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根據(jù)采樣定理，超過(guò)奈奎斯特頻率的輸入信號(hào)頻率為“混疊”頻率。也就是說(shuō)，這些頻率被“折疊”或復(fù)制到奈奎斯特頻率附近的其它頻譜位置。為防止混疊，必須對(duì)所有有害信號(hào)進(jìn)行足夠的衰減，使得ADC不對(duì)其進(jìn)行數(shù)字化。欠采樣時(shí)，混疊可作為一種有利條件。...
最基礎(chǔ)的鎖相環(huán)系統(tǒng)主要包含三個(gè)基本模塊：鑒相器（Phase Detector：PD）、環(huán)路濾波器（L00P Filter：LF）其實(shí)也就是低通濾波器，和壓控振蕩器（Voltage Controlled Oscillator：VCO）。有了這三個(gè)模塊的話，最基本的鎖相環(huán)就可以運(yùn)行了。但我們實(shí)際使用過(guò)程...
能按限定的范圍削平信號(hào)電壓波幅的電路，又稱(chēng)限幅器或削波器。限幅電路常用于：①整形，如削去輸出波形頂部或底部的干擾；②波形變換，如將輸出信號(hào)中的正脈沖削去，只留下其中的負(fù)脈沖；③過(guò)壓保護(hù)，如強(qiáng)的輸出信號(hào)或干擾有可能損壞某個(gè)部件時(shí)，可在這個(gè)部件前接入限幅電路。...
只要記住Uo = A * （Up-Un）和“虛短”、“虛斷”，理想運(yùn)放的電路都能看懂。這里先不要糾結(jié)為什么會(huì)是這樣，有機(jī)會(huì)后面會(huì)介紹。這里先介紹一個(gè)最簡(jiǎn)單的運(yùn)放電路：反相比例放大電路。...
一般情況下，在將運(yùn)算放大器的輸入端連接到放大器，使用“反相”或“非反相”輸入端放大單個(gè)輸入信號(hào)，而另一個(gè)輸入端接地。由于標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器具有反相和無(wú)反相兩個(gè)輸入，因此我們也可以同時(shí)將信號(hào)連接到這兩個(gè)輸入，從而產(chǎn)生另一種常見(jiàn)的運(yùn)算放大器電路，稱(chēng)為差分放大器。...
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或 6×8mm QFN 封裝中，用于交流電或400V 直流電的輸入應(yīng)用。...
二極管是一種雙端半導(dǎo)體器件，只允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)。這些存在于不同的應(yīng)用中，如整流器、鉗位器、剪刀等。...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類(lèi)型，通又稱(chēng)為 NMOS與 PMOS。。...
通用二極管在我們的電路設(shè)計(jì)中非常實(shí)用，價(jià)格低而且性能穩(wěn)定，當(dāng)前的通用二極管已經(jīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，而且隨著國(guó)產(chǎn)化的廠家不斷推出新產(chǎn)品，價(jià)格還在不斷降低，很多國(guó)產(chǎn)的二極管封裝和大廠的封裝兼容，實(shí)現(xiàn)pin TO pin替換，非常方便。今天和大家分享一下二極管選型和設(shè)計(jì)的一些注意事項(xiàng)。...
最大平均正向整流電流IF（AV）（Maximum Average Forward Rectifird Current）：1N4007的最大正向電流為1安培（A），表示在正向工作時(shí)，二極管可以承受流過(guò)二極管的最大電流，這是有溫度條件的，如果不同溫度下，這個(gè)參數(shù)會(huì)有一定變化，因此設(shè)計(jì)時(shí)不能按照滿值1A去...
窄帶物聯(lián)網(wǎng)（Narrow Band Internet of Things, NB-IoT）是IoT領(lǐng)域一種新興技術(shù)，支持低功耗設(shè)備在廣域網(wǎng)的蜂窩數(shù)據(jù)連接，也被叫作低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)。...
可能許多人在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電路設(shè)計(jì)中會(huì)發(fā)現(xiàn)，我們很難調(diào)整相位補(bǔ)償，如果調(diào)整得當(dāng)，對(duì)于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的變動(dòng)，可以抑制調(diào)節(jié)器振蕩或輸出電壓的大幅波動(dòng)。...
肖特基二極管也被稱(chēng)為阻塞二極管，因?yàn)樗柚闺娏鞣聪蛄鲃?dòng)；可用作放電保護(hù)。例如，在應(yīng)急閃光燈中，在超級(jí)電容器和直流電機(jī)之間使用了一個(gè)肖特基二極管，以防止超級(jí)電容器通過(guò)直流電機(jī)放電。...
目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類(lèi)型相對(duì)較多，常見(jiàn)的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類(lèi)型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類(lèi)型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。...
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開(kāi)始發(fā)展起來(lái)，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用場(chǎng)景。...
二極管常見(jiàn)的封裝類(lèi)型，DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等，相信大家都很熟悉。...
集成運(yùn)算放大器的電路可分為輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)和偏置電路四個(gè)基本組成部分(圖1)...
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱(chēng)為雪崩能量[Avalanche energy]，流過(guò)的電流稱(chēng)為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。...
規(guī)格書(shū)中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí)，通過(guò)這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書(shū)中，一些參數(shù)的測(cè)試條件（也就是得到這些參數(shù)的先決條件）是很關(guān)鍵的。很多時(shí)候，雖然是同一類(lèi)元件，不同供應(yīng)商的測(cè)試條件不同，參數(shù)值也會(huì)有差異。...
二極管是用作單向開(kāi)關(guān)的兩端電子設(shè)備/組件，即它們只允許電流沿一個(gè)方向流動(dòng)。這些二極管使用硅、鍺和砷化鎵等半導(dǎo)體材料制造。...
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