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• 一文了解交錯式ADC(數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器)

  今天我們將圍繞交錯式 ADC 轉(zhuǎn)換器展開。當(dāng) ADC 轉(zhuǎn)換器交錯時，兩個或多個具有定義的時鐘關(guān)系的 ADC 轉(zhuǎn)換器用于同時對輸入信號進行采樣并產(chǎn)生組合輸出信號，從而導(dǎo)致采樣帶寬為多個單獨的 ADC 轉(zhuǎn)換器。...

  1137次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器adc信號無線電數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
  

• 關(guān)于低噪放調(diào)試那些注意事項

  那個低噪放，當(dāng)時的情況是組長已經(jīng)調(diào)成功過了，但是因為用的是銦(好像是這個金屬，是可以像泥土一樣按壓的，但是遇熱就化了)，沒有像銅皮一樣焊在上面，而是靠其本身的粘性，沾在電路上。...

  880次閱讀 · 0評論 放大器低噪
  

• 一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案

  通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。...

  2154次閱讀 · 0評論 pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件陶瓷基板SiC MOSFET
  

• 運算放大器的自激震蕩

  運算放大器的自激震蕩是實際在電路設(shè)計和測試時經(jīng)常遇到的一個問題，一旦自激振蕩，那該電路一定要進行重新設(shè)計，而且持續(xù)的自激振蕩會損壞器件。...

  3756次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器電路設(shè)計正反饋自激震蕩
  

• 米勒效應(yīng)對MOSFET的危害

  對于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動過程中，會形成平臺電壓，引起開關(guān)時間變長，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。...

  4893次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETMOS管寄生電容輸入電容
  

• 一文詳解三極管和MOS管

  三極管有三個端口，分別是基極(Base)，集電極（collector）和發(fā)射極(Emitter)。...

  27791次閱讀 · 0評論 三極管MOSFETMOS管晶體管PMOS
  

• 差分放大電路對共模信號和差模信號的影響

  當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時，會在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓，從而會影響Icq，達到穩(wěn)定工作點。...

  8625次閱讀 · 0評論 晶體管差分放大電路差模信號共模信號基極電流
  

• 使用精密模擬MCU外設(shè)創(chuàng)建高價值、信號密集型設(shè)計

  使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器 （DAC） 的電機控制、無線電控制、音頻樣本生成和波形生成是需要 MCU 具有更高精度模擬功能的典型應(yīng)用。由于 MCU 不是無線電的天然配套設(shè)備，因此它們通常需要專用的高精度模擬組件或外圍設(shè)備才能在無線電信號存在時“表現(xiàn)良好”。...

  555次閱讀 · 0評論 控制器高精度無線電數(shù)模轉(zhuǎn)換器
  

• 數(shù)字電位器模擬對數(shù)錐度以準(zhǔn)確設(shè)置增益

  數(shù)字電位器 （dpots） 是無處不在的組件，具有各種封裝、電阻和分辨率。然而，除了通常的電阻與設(shè)置的線性函數(shù)之外，幾乎沒有人實現(xiàn)任何東西。這一事實給需要寬范圍（即數(shù)十倍）增益調(diào)整動態(tài)范圍的應(yīng)用帶來了麻煩。...

  805次閱讀 · 0評論 電阻封裝數(shù)字電位器
  

• 模擬開關(guān)將555定時器轉(zhuǎn)換為脈寬調(diào)制器

  本設(shè)計理念描述了一種從基于555的自由運行振蕩器產(chǎn)生可變占空比波形的新方法。該電路的寬調(diào)制范圍、對寬占空比值范圍內(nèi)的高度線性控制以及出色的線性度使其成為基于 PWM（脈寬調(diào)制）的控制應(yīng)用的理想選擇。...

  850次閱讀 · 0評論 電路振蕩器PWM
  

• 了解用于模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器的單傳輸對串行通信的新JESD204標(biāo)準(zhǔn)

  8B/10B 編碼數(shù)據(jù)對時鐘恢復(fù)電路很友好，因為它具有游程長度限制。它還適用于交流耦合，因為它是直流平衡的。8B/10B 編碼涉及將 8 位八位字節(jié)轉(zhuǎn)換為 10 位代碼組。在每個代碼組中，1 和 0 的數(shù)量之差絕不會超過兩個。通過監(jiān)測連續(xù)代碼組中 1 和 0 的數(shù)量，計算出運行差異。...

  812次閱讀 · 0評論 耦合時鐘編碼
  

• 無功負(fù)載和網(wǎng)絡(luò)如何影響模擬電路中的相移

  如果運算放大器具有阻性輸出阻抗，對于此運算放大器（LF411），單位增益約為 0.1 - 10 Ω，我們預(yù)計該電容器會導(dǎo)致高于截止頻率的 -90° 相移。讓我們看看發(fā)生了什么。...

  789次閱讀 · 0評論 電容器運算放大器阻抗
  

• 模擬運算放大器的失調(diào)電壓變化

  運算放大器內(nèi)部不可避免的組件不匹配會導(dǎo)致 0 V 差分輸入產(chǎn)生非零正或負(fù)輸出電壓。輸入失調(diào)電壓是必須施加到輸入端子之一的電壓，以補償不匹配，從而實現(xiàn) 0 V 輸入的 0 V 輸出。...

  1291次閱讀 · 0評論 運算放大器電壓仿真
  

• 什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比

  由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。...

  5073次閱讀 · 0評論 SiC氮化鎵GaN
  

• MOS管的三個二級效應(yīng)

  前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu)，符號，閾值電壓，四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式，相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解，這篇給大家介紹后續(xù)電路分析中不可缺少的MOS管的三個二級效應(yīng)。...

  5978次閱讀 · 0評論 模擬電路MOSFETMOS管NMOS管PMOS管
  

• MOS管的工作狀態(tài)以及NMOS管的I/V特性曲線

  根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例。...

  40700次閱讀 · 0評論 三極管MOS管NMOSPMOS特性曲線
  

• MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

  　首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號，表示了三個端子：柵(G)、源(S)和漏(D)。 因為這種器件是對稱的，因而可以源漏互換。 大家都知道，在...

  6382次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應(yīng)管MOS管晶體管閾值電壓
  

• 運算放大器的輸出電壓計算

  因為晶體管放大器之前已經(jīng)分析過MOSFET電路增益的計算，輸出電阻，輸入電阻的計算，還有頻率特性。 想要設(shè)計一個各項指標(biāo)滿足要求的放大電路，比較復(fù)雜。...

  26510次閱讀 · 0評論 放大器放大電路運算放大器晶體管輸出電壓
  

• 放大器的分類

  電學(xué)中能夠?qū)崿F(xiàn)信號、功率放大的器件，稱為放大器，英文為Amplifier，簡稱AMP。...

  5762次閱讀 · 0評論 放大器放大電路運算放大器運放晶體管
  

• 一文詳解三極管

  這次我們把范圍擴大到NPN和PNP倆種管子，也給大家一些例子，例子由易到難，如果全部都能答上來，那三極管這里你算是吃透了。...

  2464次閱讀 · 0評論 三極管晶體管集電極pnpNPN
  
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