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電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫(kù)為您提供最新技術(shù)文章，最實(shí)用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動(dòng)態(tài)的最佳平臺(tái)。

• 芯佰微推出四個(gè)獨(dú)立可選開關(guān)的單芯片CMOS工藝器件

  CBMG713表現(xiàn)出先斷后合的切換動(dòng)作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封裝。...

  661次閱讀 · 0評(píng)論 CMOS導(dǎo)通電阻低導(dǎo)通電阻芯佰微電子

• 集成運(yùn)算放大器LM324的使用

  本篇介紹集成運(yùn)算放大器LM324的使用...

  16107次閱讀 · 0評(píng)論 電路圖運(yùn)算放大器引腳LM324集成運(yùn)算放大器
  

• NMOS晶體管線性區(qū)導(dǎo)通電阻詳解

  NMOS晶體管工作在線性區(qū)時(shí)，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對(duì)這種阻性連接進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。...

  4750次閱讀 · 0評(píng)論 電流NMOS電壓導(dǎo)通電阻晶體管
  

• 運(yùn)算放大器的基本參數(shù)

  定義：使運(yùn)算放大器輸出端為0V(或接近0V)所需加于兩輸入端之間的補(bǔ)償電壓。...

  5476次閱讀 · 0評(píng)論 運(yùn)算放大器差分放大器晶體管共模信號(hào)偏置電流
  

• 典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析

  Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問題需要關(guān)注。...

  578次閱讀 · 0評(píng)論 emiIGBT晶體管SiC MOSFET

• 二極管為什么不能并聯(lián)使用？

  二極管是一種半導(dǎo)體器件，是電子學(xué)中最基本的元件之一。它具有單向?qū)щ娦再|(zhì)，只能讓電流在一個(gè)方向上流動(dòng)。...

  3139次閱讀 · 0評(píng)論 二極管電子電路半導(dǎo)體器件漏電流

• 如何測(cè)量運(yùn)算放大器的輸入電容以盡可能降低噪聲

  必須確保測(cè)量精度不受PCB或測(cè)試裝置的雜散電容和電感影響。您可以通過使用低電容探頭、在PCB上使用短連接線，并且避免在信號(hào)走線下大面積鋪地來盡可能規(guī)避這些問題。...

  584次閱讀 · 0評(píng)論 pcb噪聲運(yùn)算放大器輸入電容電子電路

• 三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處

  說實(shí)話，這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn)，考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中，很少看到三極管工作在放大區(qū)。...

  1061次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路集電極PMOS
  

• MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

  當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。...

  2461次閱讀 · 0評(píng)論 二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET失效機(jī)理雪崩失效
  

• ?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

  絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。...

  2850次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管IGBT晶體管半導(dǎo)體器件電壓驅(qū)動(dòng)

• 高速ADC基礎(chǔ)知識(shí)

  本文的目的是介紹高速ADC相關(guān)的理論和知識(shí)，詳細(xì)介紹了采樣理論、數(shù)據(jù)手冊(cè)指標(biāo)、ADC選型準(zhǔn)則和評(píng)估方法、時(shí)鐘抖動(dòng)和其它一些通用的系統(tǒng)級(jí)考慮。 另外，一些用戶希望通過交織、平均或抖動(dòng)(dithering)技術(shù)進(jìn)一步提升ADC的性能。...

  2265次閱讀 · 0評(píng)論 芯片接口adcdac時(shí)鐘抖動(dòng)
  

• 三極管做電子開關(guān)的原理及用法

  　三極管是一種電流放大器件，一般是用來放大電流或者作為電子開關(guān)使用，我這里主要以電子開關(guān)這種用法進(jìn)行說明。...

  5236次閱讀 · 0評(píng)論 三極管電流集電極電子開關(guān)NPN型
  

• 簡(jiǎn)單介紹繼電器A/B/C/D形式的電路

  它控制兩個(gè)電路，即一個(gè)電路保持打開而另一個(gè)保持閉合。它也被稱為“先斷后合”繼電器，因?yàn)樗葦嚅_一個(gè)電路，然后再閉合另一電路。...

  4111次閱讀 · 0評(píng)論 繼電器

• 晶體管是三極管嗎？三極管在電源里都有哪些應(yīng)用場(chǎng)景

  截止區(qū)“三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)?！蔽耶?dāng)時(shí)就特別討厭用正偏反偏這個(gè)詞，已經(jīng)有三個(gè)極需要去記憶了，又來個(gè)正反偏。...

  2138次閱讀 · 0評(píng)論 三極管晶體管雙極晶體管

• 氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

  氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開發(fā)。...

  740次閱讀 · 0評(píng)論 肖特基二極管SiCGaN功率半導(dǎo)體氧化鎵

• 半導(dǎo)體的常規(guī)散熱方法 車用功率MOSFET熱管理設(shè)計(jì)

  頂部散熱元件除了布局優(yōu)勢(shì)外，還具有明顯的散熱優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@種封裝允許熱量直接耗散到組件的引線框架。鋁具有高熱導(dǎo)率（通常在100~210W/mk之間），因此最常用的散熱器是鋁制的。...

  2141次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET功率設(shè)計(jì)

• 如何避免MOSFET常見問題和失效模式

  今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。...

  1382次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFETIGBT晶體管功率器件Infineon

• MOSFET內(nèi)部二極管--逆變器應(yīng)用

  在下一個(gè)AC周期中，極性反轉(zhuǎn)，電流如藍(lán)色箭頭所示經(jīng)過體二極管D4，電池D2并流回FINISH或變壓器繞組的負(fù)極。這會(huì)不斷重復(fù)，將兩個(gè)AC周期都轉(zhuǎn)換為DC并為電池充電。...

  1168次閱讀 · 0評(píng)論 二極管MOSFET逆變器

• 通過自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍

  當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí)，工程師面臨兩種選擇：使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案，不過這兩種選擇的成本可能都很高。...

  717次閱讀 · 0評(píng)論 MOSFET運(yùn)算放大器跟隨器雙電源信號(hào)

• SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性

  碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。...

  2675次閱讀 · 0評(píng)論 轉(zhuǎn)換器電源逆變器碳化硅
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