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肖特基二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開關(guān)電源或SMPS,其工作頻率超過20 kHz。...
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部,挖出來的溝槽里面,叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu),對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。...
橫向型MOSFET,又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET,結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。...
某產(chǎn)品EMC輻射騷擾測試超標(biāo),通過近遠場掃描配合定位分析,逐步找出騷擾源、傳播路徑,最終通過修改 PCB 走線切斷傳播路徑解決此問題。...
電容器是以靜電形式儲存能量的基本電子元件。它們有無數(shù)的用途,包括大量的能量儲存、平滑電子信號,以及作為計算機的存儲單元。...
數(shù)電和模電到底什么?單片機的IO口處理的是什么?硬件通訊是怎么來完成的?...
MOS管開關(guān)電路 但是這個電路的缺點也是顯而易見,由于MOS管有一個寄生的二極管,如果CD5V的濾波電容過大,或者后端有別的電壓串進來,會把前端給燒壞!...
繼電器的選用原則參見表 1,在表中“必須確定”欄中有“”號的項目被確定之后,就可選定一款繼電器。如果有進一步的要求,需要進一步考慮“參考”欄中有“”號的相應(yīng)項目。...
碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料,SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢,是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無法比擬的,應(yīng)用前景十分廣闊,是核心器件發(fā)展需要的關(guān)鍵材料,由于其加工難度大,一直未能得到大規(guī)模推廣應(yīng)用。...
本期,我們接著介紹運放關(guān)鍵指標(biāo)最后一部分,主要分為開環(huán)電壓增益、增益帶寬積和-3dB帶寬、壓擺率和建立時間。...
對于任何一個器件,在使用之前,無論是生產(chǎn)方還是使用方都會進行充分的驗證,以確定產(chǎn)品的性能是否符合相應(yīng)的需求。...
Ga2O3技術(shù)成熟的一個主要障礙是器件過熱。對于Ga2O3溝槽器件,盡管與[010]溝槽側(cè)壁相比,[100]溝槽側(cè)壁的熱導(dǎo)率(kT[010])更高,但具有[100]溝槽的Ga2O3溝槽器件很少被采用。...
由低電容規(guī)格決定的變?nèi)荻O管或變電容二極管的高頻應(yīng)用領(lǐng)域很少是可調(diào)帶通濾波器、自動頻率控制器件、參數(shù)放大器和FM調(diào)制器。...
變?nèi)荻O管,也稱為變電容,VVC(電壓可變電容或調(diào)諧二極管),是一種半導(dǎo)體二極管,當(dāng)器件反向偏置時,其p-n結(jié)上具有可變電壓相關(guān)電容。...
MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計上具有非常大的創(chuàng)新性。...
讓該管工作在放大狀態(tài),測Ube電壓(基極與發(fā)射極的電壓),如果電壓Ube=0.2~0.3V(歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了4/5)則是鍺管,如果Ube=0.6~0.7V(歐姆檔指針偏轉(zhuǎn)了1/2--3/5)則是硅管。...
開路集電極開關(guān)和開路發(fā)射極開關(guān)也叫負載串聯(lián)型開關(guān),前者是負載串聯(lián)在集電極,后者是負載串聯(lián)在發(fā)射極。...
三極管是電流型元件,利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓,然后通過控制電流大小,使晶體管工作在不同的區(qū)。...
國產(chǎn)芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器,壓擺率高達5500V/μs,上升時間僅為545ps,因而非常適合用作脈沖放大器。...
負載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān),使用更加廣泛,無論是輕負載還是重負載,電路幾乎沒有額外電流損耗。...