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一般情況下，常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到，這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管...
一開(kāi)始我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí)，對(duì)于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個(gè)開(kāi)關(guān)器件，開(kāi)通和關(guān)斷的過(guò)程...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的高阻漂移區(qū), 大大改善了器件的導(dǎo)通特性...
推挽電路（push-pull）就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。...
汽車原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡，整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作量要保持在較低水平，同時(shí)還必須保證產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定和操作的安全性。...
HJU105A/B是一款兩線制設(shè)計(jì)類型的電流環(huán)變送器，可以配套應(yīng)用于航晶公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)的電壓輸出可編程傳感器調(diào)節(jié)器HJ309A以能夠?qū)⒐鑹鹤铇蚧驗(yàn)R射薄膜式壓力傳感器進(jìn)行信號(hào)采集。...
SC1083采用3V±10%和5V±10%單電源供電，在高速轉(zhuǎn)換的同時(shí)，依然能夠保持低功耗。SC1083采用20引腳超薄緊縮小型封裝（TSSOP），利用該并行接口，可方便地與微處理器和DSP進(jìn)行接口。...
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿?，越?lái)越得到國(guó)內(nèi)外的重視。...
正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)...
EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。...
碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動(dòng)汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng)，包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。...
所有的電子電路中基本上都會(huì)用到二極管，它的特性也是非常之多，最主要就是單方向?qū)щ娦裕▎蜗驅(qū)щ娦缘膬筛_之間的電阻分為正向電阻和反向電阻兩種）。 人們利用這些不同特性構(gòu)成各種具體的應(yīng)用電路，分析不同電路中的二極管工作原理時(shí)，要用到二極管的不同特性，選擇二極管的什么特性去分析電路是最大困難之一，只有掌...
二極管是最簡(jiǎn)單的雙極性半導(dǎo)體，A為正極，B為負(fù)極，具有單向?qū)щ姽δ?，電流從A流向B。...
運(yùn)算放大器，簡(jiǎn)稱“ 運(yùn)放 ”，是電力電子中最重要的器件之一，主要作用為：信號(hào)放大、信號(hào)運(yùn)算、信號(hào)處理、波形的產(chǎn)生和變換。...
金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長(zhǎng)光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及可控的電阻和導(dǎo)電性。這些特性使金剛石可用于各種應(yīng)用，如散熱器、加工工具、光學(xué)元件、音頻元件和半導(dǎo)體。...
文章主要是講一下關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：MOS管工作原理、MOS管封裝等知識(shí)。...
有沒(méi)有發(fā)現(xiàn)，我們每次在DCDC芯片選型時(shí)，有些DCDC芯片需要續(xù)流二極管，而有些卻不需要，這是為什么呢？原來(lái)這和DCDC芯片的整流方式有關(guān)，因?yàn)橛械腄CDC芯片是同步整流方式，而有些卻是異步整流方式。...
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式，其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度，q是電子電荷，ND是漂移區(qū)的摻雜濃度，μn是電子遷移率，εn是半導(dǎo)體介電常數(shù)，EC是所需耐壓的臨界電場(chǎng)值。...
TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。...
Buck電路，又稱降壓電路，其基本特征是DC-DC轉(zhuǎn)換電路，輸出電壓低于輸入電壓。輸入電流為脈動(dòng)的，輸出電流為連續(xù)的。...
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