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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。...
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。...
具體的在版圖設(shè)計(jì)中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來(lái)看看吧...
與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)...
逐次逼近，顧名思義，多次轉(zhuǎn)換和Bit計(jì)算中，A/D數(shù)字碼輸出逐漸逼近輸入值。其算法核心就是“二分搜索（Binary Search）”，該算法能夠高效快速的接近目標(biāo)值。...
二極管是很常見的電子元器件，有兩個(gè)極，即陰極和陽(yáng)極，二極管具有單向?qū)щ娦?，電流只能從?yáng)極流向陰極，電壓反向時(shí)二極管截止。...
當(dāng)發(fā)射結(jié)小于開啟電壓，集電結(jié)反偏，此時(shí)Ib和Ic幾乎都為零，集電結(jié)反向偏置再?gòu)?qiáng)也沒用，此時(shí)Ube太小，發(fā)射區(qū)不能發(fā)送電子到基區(qū)，或者發(fā)送很少電子到基區(qū)，也就是不能形成明顯集電極電流。...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。...
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。...
隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)，電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng)，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。...
近年來(lái)，新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí)，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件(圖2)，IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫形式，是絕緣柵雙極型晶體管。與以前的各種電力電...
相對(duì)于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。...
早期的硅晶體管共發(fā)射極電流增益 β 值很低，而且不同樣品的 β 值變化很大。對(duì)于良好的硅生長(zhǎng)結(jié)晶體管樣品，β 的范圍可能在 5 到 15 之間。鑒于這些有源元件的缺點(diǎn)，電子電路工程師在設(shè)計(jì)電路中犯了難，主要表現(xiàn)在電路不穩(wěn)定，或者電路放大倍數(shù)偏差比較大。...
雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。...
太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。...
運(yùn)算放大器和電壓比較器在原理符號(hào)上確實(shí)是一樣的，都有5個(gè)引腳，其中兩個(gè)引腳為電源+和電源-，還有兩個(gè)引腳為同相輸入端（+）和反向輸入端（-），最后一個(gè)引腳是輸出端。...
差分放大器和運(yùn)算放大器都是常見的電子元件，它們?cè)陔娐分邪缪葜煌慕巧?。本文將介紹差分放大器和運(yùn)算放大器的區(qū)別。...
晶閘管（Thyristor）是一種具有四層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為可控硅。它由兩個(gè)PN結(jié)、一個(gè)門極和一個(gè)控制極組成，具有四層結(jié)構(gòu)。晶閘管的工作原理是利用門極信號(hào)對(duì)控制極施加不同的電壓，從而控制晶閘管的導(dǎo)通角度，實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。...
二極管和三極管是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娮与娐分卸加兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹二極管和三極管的區(qū)別。...
可控硅（Thyristor，縮寫為SCR）和場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，縮寫為FET）是兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于半導(dǎo)體器件，但它們之間存在著一些顯著的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別。...
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