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書接上回。上回講了“靜態(tài)工作點(diǎn)”這個(gè)對(duì)放大電路非常重要的參數(shù)，這回我們來說說別的對(duì)放大電路非常重要的參數(shù)。...
前面我們做了“超簡單的三極管功放電路”、“更好一點(diǎn)的簡單功放電路”、“簡單的三極管放大助聽器電路”這幾個(gè)電路。大家可能發(fā)現(xiàn)了，這幾個(gè)電路用到的都是三極管的放大功能。...
前提是在使用錦綸線或托帶捆綁電解電容的同時(shí)，先在電容器被捆綁部位的底部（與印制板的貼合面），和頂部預(yù)先涂上液態(tài)膠，待膠液尚未固化之前實(shí)施“緊固”，實(shí)現(xiàn)“液態(tài)濕安裝”。安裝完畢膠液固化后，就形成了下有“襯墊”，上有“卡箍”，天衣無縫，且無安裝應(yīng)力的緊固結(jié)構(gòu)。這種工藝過程中，使用GD414膠即可。...
將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓的必要性常常是工業(yè)、醫(yī)療甚至家庭領(lǐng)域眾多應(yīng)用的核心。...
恒流二極管或CCD是一種特殊類型的二極管，允許其最大限值的恒定電流量。...
BL3701_BL3702_BL3704(簡稱BL370X)是上海貝嶺推出的系列軌到軌、高帶寬、低噪聲運(yùn)算放大器，工作電壓支持2.1V-5.5V。BL370X系列運(yùn)放具有高達(dá)12MHz的高增益帶寬，低至0.25mV的低失調(diào)電壓以及6.5nV/√Hz @1kHz的低噪聲，是低噪聲系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想選擇，B...
“Di”=兩個(gè)，“ **Ode”=** 電極，即具有兩個(gè)電極的器件或組件，即陽極“+”（P）和陰極 **“-”** （N）。...
本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對(duì)開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對(duì)比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。...
隔離作用：也就是防反接，相當(dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管，導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降，會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，在正向?qū)〞r(shí)，在G極加合適的電壓，可以讓MOS管飽和導(dǎo)通，這樣通過電流時(shí)，幾乎不產(chǎn)生壓降。...
整流橋在電力電子拓?fù)渲械膽?yīng)用中，具備的特點(diǎn)包括：較低的導(dǎo)通壓降VF；反向恢復(fù)時(shí)間長；較強(qiáng)的浪涌能力。...
用于控制外部設(shè)備的I2C總線主接口，例如EEPROM和安全I(xiàn)C等； 8.具備周期喚醒功能； 9.具備反向喚醒功能，在發(fā)生故障時(shí)通過菊花鏈喚醒主機(jī)MCU； 10.支持SPI或隔離菊花鏈通信（TPL3）的主機(jī)接口； ? 2Mbit/s的TPL接口；...
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。...
在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場(chǎng)上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。...
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。...
三極管全稱是“晶體三極管”，也被稱作“晶體管”，是一種具有放大功能的半導(dǎo)體器件。通常指本征半導(dǎo)體三極管，即BJT管。...
我們?cè)谶x擇的電容的時(shí)候，經(jīng)常碰到的容值是2.2uF、470nF、680uF、100nF這幾個(gè)常見的值。數(shù)值并沒有電阻那么豐富。下圖是某個(gè)比較全面的元器件銷售網(wǎng)站的部分可選容值。其實(shí)最常見的還是：1、2.2、3.3、4.7、6.8開頭的這幾個(gè)選項(xiàng)。從括號(hào)中表示選擇的型號(hào)數(shù)量，也可以看出規(guī)律。...
電源電壓（VCC）– 運(yùn)算放大器正常工作時(shí)，兩個(gè)電源引腳之間的電壓差。...
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。...
碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時(shí)間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率密度的提升等優(yōu)勢(shì)。...
二極管是一種半導(dǎo)體電子器件，屬于雙極器件的一種。它是由一個(gè)P型半導(dǎo)體和一個(gè)N型半導(dǎo)體組成的，對(duì)于N型半導(dǎo)體來說，其材料具有過量電子，被稱為“多子”，而P型半導(dǎo)體則對(duì)應(yīng)著少子，“空穴”，在兩者結(jié)合處會(huì)形成電子所在的區(qū)域，稱為P-N結(jié)。...
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