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之前，我們已經(jīng)了解到放大電路的3種工作狀態(tài)。說(shuō)來(lái)，在放大電路中有好多“3”，其核心是“3”極管，“3”極管有3個(gè)極（b極、c極、e極），這3個(gè)極為放大電路帶來(lái)3個(gè)工作狀態(tài)（飽和、截止、放大），從安全角度考慮，有3個(gè)不安全區(qū)（過(guò)壓區(qū)、過(guò)流區(qū)、過(guò)損耗區(qū)）……今天，接著介紹“3”：基本放大電路的3種組態(tài)。...
一般來(lái)說(shuō)，我們可以提高ADC采樣位數(shù)來(lái)提高ADC的信噪比，但是往往意味著ADC的成本可能也會(huì)更高。有沒(méi)有不提高位數(shù)，同樣優(yōu)化信噪比的方法呢？有的，那就是過(guò)采樣。...
隨著電子信息技術(shù)的快速發(fā)展,模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 的應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展，而各個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)于ADC的要求也不斷提高。...
在當(dāng)今的許多細(xì)分市場(chǎng)，交錯(cuò)式模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)在許多應(yīng)用中都具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。在通信基礎(chǔ)設(shè)施中，存在著一種推動(dòng)因素，使ADC的采樣速率不斷提高，以便支持多頻段、多載波無(wú)線電...
昨天，主要介紹了基本放大電路的飽和工作狀態(tài)。我們看到，飽和狀態(tài)時(shí)，BJT的B-E、C-E間近似短路（忽略二極管導(dǎo)通壓降），在后續(xù)的學(xué)習(xí)中，我們會(huì)看到這個(gè)性質(zhì)用于數(shù)字電路挺好的。...
昨天，主要介紹了基本放大電路的放大工作狀態(tài)，包括BJT放大的條件、放大工作區(qū)的特點(diǎn)、數(shù)據(jù)結(jié)果分析等。...
昨天，在進(jìn)行BJT特性測(cè)試時(shí)，得到了它的輸出特性曲線圖，如果翻開(kāi)教材，基本上講到三極管的內(nèi)容都會(huì)有這個(gè)輸出特性曲線圖，它對(duì)于三極管，或者更確切點(diǎn)說(shuō)，對(duì)于放大電路有什么實(shí)際意義？今天就來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。...
通過(guò)昨天的學(xué)習(xí)，我們知道了一個(gè)基本放大電路的結(jié)構(gòu)、放大的條件。好了，現(xiàn)在萬(wàn)事俱備，只欠“輸入交流信號(hào)”這個(gè)東風(fēng)了。...
電子學(xué)中的放大是指把微弱變化的信號(hào)“放大”為較大變化的信號(hào)，放大電路的核心元件是晶體三極管（BJT）或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），我會(huì)在后續(xù)內(nèi)容中說(shuō)明兩種元件的區(qū)別。...
逆變器是將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）的電力設(shè)備，由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電，而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸...
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽(yáng)能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)镾iC MOSFET開(kāi)關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵诙搪愤^(guò)程中SiC MOSFET的高短路電流會(huì)產(chǎn)生極高的熱量，因此SiC MOSFET需要快速的短路檢測(cè)與保護(hù)。同時(shí)，...
MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管。...
今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見(jiàn)問(wèn)題和故障模式》。...
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，但它是打造高品質(zhì)和高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號(hào)的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)，替代NCE20TD60BF型號(hào)從而在市場(chǎng)中建立優(yōu)勢(shì)。...
上一期《運(yùn)放的噪聲評(píng)估的來(lái)龍去脈》詳細(xì)說(shuō)明了運(yùn)放噪聲評(píng)估的基本原理和方法，但是如果按照那一套辦法的話，有點(diǎn)太復(fù)雜了，這一節(jié)就來(lái)說(shuō)一下簡(jiǎn)單的辦法，或是說(shuō)是一些常規(guī)經(jīng)驗(yàn)。...
整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，這就是交流電的整流過(guò)程，整流電路主要由整流二極管組成。...
零漂移放大器常用于使用低幅度信號(hào)、低帶寬、要求高閉環(huán)增益的精密應(yīng)用。此類應(yīng)用包括：精密電子秤、精密電流傳感器、橋式傳感器、熱電偶傳感器、氣體傳感器、醫(yī)療儀器和精密計(jì)量設(shè)備等等。...
由于對(duì)高比特率光互連的需求不斷增長(zhǎng)，硅光子學(xué)（SiPh）技術(shù)得到了相當(dāng)多的關(guān)注。由于硅光子芯片和單模光纖（SMFs）之間的光斑尺寸差異而導(dǎo)致的低耦合效率仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。...
碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講，是比較差的，對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。...
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。...
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