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MOS類型高低邊開(kāi)關(guān)固有其優(yōu)勢(shì),比如壓降小,損耗低,控制簡(jiǎn)易,使用場(chǎng)景也比BJT類型的高低邊開(kāi)關(guān)廣泛...
受限于MOS管的驅(qū)動(dòng)閾值,在許多的應(yīng)用場(chǎng)景中無(wú)法直接使用MCU或者SOC的GPIO電平驅(qū)動(dòng)MOS的導(dǎo)通與關(guān)斷,此時(shí)需要在MOS的G極處增加一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路,實(shí)現(xiàn)GPIO電平可以驅(qū)動(dòng)MOS。...
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。...
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來(lái)看看不同類型的負(fù)載開(kāi)關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開(kāi),由外部啟用信號(hào)控制開(kāi)關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。...
基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開(kāi)關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流,由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管...
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。...
需要通過(guò)負(fù)載開(kāi)關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開(kāi)有幾個(gè)原因,一個(gè)非常簡(jiǎn)單和常見(jiàn)的原因是,它有助于節(jié)省電力。...
引言:當(dāng)傳統(tǒng)設(shè)備與使用較小電平的新設(shè)備連接時(shí),需要進(jìn)行邏輯電平轉(zhuǎn)換。...
THS4032CDGN是超低電壓噪聲、高速電壓反饋放大器,適用于 需要 低電壓噪聲的應(yīng)用,包括通信和成像應(yīng)用。...
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的,平面型和溝槽型。...
本文開(kāi)始,我們介紹下項(xiàng)目中設(shè)計(jì)的并行LVDS高速DAC接口設(shè)計(jì),包括DAC與FPGA硬件接口設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)等。...
鉗位電路和限幅電路之間的主要區(qū)別在于,限幅電路是限制輸出電壓的電路,而鉗位電路是改變輸出電壓直流電平的電路。限幅電路和鉗位器路的工作原理完全相反。...
在一系列選定的瞬間對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行取樣,然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量,并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。...
一般的放大電路,增益達(dá)到40-60dB就很不錯(cuò)了。但是考慮到電路的穩(wěn)定性,采用一只晶體管放大電路的增益一般希望在20dB,若要獲得更高的電壓增益,就需要考慮二級(jí)或者多級(jí)耦合放大電路了。...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。...
IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時(shí),漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。...
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因?yàn)檫@種管子是利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的,所以也叫場(chǎng)效應(yīng)三極管(FET),簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。...
輸入失調(diào)電壓(Vos)和溫漂(ΔVos/ΔT)是運(yùn)放直流參數(shù)中比較重要的參數(shù),本文主要介紹運(yùn)放的失調(diào)電壓和溫漂,幫助工程師快速理解。...
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個(gè)管腳,分別為柵極(Gate),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)的功率小,而且開(kāi)關(guān)速度...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。...