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• MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（1）

  MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。...

  6087次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOSFETNMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  

• 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET

  MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）...

  2362次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流場(chǎng)效晶體管
  

• 硅光子芯片上的聚合物光斑尺寸轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

  由于對(duì)高比特率光互連的需求不斷增長(zhǎng)，硅光子學(xué)（SiPh）技術(shù)得到了相當(dāng)多的關(guān)注。由于硅光子芯片和單模光纖（SMFs）之間的光斑尺寸差異而導(dǎo)致的低耦合效率仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問題。...

  1506次閱讀 · 0評(píng)論 轉(zhuǎn)換器led照明耦合器TEC硅光子芯片
  

• 二極管的基本應(yīng)用：門電路

  二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理，我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為門電路篇。...

  4876次閱讀 · 0評(píng)論 二極管門電路輸入信號(hào)邏輯單元與門
  

• 二極管的基本應(yīng)用：檢波電路

  二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理，我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為檢波電路篇。...

  9867次閱讀 · 0評(píng)論 二極管調(diào)制解調(diào)通信技術(shù)整流電路檢波電路
  

• 二極管的基本應(yīng)用：鉗位電路

  二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理，我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為鉗位篇。...

  4192次閱讀 · 0評(píng)論 二極管整流限幅電路鉗位電路輸入信號(hào)
  

• 二極管的基本應(yīng)用：限幅電路

  二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理，我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為限幅篇。...

  4711次閱讀 · 0評(píng)論 開關(guān)二極管整流電路限幅電路輸入信號(hào)
  

• 二極管的基本應(yīng)用：整流電路

  二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理，我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為整流篇。...

  5595次閱讀 · 0評(píng)論 二極管整流電路限幅電路交流電交流電源
  

• 運(yùn)算放大器的分析方法

  運(yùn)算放大器的本質(zhì)是一種「具有放大作用的元件」。...

  1667次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器運(yùn)放輸出阻抗開環(huán)增益虛短
  

• 一文詳解鉗位二極管和穩(wěn)壓二極管

  在模擬量采集電路設(shè)計(jì)中，如果AD芯片允許的電壓輸入范圍是0-10V，但采集信號(hào)的范圍是0-218VDC（遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10V）時(shí)，如何保證進(jìn)入AD芯片的電壓在0-10V范圍內(nèi)呢？...

  7076次閱讀 · 0評(píng)論 二極管穩(wěn)壓二極管模擬量AD芯片鉗位二極管
  

• 3000W高頻車載逆變器如何選一款好的IGBT？

  這是由于FHA75T65A的IGBT單管擁有高可靠性以及反向并行的快恢復(fù)二極管特性，Trench Field Stop technology（拖尾電流非常短、關(guān)斷損耗低、出色的Vcesat飽和壓降）、擁有正溫度系數(shù)。...

  1035次閱讀 · 0評(píng)論 二極管逆變器IGBT車載逆變器
  

• MOS管知識(shí)點(diǎn)梳理

  場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）。...

  1253次閱讀 · 0評(píng)論 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管FET
  

• IGBT結(jié)溫估算—（三）熱阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

  前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算，那么得到了損耗之后，如何轉(zhuǎn)化為溫升呢？...

  2959次閱讀 · 0評(píng)論 逆變器IGBT等效電路
  

• IGBT結(jié)溫估算—（二）IGBT/Diode損耗的計(jì)算

  IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分...

  4617次閱讀 · 0評(píng)論 二極管IGBTDiode
  

• IGBT結(jié)溫估算—（一）概述

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transist...

  2658次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電路BJT
  

• 優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的方法

  在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。...

  964次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET開關(guān)電源SiC柵極驅(qū)動(dòng)器RDS
  

• 活學(xué)活用LTspice進(jìn)行電路設(shè)計(jì)—用Laplace仿真運(yùn)放模型

  在上篇《活學(xué)活用 LTspice 進(jìn)行電路設(shè)計(jì) — 用 Voltage-controlled Voltage Source 仿真放大器》中，我們使用了 Voltage-controlled Voltage Source 仿真放大器。本文將介紹 Laplace (拉普拉斯) 方程，嘗試使用和上次不同的...

  5805次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器電路設(shè)計(jì)運(yùn)放仿真LTspice
  

• IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理

  每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍，就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn)，相比于其他大功率開關(guān)器件，IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。...

  7099次閱讀 · 0評(píng)論 場(chǎng)效應(yīng)管IGBT變流器電力晶體管鉗位二極管
  

• 場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基本放大電路分析

  FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。...

  7366次閱讀 · 0評(píng)論 放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FETBJT
  

• IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

  之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過米勒平臺(tái)...

  9899次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOSFETMOS管IGBT米勒電容
  
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