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集成運(yùn)放是由多級(jí)直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國(guó)仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來(lái)，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...
集成運(yùn)放是由多級(jí)直接耦合放大電路組成的高增益模擬集成電路。自從1964年美國(guó)仙童公司研制出第一個(gè)單片集成運(yùn)算放大器μA702以來(lái)，集成運(yùn)算放大器得到了廣泛的應(yīng)用。...
電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓，電源電壓必須在3V以上，否則輸出信號(hào)會(huì)失真（削波）。為了確保源極偏置電流，在R4上需要有電壓存在，例如1V或者更多。因此合計(jì)起來(lái)，電源電壓至少在4V以上。當(dāng)前例子中，此電壓取值為15V。...
下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少？此時(shí)交流信號(hào)是不存在的，即V2=0V。...
下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖，左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過(guò)漏極和源極之間的部分稱(chēng)為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管（PN結(jié)），所以稱(chēng)為結(jié)型FET。...
MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓 (U=Q/C)，將管子損壞。...
硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式，是實(shí)現(xiàn)千級(jí)IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來(lái)在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得到快速應(yīng)用。...
二極管的物理結(jié)構(gòu)有兩種，一種是普通的P-N結(jié)，一種是金屬半導(dǎo)體結(jié)...
引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫(xiě)，具有高速和低損耗的特性，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。...
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。...
對(duì)普通整流二極管來(lái)講，只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下，瞬間電壓高于二極管反向擊穿電壓值時(shí)，就可能產(chǎn)生電壓損傷參數(shù)衰減或完全擊穿短路開(kāi)路的情況。 對(duì)保護(hù)二極管來(lái)說(shuō)，就是電路中存在高于器件保護(hù)電壓的，造成保護(hù)器件連續(xù)導(dǎo)...
驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率（最小脈寬）相對(duì) IGBT 開(kāi)關(guān)頻率（占空比范圍）不足，或輔助電源平均輸出功率不足，導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致的后果是，驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng)，系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。...
今天開(kāi)始，繼續(xù)總結(jié)模擬電子技術(shù)典型電路的仿真。...
不斷增長(zhǎng)的電力需求創(chuàng)造了對(duì)太陽(yáng)能的巨大需求，可以公平地說(shuō)，二極管使太陽(yáng)能系統(tǒng)的使用成為可能和高效。事實(shí)上，太陽(yáng)能電池只不過(guò)是一個(gè)光敏二極管，當(dāng)太陽(yáng)光照射在其上時(shí)會(huì)產(chǎn)生電流。但是撇開(kāi)太陽(yáng)能電池使用帶有太陽(yáng)能電池和面板的常規(guī)二極管是非常必要的。...
前面介紹了OCL電路的結(jié)構(gòu)及工作原理，發(fā)現(xiàn)在OCL電路中存在不足，即交越失真，其本質(zhì)是輸入波形在零點(diǎn)附近時(shí)，晶體管進(jìn)入死區(qū)而使輸出波形出現(xiàn)失真。...
前面介紹了功率放大電路的常見(jiàn)類(lèi)型及要求。今天以O(shè)CL電路為例，說(shuō)明功放電路的分析方法。...
簡(jiǎn)單聊聊功率放大電路，它以輸出較大功率為目的，可直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，比如電子擴(kuò)音器、自動(dòng)控制系統(tǒng)中的執(zhí)行機(jī)構(gòu)等。...
前面，我們了解到負(fù)反饋有不同的類(lèi)型。那么問(wèn)題來(lái)了，為何要?jiǎng)澐诌@么多類(lèi)型？這要從負(fù)反饋對(duì)放大電路的性能影響說(shuō)起。...
近年來(lái)，SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬帶隙（WBG）功率半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快，但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。...
上一期小編對(duì)運(yùn)放的概念做了一個(gè)初步的講解，虛斷和虛短的概念大家都掌握了嗎？今天開(kāi)始，小編將會(huì)花費(fèi)幾期時(shí)間，和大家重點(diǎn)介紹運(yùn)放的關(guān)鍵參數(shù)，這也是大家了解運(yùn)放并能靈活使用運(yùn)放的關(guān)鍵，我愿稱(chēng)之為運(yùn)放最核心的內(nèi)容。...
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