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• 淺談數(shù)字光電耦合器主要參數(shù)

  數(shù)字光電耦合器（Digital Optocoupler）是一種電氣和光學(xué)隔離器件，用于將數(shù)字信號傳輸和隔離。它通常由光電二極管和光敏晶體管組成。...

  1195次閱讀 · 0評論 光敏晶體管光電二極管數(shù)字光電耦合器

• SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對策

  針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比，有效減小測量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過大 的原因，并提出3種有效應(yīng)用對策：減小柵極阻抗、采用有源米勒箝位和三級關(guān)斷串?dāng)_抑制電路。其中，減小柵極阻抗可減小感...

  6786次閱讀 · 0評論 三極管MOSFET探頭SiC串?dāng)_
  

• 淺談OLF100晶體管和OLC249光電耦合器芯片的應(yīng)用

  OLF100晶體管輸出光耦合器主要是由一個發(fā)光二極管組成，并且該發(fā)光二極管與安裝在8針密封表面安裝扁平封裝中的NPN硅光電晶體管光學(xué)耦合。...

  698次閱讀 · 0評論 晶體管光電耦合器

• 設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)

  我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。...

  1532次閱讀 · 0評論 放大器MOSFET功率放大器晶體管BJT
  

• 關(guān)于功率MOS管燒毀的原因總結(jié)

  MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導(dǎo)體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導(dǎo)體材料由于高溫而分解）。...

  1204次閱讀 · 0評論 IGBTMOS
  

• 如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

  緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。...

  687次閱讀 · 0評論 二極管IGBTPFCSiC
  

• 關(guān)于IGBT模塊可靠性測試

  作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。...

  2234次閱讀 · 0評論 IGBTSAMIGBT模塊igbt芯片FWD模型
  

• 分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

  理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。...

  1181次閱讀 · 0評論 SiC碳化硅
  

• 淺談雙匹配放大器的原理和結(jié)構(gòu)設(shè)計

  雙匹配放大器是由兩個共源極場效應(yīng)管（FET）和一個變壓器組成的。其中，變壓器通過將信號的反向峰值轉(zhuǎn)移到反向輸入端，實現(xiàn)了雙向放大。而兩個共源極場效應(yīng)管則起到了放大信號的作用。...

  487次閱讀 · 0評論 變壓器放大器場效應(yīng)管

• 增益模塊放大器的的工作原理

  增益模塊放大器是一種基礎(chǔ)的放大器類型，其工作原理主要是通過差分放大電路、共源極場效應(yīng)管等元件的組合，對輸入信號進行放大和處理，從而實現(xiàn)了信號的放大和輸出。...

  986次閱讀 · 0評論 增益放大器

• MOSFET的基本工作原理和特性

  以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性，會出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。...

  1901次閱讀 · 0評論 二極管MOSFET
  

• 淺談瞬態(tài)抑制二極管和穩(wěn)壓二極管區(qū)別

  TVS的電容由硅片的面積和偏置電壓來決定,電容在零偏情況下,隨偏置電壓的增加,該電容值呈下降趨勢。電容的大小會影響TVS器件的響應(yīng)時間。...

  2707次閱讀 · 0評論 穩(wěn)壓二極管齊納二極管抑制二極管
  

• 淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

  一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延，下游應(yīng)用于5G通訊、國防等射頻領(lǐng)域的半絕緣型襯底，主要用于制造氮化鎵射頻器件。...

  1917次閱讀 · 0評論 SiC氮化鎵碳化硅射頻器件
  

• 半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

  第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。...

  1780次閱讀 · 0評論 探測器分立器件電子制造MOCVD半導(dǎo)體工藝
  

• MOS管基礎(chǔ)知識及應(yīng)用電路分析

  當(dāng)電路中產(chǎn)生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導(dǎo)出來，不至于擊穿這個MOS管，起到保護MOS管的作用。...

  3032次閱讀 · 0評論 二極管MOS寄生二極管
  

• 茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術(shù)LD-GaN

  氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。...

  747次閱讀 · 0評論 變壓器氮化鎵GaN
  

• 直接耦合兩級放大電路的直流分析和交流分析

  在多級放大電路中，每級之間的耦合方式影響著整個多級放大電路的工作性能。而在元器件高度集成化、小型化、輕型化的半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，更小更強是發(fā)展方向，比如華為的麒麟系列處理器，每一次更新?lián)Q代都賦予我們的手機更健壯的活力。...

  7492次閱讀 · 0評論 處理器半導(dǎo)體放大電路信號晶體管
  

• 阻容耦合兩級放大電路的直流分析和交流分析

  從前面的學(xué)習(xí)中，了解到基本共射極放大電路常用于各種放大器，但是它的放大能力一般。而在實際中，經(jīng)常需要將微弱的電信號進行放大，基本放大電路是遠遠不夠的。因此常用到多級放大電路。...

  11269次閱讀 · 0評論 放大器放大電路信號晶體管集電極
  

• 共基極放大電路的直流分析和交流分析

  今天的任務(wù)比較艱巨，除了測試共基極放大電路的工作特性，我們還要對共射極、共集電極、共基極這三種組態(tài)的放大電路進行比較，從各自的工作特點說明分別適合用在哪些場合。...

  5814次閱讀 · 0評論 三極管放大電路晶體管輸入信號共基極放大電路
  

• 共集電極放大電路的直流分析和交流分析

  以發(fā)射極作為輸入回路和輸出回路的公共端，構(gòu)成了共射極放大電路；同理，以三極管的集電極作為輸入輸出回路的公共端，則將構(gòu)成共集電極放大電路，該電路與共射極放大電路有哪些區(qū)別呢？...

  5103次閱讀 · 0評論 三極管放大電路交流信號射極輸出器共射極放大電路
  
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