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• 使用SiC FET替代機械斷路器的固態(tài)解決方案

  機械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續(xù)降低。...

  1093次閱讀 · 0評論 MOSFET斷路器IGBTFETSiC
  

• 深入理解微分、積分電路或PID控制思路原理

  充電過程的電容C1可等效成一個可變電阻，C1開始充電時的容抗為0，電壓不可突變則電壓為0，運放-輸入端得到的分壓為正最大峰值，于是Uo為運放的負最大峰值，隨著電容充滿電，U0逐漸變?yōu)?。...

  659次閱讀 · 0評論 電容運算電路積分電路PID控制
  

• NPN型三極管的工作原理及電路設(shè)計

  NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)，三極管是電子電路中最重要的器件，他主要的功能是電流放大和開關(guān)的作用。...

  7046次閱讀 · 0評論 三極管單片機NPN
  

• 淺談GaN 異質(zhì)襯底外延生長方法

  HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。...

  877次閱讀 · 0評論 GaNGaN晶體管

• 如何設(shè)計一個較好的電路驅(qū)動繼電器？

  三極管驅(qū)動單個繼電器線圈，如使用BC817，在使用三極管驅(qū)動繼電器的時候，必須在繼電器兩端加上鉗位二極管，已達到去除繼電器關(guān)閉瞬間產(chǎn)生的瞬態(tài)高電壓沖擊...

  3236次閱讀 · 0評論 繼電器二極管驅(qū)動電路
  

• 多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)

  當晶體管尺寸縮小時，多晶硅內(nèi)摻雜物的擴散效應(yīng)可能會影響器件的性能。...

  2274次閱讀 · 0評論 CMOS多晶硅場效應(yīng)管晶體管LDD接口
  

• 什么是運算放大器？

  許多教材和參考指南將 運算放大器 (運放)定義為可以執(zhí)行各種功能或操作(如放大、加法和減法)的專用集成電路(IC)。 雖然我同意這個定義，但仍需注重芯片的 輸入引腳的電壓 。...

  1239次閱讀 · 0評論 集成電路運算放大器運放晶體管FET
  

• 1個二極管是怎么改變電流的？

  別小看一個二極管，雖然二極管的原理很簡單，但是其在電路中的作用是非常大的，二極管的電路中的用途也非常廣。 二極管屬于一個PN結(jié)，最基本的特性是單向?qū)щ娦裕驅(qū)?，反向截至?下圖為一些常見的二極管實物，單個二極管只有兩個有用的引腳，三個引腳以上封裝的二極管可能是內(nèi)部集成了多個二極管或有的引腳懸空。...

  916次閱讀 · 0評論 二極管電流整流二極管PN結(jié)引腳
  

• MOS管的基礎(chǔ)知識

  場效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（又叫絕緣柵型場效應(yīng)管）。...

  1249次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應(yīng)管MOS管晶體管FET
  

• 核芯互聯(lián)12/14/16BIT 8通道DAC產(chǎn)品介紹

  核芯互聯(lián)發(fā)布8通道12/14/16bit8通道DAC產(chǎn)品CL4258, CL4458, CL4658, 該系列產(chǎn)品是低功耗，8通道，12/14/16位緩沖電壓輸出DAC（數(shù)模轉(zhuǎn)換器），采用4.5 V至5.5 V單電源供電，通過設(shè)計保證單調(diào)性。...

  3901次閱讀 · 0評論 dac衰減器數(shù)模轉(zhuǎn)換器上電復(fù)位核芯互聯(lián)
  

• 一文詳解功率半導(dǎo)體

  功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機控制器的心臟。電機控制器、電機和減速器一起組 成電動汽車的電力驅(qū)動總成。...

  4385次閱讀 · 0評論 電力電子器件功率開關(guān)電機控制器功率半導(dǎo)體
  

• IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡介

  對于工程設(shè)計人員來講，IGBT芯片的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是，系統(tǒng)設(shè)計時，這些性能能夠發(fā)揮出來多少，就要看“封裝“了，畢竟夏天穿著棉襖工作任誰也扛不住，因此，對于怕熱的IGBT芯片來講，就是要穿得“涼快”...

  1020次閱讀 · 0評論 電動汽車封裝逆變器芯片設(shè)計IGBT
  

• 功率放大器在Lamb波的耐壓結(jié)構(gòu)損傷識別研究中的應(yīng)用

  在不考慮環(huán)境噪聲的情況下，利用壓電傳感器實時激發(fā)Lamb波并監(jiān)測結(jié)構(gòu)響應(yīng)，經(jīng)過數(shù)據(jù)收集和處理，從而判斷損傷參數(shù)。...

  421次閱讀 · 0評論 功率放大器壓電傳感器Lamb波
  

• 肖特基二極管有什么特別之處

  肖特基二極管是一種特殊類型的二極管，其主要特點是具有低電壓降和快速開關(guān)速度。這意味著它可以在高頻率下進行快速開關(guān)操作，并且能夠在低電壓下實現(xiàn)高效電源管理。你真的會用肖特基二極管嗎？跟其他的二極管相比，肖特基二極管又有什么特別之處？下面，我們一起來劃重點吧！...

  514次閱讀 · 0評論 二極管電源管理緩沖器RC肖特基二極管

• 汽車電子系統(tǒng)中關(guān)于TVS二極管的應(yīng)用

  在汽車電子中，CAN 通訊口、電源入口，往往可能因為閃電雷擊、發(fā)動機點火脈沖而遭受很高的尖峰脈沖電壓，如果能量不能被吸收，高電壓就可能對設(shè)備內(nèi)部造成永久性損害。...

  477次閱讀 · 0評論 元器件汽車電子CANTVS二極管
  

• 車規(guī)級零漂移運算放大器GS8331Q1產(chǎn)品特性

  GS8331Q1特點在于保證其他參數(shù)不變差的情況下，降低了運放芯片的最低工作電壓，產(chǎn)品最低工作電壓可以從之前的2.5V降到1.8V，提高整機的待機時間。...

  889次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器

• 三菱電機成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

  三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備。樣品于5月31日開始發(fā)售。該新結(jié)構(gòu)芯片有望幫助實現(xiàn)鐵路牽引等電氣系統(tǒng)的小型化和節(jié)能化，促進直...

  800次閱讀 · 0評論 芯片MOSFET三菱電機SiC功率模塊
  

• TVS二極管保護電路原理和PCB布局技巧

  對于工程師來說，浪涌保護不僅僅是選擇合適的電源板或者拔下幾根電纜，主要涉及在 PCB 布局中放置瞬態(tài)保護組件并應(yīng)用明確的接地策略 。...

  5900次閱讀 · 0評論 二極管pcb保護電路TVS布局
  

• 晶體管三種基本接法比較

  在電子電路中，放大的對象是變化量，放大的本質(zhì)是在輸入信號的作用下，通過有源元件（晶體管或場效應(yīng)管）對直流電源的能量進行控制和轉(zhuǎn)換，使負載從電源中獲得的輸出信號能量比信號源向放大電路提供的能量大的多。...

  1689次閱讀 · 0評論 放大電路晶體管負載電源電子電路
  

• 了解IGBT模塊

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度...

  1456次閱讀 · 0評論 三極管封裝IGBT晶體管BJT
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