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Transaction Model主要是將BUS連在了一起。這些模塊之間不再是兩兩互聯(lián)，而是根據(jù)架構(gòu)設(shè)計(jì)通過(guò)BUS Arbiter連接。需要注意的是這個(gè)地方Arbiter還是功能級(jí)的實(shí)現(xiàn)。這個(gè)步驟可以驗(yàn)證地址空間是不是對(duì)的，互聯(lián)是不是通的等等。...
在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中，模塊接口信號(hào)的描述是一件非常重要的事情，好的描述既能夠方便他人理解，又能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。比如說(shuō)，互聯(lián)信號(hào)描述互相檢查的時(shí)候能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)理解不一致。...
對(duì)于多目標(biāo)流片，die 的排列上要預(yù)留至少 80μm（具體要咨詢(xún)封裝廠(chǎng)）的劃片槽間距。盡量在橫豎兩個(gè)方向上劃片能一刀到底（即盡量不要交錯(cuò)排布芯片）；...
超異構(gòu)芯片是具有高水平的系統(tǒng)集成，以實(shí)現(xiàn)先進(jìn)汽車(chē)的可擴(kuò)展性和更低成本的支持集中式 ECU。關(guān)鍵核心包括具有標(biāo)量和矢量?jī)?nèi)核的下一代 DSP，專(zhuān)用深度學(xué)習(xí)的NN計(jì)算核和傳統(tǒng)算法加速器。...
PDK是芯片設(shè)計(jì)流程中與EDA工具一起使用的特定于代工廠(chǎng)的數(shù)據(jù)文件和腳本文件的集合。PDK的主要組件是模型，符號(hào)，工藝文件，參數(shù)化單元（PCell）和規(guī)則文件。...
氮化鋁的導(dǎo)熱率較高，室溫時(shí)理論導(dǎo)熱率最高可達(dá)320W/(m·K)，是氧化鋁陶瓷的8～10倍，實(shí)際生產(chǎn)的熱導(dǎo)率也可高達(dá)200W/(m·K)，有利于LED中熱量散發(fā)，提高LED性能；...
這是一種在通電情況下，用萬(wàn)用表直流電壓擋對(duì)直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進(jìn)行測(cè)量；檢測(cè)IC各引腳對(duì)地直流電壓值，并與正常值相比較，進(jìn)而壓縮故障范圍， 出損壞的元件。...
而現(xiàn)代集成電路一般使用MOS管，其本質(zhì)是一個(gè)壓控開(kāi)關(guān)。壓指的就是柵極的電壓，而它控的就是源極和漏極之前的電流。既然叫做開(kāi)關(guān)，那就需要有一個(gè)區(qū)別開(kāi)態(tài)與關(guān)態(tài)的狀態(tài)。...
一般半導(dǎo)體器件的能帶圖往往是一種混合空間。即橫坐標(biāo)是實(shí)空間的位置，縱坐標(biāo)是能量空間或者k空間的標(biāo)度。通過(guò)能帶圖可以非常容易地定性判斷電子空穴的分布和運(yùn)動(dòng)情況。...
趨勢(shì)1：EDA正朝著特定領(lǐng)域的方向發(fā)展，那么特定領(lǐng)域的設(shè)計(jì)對(duì) EDA 工具開(kāi)發(fā)人員和用戶(hù)有什么影響？...
在TAB和FCB中也存在WB中的部分失效問(wèn)題，同時(shí)也有它們自身的特殊問(wèn)題，如由于芯片凸點(diǎn)的高度-致性差，群焊時(shí)凸點(diǎn)形變不一-致，從面造成各焊點(diǎn)的 鍵合強(qiáng)度有高有低;由于凸點(diǎn)過(guò)低，使集中于焊點(diǎn)周?chē)臒釕?yīng)力過(guò)大，而易造成鈍化層開(kāi)裂;...
過(guò)去，性能、功率和成本之間的權(quán)衡主要由大型 OEM 在行業(yè)范圍的擴(kuò)展路線(xiàn)圖范圍內(nèi)定義。芯片制造商設(shè)計(jì)芯片以滿(mǎn)足這些 OEM 提出的狹窄規(guī)格。...
這篇文章科普一下整個(gè)制造流程。技術(shù)部分應(yīng)該比較少，所以我們講點(diǎn)兒故事。管中窺豹，我們的故事不妨從臺(tái)積電展開(kāi)。...
集成電路的歷史、產(chǎn)業(yè)分工、分類(lèi)、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試等方面，多維度全面解讀集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)技術(shù)。...
Perl腳本能夠高效批量化操作，降低錯(cuò)誤率，提高效率。如批量生成verilog代碼，快速生成仿真testbench，verilog代碼的自動(dòng)對(duì)齊，module模塊的例化連接。...
這是一個(gè)關(guān)于系統(tǒng)構(gòu)成和芯片架構(gòu)的高層次描達(dá)文件，涉及芯片的高層次操作、引腳分配與定義、軟件編程模型、可測(cè)性、寄存器定義以及應(yīng)用模型等。...
既然要優(yōu)化功耗，我們先看看功耗是怎么造成的?，F(xiàn)代大規(guī)模集成電路里面廣泛用的是CMOS, Complementary Mosfet, 互補(bǔ)的晶體管。...
隨著 N3E、N4P 和 3DFabric 工藝的發(fā)布，新的獨(dú)特設(shè)計(jì)要求要求進(jìn)行新的認(rèn)證，以確保同時(shí)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)人員的系統(tǒng)要求和 TSMC 的工藝要求，從而縮短上市時(shí)間。...
先確定大IC芯片，找datasheet，看其關(guān)鍵參數(shù)是否符合自己的要求，哪些才是自己需要的關(guān)鍵參數(shù)，以及能否看懂這些關(guān)鍵參數(shù)，都是硬件工程師的能力的體現(xiàn)，這也需要長(zhǎng)期地慢慢地積累。...
在IC設(shè)計(jì)中，進(jìn)行需要對(duì)關(guān)鍵信號(hào)的特定狀態(tài)進(jìn)行計(jì)數(shù)，方便debug時(shí)進(jìn)行狀態(tài)判斷。如對(duì)流控、反壓等信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)。有時(shí)候需要進(jìn)行判斷，是高電平計(jì)數(shù)還是低電平計(jì)數(shù)。...
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