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• 手把手教你用晶體管搭建邏輯門電路

  常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門電路：與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等...

  18646次閱讀 · 0評論 三極管二極管MOS管晶體管NPN管
  

• 功率半導(dǎo)體（IGBT/MOSFET）在電動汽車上的應(yīng)用

  電動汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上，怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出？...

  2417次閱讀 · 0評論 電動汽車MOSFET逆變器IGBT電機(jī)控制器
  

• 利用ADC噪聲分析進(jìn)行實(shí)際設(shè)計(jì)

  在前文中，詳細(xì)探討了 ADC 噪聲性能，從其特性和來源到如何測量和指定。 現(xiàn)在，將把前面的理論理解應(yīng)用到一個實(shí)際的設(shè)計(jì)示例中。 最終，目標(biāo)是為提供回答“我真正需要什么樣的噪聲性能？”這個問題所需的知識，讓用戶能夠輕松自信地為下一個應(yīng)用選擇 ADC。...

  803次閱讀 · 0評論 傳感器噪聲電橋adc靈敏度
  

• ADC噪聲測量方法和相關(guān)參數(shù)

  在解釋如何測量 ADC 噪聲之前，重要的是要了解，當(dāng)您查看 ADC 數(shù)據(jù)表規(guī)格時，相關(guān)指標(biāo)參數(shù)表征對象是 ADC，而不是設(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)。因此，ADC 制造商測試 ADC 噪聲的方式和測試系統(tǒng)本身應(yīng)該展示 ADC 的能力，而不是測試系統(tǒng)的限制。因此，在不同系統(tǒng)或不同條件下使用 ADC 可能會導(dǎo)致噪聲性...

  2473次閱讀 · 0評論 噪聲adc信號諧波失真信噪
  

• ADC噪聲的類型和特性

  　　本文主要對ADC的噪聲進(jìn)行分析分類，并分析了高低分辨率的ADC特性差異，以便于利用ADC特性進(jìn)行更好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。...

  2377次閱讀 · 0評論 噪聲寬帶adc電子電路傳遞函數(shù)
  

• SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2：短路保護(hù)—軟關(guān)斷

  想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)我開，你開我關(guān)...

  7183次閱讀 · 1評論 MOSFET比較器SiCVDSTTL電平
  

• 三極管是什么？它是如何工作的？

  但是和二極管不同，這三塊半導(dǎo)體有兩種組成三極管的情況：兩邊P型半導(dǎo)體，中間N型半導(dǎo)體（PNP型）和兩邊N型半導(dǎo)體，中間P型半導(dǎo)體（NPN型）。...

  1438次閱讀 · 0評論 三極管半導(dǎo)體集電極NPN管PNP管
  

• SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1：短路保護(hù)時間

  IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT）...

  4419次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET晶閘管IGBTVDS
  

• 利用二極管的溫度效應(yīng)設(shè)計(jì)溫度補(bǔ)償電路

  二極管大家都很熟悉，前面也好幾次對其工作特性分析過，具有導(dǎo)電單向性，其主要性能參數(shù)有：反向峰值電壓，正向平均電流，正向耗散功率，pn結(jié)電容、溫度效應(yīng)，一般大家都比較關(guān)心靠前的那些參數(shù)指標(biāo)，卻很少過多關(guān)注后面兩個參數(shù):pn結(jié)電容和溫度效應(yīng)，其中pn結(jié)電容這里不予展開討論，以后再將(主要是高頻信號里面才...

  6815次閱讀 · 0評論 二極管電路設(shè)計(jì)PN結(jié)溫度補(bǔ)償電路溫度效應(yīng)
  

• 二極管的單向?qū)щ娞匦?/a>

  二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向?qū)ǎ聪蚪刂沟奶匦浴?..

  5016次閱讀 · 0評論 二極管元器件PN結(jié)電子電路單向?qū)щ?/a>
  

• 二極管及其電路設(shè)計(jì)應(yīng)用(8個作用詳解）

  二極管是最簡單的雙極性半導(dǎo)體，A為正極，B為負(fù)極，具有單向?qū)щ姽δ?，電流從A流向B。...

  3105次閱讀 · 0評論 二極管半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)發(fā)光二極管伏安特性
  

• 主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

  BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。...

  14298次閱讀 · 1評論 MOSFET電壓源VDS體二極管RDS
  

• 介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

  柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd 表示柵極-漏極的電荷量，也稱米勒電荷量。...

  9739次閱讀 · 0評論 MOSFET示波器MOS管米勒電容電容充放電
  

• 介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)

  VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓，在管子工作時，這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時，VDS電壓都要降額80%選用。...

  11079次閱讀 · 0評論 MOSFET示波器IGBT隔離器VDS
  

• 如何為降壓變換器去選取合適的輸入電容呢？

  EMI的干擾和認(rèn)證在整個電力電子行業(yè)應(yīng)用中都是一個痛點(diǎn)，對于Buck型變換器而言，由于其輸入電流是斷續(xù)的...

  1830次閱讀 · 0評論 MOSFETPCB板emiBuck變換器輸入電容
  

• 你還不了解三極管推挽電路嗎？

  推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒理解這個名字是怎么來的，但是“推挽”就比較形象了。...

  851次閱讀 · 0評論 三極管推挽電路NPN管
  

• 功率器件IGBT用到的導(dǎo)熱材料機(jī)理和作用

  隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計(jì)散熱要求也隨之增加。...

  1360次閱讀 · 0評論 散熱器IGBT功率器件
  

• 分享幾個常用的電平轉(zhuǎn)換電路

  比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。...

  4416次閱讀 · 0評論 二極管上拉電阻MOS管電平轉(zhuǎn)換Vcc
  

• 國產(chǎn)24位生物電測量前端模擬芯片

  該芯片集成了便攜式低功率心電圖應(yīng)用的所有特性，內(nèi)置單通道 24 位 Delta-Sigma (ΔΣ)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 、可編程增益放大器(PGA)、內(nèi)部參考和振蕩器。...

  984次閱讀 · 0評論 振蕩器模數(shù)轉(zhuǎn)換器驅(qū)動放大器模擬芯片

• MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（2）

  Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取決于VGS的值。...

  15662次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETMOS管寄生電容直流電源
  
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