一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。

• 晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別

  晶體管是一種三層器件，由三個PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成。PN結(jié)是由不同材料的半導(dǎo)體單元（P型材料和N型材料）焊接在一起形成的一個結(jié)，它有兩個區(qū)域，一個是P區(qū)，一個是N區(qū)，P區(qū)和N區(qū)之間形成了空間電荷區(qū)，筑起一道屏障，把兩邊的自由載流子分開，因此，在PN結(jié)形成的空間電荷區(qū)內(nèi)沒有載流子流動，也即空間電荷區(qū)在兩邊阻攔了...

  3753次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體場效應(yīng)管晶體管PN結(jié)

• 晶體管和晶閘管的區(qū)別

  晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。...

  2163次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體元器件晶閘管晶體管

• 功率放大器和運算放大器的區(qū)別 功率放大器需要連成負(fù)反饋嗎

  功率放大器側(cè)重于對信號功率的放大，以驅(qū)動大功率負(fù)載，而運算放大器則側(cè)重于電壓信號的放大和數(shù)學(xué)運算，用于實現(xiàn)信號處理和精確的電路控制。它們在電路設(shè)計和應(yīng)用中具有不同的功能和特性。...

  3997次閱讀 · 0評論 放大器功率放大器運算放大器反饋信號

• 什么是D/A轉(zhuǎn)換器？D/A轉(zhuǎn)換器的基本形式

  D/A轉(zhuǎn)換器(Digital-to-Analog Converter, DAC)是指將數(shù)字(Digital)量轉(zhuǎn)換為模擬(Analog)量的元器件。...

  6937次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器元器件cpudac數(shù)字量
  

• mosfet選型要考慮哪些因素？

  功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。...

  660次閱讀 · 0評論 MOSFETcpu控制芯片鋰電池保護(hù)板
  

• 功率MOSFET選型指南

  俗話說“人無遠(yuǎn)慮必有近憂”，對于電子設(shè)計工程師，在項目開始之前，器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇最適合自己需要的器件，才能保證項目的成功。...

  1026次閱讀 · 0評論 MOSFET封裝MOS功率器件N溝道功率MOSFETp溝道
  

• MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

  由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。...

  1191次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETIGBT開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗
  

• IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點

  今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)...

  5915次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體MOS管IGBT晶體管開關(guān)器件
  

• IGBT模塊/IPM的安全運行設(shè)計方案

  由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時有變窄的傾向，需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運行模式加以保護(hù)以免模塊受損。...

  1717次閱讀 · 0評論 保護(hù)電路IGBTIPM柵極驅(qū)動
  

• 三極管在基極為什么會下拉一個電阻呢？

  三極管屬于電流型驅(qū)動元器件，因此一般在基極都會串一個限流電阻，一般小于等于10K，但是在基極為什么會下拉一個電阻呢？舉例說明。...

  3445次閱讀 · 0評論 下拉電阻MOS管寄生電容電容充放電NPN三極管
  

• SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

  MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。...

  745次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管碳化硅米勒電容
  

• 電源防反電路的四種電路設(shè)計方案

  上電瞬間，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，系統(tǒng)形成回路，源極S的電位大約是0.7V，而柵極G的電位為Vbat，MOS管的開啟電壓極為：Ugs=Vbat-Vs,柵極表現(xiàn)為高電平，NMOS的ds導(dǎo)通，寄生二極管被短路，系統(tǒng)通過NMOS的DS接入形成回路，若電源接反，NMOS的導(dǎo)通電壓為0，NMOS截止，寄生二...

  1258次閱讀 · 0評論 二極管MOS管PMOS寄生二極管防反電路
  

• 功率電子器件封裝工藝有哪些

  封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝，主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作為模塊集成的核心環(huán)節(jié)，封裝材料、工藝和結(jié)構(gòu)直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。...

  2675次閱讀 · 0評論 IGBT功率器件半導(dǎo)體器件功率電子
  

• TVS管的4種關(guān)鍵電壓有哪些？

  瞬態(tài)電壓抑制器：Transient Voltage Suppressor，一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。其他的，百度百科解釋了一大堆，我就不搬運了。小伙伴自行研究，總之，這個器件能吸收瞬態(tài)能量，能扛靜電的瞬態(tài)干擾！...

  4839次閱讀 · 0評論 ESDTVS管瞬態(tài)干擾瞬態(tài)電壓抑制器
  

• 為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢？

  對于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。...

  1593次閱讀 · 0評論 升壓轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管CCMPFC電源igbt芯片
  

• SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

  始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。...

  1382次閱讀 · 0評論 MOSFET電阻器IGBTSiC碳化硅
  

• SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

  率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。...

  2295次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBTSiC功率元器件
  

• ADC分辨率和精度的差異，別再混為一談了

  分辨率和精度—即Resolution和Accuracy。這是兩個不同的參數(shù)，卻經(jīng)常被混用。...

  3311次閱讀 · 0評論 模數(shù)轉(zhuǎn)換器RMSSNR數(shù)字信號電平ADC采樣
  

• 關(guān)于模擬技術(shù)的27個基礎(chǔ)知識的排列組合

  所謂頻率補償，就是指提高或降低某一特定頻率的信號的強度，用來彌補信號處理過程中產(chǎn)生的該頻率的減弱或增強，常用的有負(fù)反饋補償、發(fā)射極電容補償、電感補償?shù)取?..

  533次閱讀 · 0評論 放大器三極管反饋電路甲類功放有源濾波器
  

• 紅外線發(fā)射管工作原理是什么 紅外發(fā)射管主要參數(shù)介紹

  紅外發(fā)射管由GaAIAs（鎵、鋁、砷化合物）或GaAs（鎵、砷化合物）制成PN結(jié)，正向偏壓向PN結(jié)注入電流后激發(fā)紅外光，其光譜分布在830nm-950nm。市面上紅外發(fā)射管的波長主要有850nm、940nm。850nm的輻射強度比940nm的輻射強度高2-3倍，因此850nm的紅外發(fā)射管在工作時人眼...

  3441次閱讀 · 0評論 遙控器紅外遙控器發(fā)射管紅外發(fā)射管
  
首頁上一頁3334353637下一頁末頁