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MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說,三極管有N管和P管,同樣的,MOS管也有N型和P型。...
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)...
由于對(duì)高比特率光互連的需求不斷增長(zhǎng),硅光子學(xué)(SiPh)技術(shù)得到了相當(dāng)多的關(guān)注。由于硅光子芯片和單模光纖(SMFs)之間的光斑尺寸差異而導(dǎo)致的低耦合效率仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問題。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為門電路篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為檢波電路篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為鉗位篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡?、限幅、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為限幅篇。...
二極管的單向?qū)щ娦允蛊湓谡鳌⑾薹?、鉗位、開關(guān)、檢波和續(xù)流等電路中有著廣泛的應(yīng)用。為了讓小伙伴們更好的理解和掌握二極管的工作原理,我們將在后續(xù)推出系列專題分別討論二極管在這些功能電路中的應(yīng)用情況。本期為整流篇。...
運(yùn)算放大器的本質(zhì)是一種「具有放大作用的元件」。...
在模擬量采集電路設(shè)計(jì)中,如果AD芯片允許的電壓輸入范圍是0-10V,但采集信號(hào)的范圍是0-218VDC(遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于10V)時(shí),如何保證進(jìn)入AD芯片的電壓在0-10V范圍內(nèi)呢?...
這是由于FHA75T65A的IGBT單管擁有高可靠性以及反向并行的快恢復(fù)二極管特性,Trench Field Stop technology(拖尾電流非常短、關(guān)斷損耗低、出色的Vcesat飽和壓降)、擁有正溫度系數(shù)。...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(又叫絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)。...
前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計(jì)算,那么得到了損耗之后,如何轉(zhuǎn)化為溫升呢?...
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transist...
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。...
在上篇《活學(xué)活用 LTspice 進(jìn)行電路設(shè)計(jì) — 用 Voltage-controlled Voltage Source 仿真放大器》中,我們使用了 Voltage-controlled Voltage Source 仿真放大器。本文將介紹 Laplace (拉普拉斯) 方程,嘗試使用和上次不同的...
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。...
FET是Field effect transistor的縮寫,稱為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種,也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。...
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念,在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過米勒平臺(tái)...