)離我們似乎很遙遠(yuǎn),F(xiàn)inFET是什么東西,EUV又是什么新技術(shù),每次看到這種相關(guān)的新聞都讓我們?nèi)缤评镬F里,不知所謂。其實(shí)它離我們很近,無論是FinFET還是EUV都是為了完善制程工藝所做的努力。而一款處理器的性能表現(xiàn)、散熱效率、功耗等等都和制程息息相關(guān)。
今天,筆者就從制程談起,聊聊手機(jī)處理器的這些事。
●16nm、10nm,這些數(shù)字到底是啥?
說起這個(gè)話題,我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實(shí)這些數(shù)值所代表的都是一個(gè)東西,那就是處理器的蝕刻尺寸,簡單的講,就是我們能夠把一個(gè)單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
手機(jī)處理器不同于一般的電腦處理器,一部手機(jī)中能夠給它留下的尺寸是相當(dāng)有限的。蝕刻尺寸越小,相同大小的處理器中擁有的計(jì)算單元也就越多,性能也就越強(qiáng)。這也是為何廠商會頻繁強(qiáng)調(diào)處理器制程的原因。
同時(shí),因?yàn)殡S著頻率的提升,處理器所產(chǎn)生的熱量也隨之提高,而更先進(jìn)的蝕刻技術(shù)另一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)就是可以減小晶體管間電阻,讓CPU所需的電壓降低,從而使驅(qū)動它們所需要的功率也大幅度減小。所以每一代的新產(chǎn)品不僅是性能大幅度提高,同時(shí)還有功耗和發(fā)熱量的降低。
綜合以上,可以發(fā)現(xiàn)處理器的制程對于手機(jī)十分重要,更高的性能帶來更流暢的游戲體驗(yàn),而一個(gè)保持正常溫度的機(jī)身更是能保證大家擁有一個(gè)良好的使用體驗(yàn)。一次制程的升級,帶來了散熱效果與計(jì)算性能的雙重提升。
無論什么電子產(chǎn)品,CPU都稱得上是核心部件
●手機(jī)制程的發(fā)展和性能永遠(yuǎn)在一起
所以手機(jī)性能不斷提升的今天,半導(dǎo)體行業(yè)功不可沒。從32nm的Exynos 4412到如今10nm的Exynos 8895才過去了不到5年,可是手機(jī)的性能提升卻是數(shù)以倍計(jì)的。屏幕分辨率的提升,鏡頭像素的提升,這些其實(shí)都與手機(jī)性能息息相關(guān)。只有更高的運(yùn)算速度支持,我們才能支持更大分辨率的圖像輸出,更強(qiáng)的相機(jī)算法。
目前的手機(jī)處理器大部分交由兩家廠商代工。除了上文中提到的臺積電之外,還有就是三星。它們兩者也一直在你追我趕,毫不放松。三星剛推出32nm工藝,臺積電就緊追不舍放出28nm新制程。這邊剛拿出16nm方案,那邊就宣布14nm即將投入商用。
沒有競爭就沒有發(fā)展,正是因?yàn)閮杉抑g互有勝負(fù)的不斷角逐,才能讓手機(jī)行業(yè)不至于類似電腦處理器那般陷入“擠牙膏”一般的提升節(jié)奏。這不,我們的10nm芯片還沒用上多久,三星的8nm,臺積電的7nm已經(jīng)爭著發(fā)布了。
采用了最新10nm技術(shù)的驍龍835
●在制程之下,其實(shí)還有更多的博弈
說了這么多,處理器的制程真的這么重要嗎?以蘋果為例,當(dāng)初一直選擇三星作為自家處理器代工廠的蘋果為何在iPhone 7/Plus選擇了臺積電的16nm工藝而放棄了三星的14nm技術(shù),自然是因?yàn)樵?6/14nm這一制程上臺積電的工藝更加成熟完善。
當(dāng)初兩個(gè)版本的A9處理器,蘋果分別選擇了三星和臺積電各自代工生產(chǎn)了一版,而臺積電略強(qiáng)于三星的表現(xiàn),想來也是蘋果在iPhone 7上徹底倒戈臺積電的原因之一吧。
不過除了制程之外,其實(shí)廠商需要考慮的還有更多。Helio X30是聯(lián)發(fā)科在年初的MWC上發(fā)布的新一代旗艦級處理器,而且搶在了三星高通之前率先使用了10nm工藝。
可惜,前期新的生產(chǎn)工藝下良品率并不理想,而如今臺積電又要為了完成蘋果的A11訂單火力全開。同樣由它代工的X30就難免產(chǎn)能不足,這個(gè)被聯(lián)發(fā)科寄予厚望的芯片我們至今仍未得一見。
傳聞華為的麒麟系列處理器也即將發(fā)布新品
●5nm,3nm,或者干脆量子計(jì)算?
其實(shí)半導(dǎo)體蝕刻尺寸發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)很吃力,每個(gè)原子的大小約為0.1nm,在10nm的情況下,一條線只有不到100顆原子,在制作上相當(dāng)困難,而且只要有一個(gè)原子的缺陷,像是在制作過程中有原子掉出或是有雜質(zhì),就會因?yàn)榱孔有?yīng)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象,影響產(chǎn)品的良率。
FinFET技術(shù)概念圖
其實(shí)制程的瓶頸我們早已遇到,當(dāng)初憑借將電晶體的平面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為立體結(jié)構(gòu),也就是FinFET(鰭式場效電晶體)的使用,我們突破桎梏,迎來了10nm制程的時(shí)代。而從10nm往后,處理器的發(fā)展就寄托于新的蝕刻工藝—極紫外光刻(EUV),用更小更鋒利的“手術(shù)刀”來切割出更小的電晶體結(jié)構(gòu)。
目前看來,蘋果的下一代產(chǎn)品A11使用的將依然是10nm的工藝,那么究竟誰會搶先帶來更新更好的制程工藝,是臺積電的7nm還是三星的8nm,首發(fā)處理器又將花落誰家?我們拭目以待。
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