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• 阻抗不匹配時，有哪些辦法讓它匹配呢？

  負(fù)載阻抗等于信源內(nèi)阻抗的共軛值，即它們的模相等而輻角之和為零。這時在負(fù)載阻抗上可以得到最大功率。這種匹配條件稱為共軛匹配。如果信源內(nèi)阻抗和負(fù)載阻抗均為純阻性，則兩種匹配條件是等同的。...

  6667次閱讀 · 0評論 阻抗匹配信號傳輸晶體管放大器

• 低噪聲放大器選型指南

  當(dāng)針對低噪聲應(yīng)用評估放大器的性能時，內(nèi)部噪聲源和外部噪聲源都必須考慮。 本文簡要探討有關(guān)內(nèi)部和外部噪聲的基本原理，并指出在為低噪聲設(shè)計選擇最佳放大器時涉及到的權(quán)衡問題。...

  1383次閱讀 · 0評論 放大器電阻電磁干擾噪聲源低噪聲

• 淺談Mos損壞主要原因和Mos開關(guān)原理

  os是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。...

  3185次閱讀 · 0評論 MOS管MOS開關(guān)管

• IGBT的工作原理、作用及選型要求

  IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個極控制。 如圖1，IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電，使IGBT關(guān)斷。 由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，...

  2937次閱讀 · 0評論 MOSFET變頻器IGBT晶體管pnp

• 安森美碳化硅芯片的設(shè)計進(jìn)展及技術(shù)分析

  減小了電場集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān)，同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。...

  1483次閱讀 · 0評論 MOSFETSiC碳化硅

• 了解模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）：解密分辨率和采樣率

  分辨率和采樣率是選擇模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 時要考慮的兩個重要因素。為了充分理解這些，必須在一定程度上理解量化和奈奎斯特準(zhǔn)則等概念。...

  4848次閱讀 · 0評論 adc分辨率信號采樣率模數(shù)轉(zhuǎn)換器

• 基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

  通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。...

  458次閱讀 · 0評論 SiC氮化鎵GaN寄生電感

• IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計

  前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。...

  3262次閱讀 · 0評論 IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計柵極驅(qū)動驅(qū)動電阻
  

• 淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

  閂鎖(Lanch-up)效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。...

  3287次閱讀 · 0評論 IGBT晶體管MOS等效電路閂鎖效應(yīng)
  

• 一文詳解IGBT的過流和短路保護(hù)

  　IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護(hù)。...

  12989次閱讀 · 0評論 傳感器過流保護(hù)IGBT短路保護(hù)開關(guān)器件
  

• 功率放大器在磁場促心肌組織成熟化的實(shí)現(xiàn)中的應(yīng)用

  根據(jù)磁場刺激所需要的磁場強(qiáng)度和均勻磁場區(qū)域大小等要求，設(shè)計并自制了螺線管線圈。使用有機(jī)玻璃制作線圈骨架，選用0.67mm直徑的漆包線繞制緊密線圈，繞制146匝，線圈直徑和長度均為110 mm。...

  331次閱讀 · 0評論 線圈功率放大器信號發(fā)生器

• 電路設(shè)計使用的不同類型放大器

  放大器是用于描述產(chǎn)生和增加其輸入信號版本的電路的通用術(shù)語。但并非所有放大電路都相同，因?yàn)樗鼈兪歉鶕?jù)其電路配置和操作模式進(jìn)行分類的。...

  1075次閱讀 · 0評論 傳感器放大器電路設(shè)計晶體管小信號

• 固態(tài)繼電器的構(gòu)成與原理

  相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器，下圖尺寸作為參考，實(shí)際應(yīng)用中與工作電壓電流等導(dǎo)致其尺寸大小會有所區(qū)別。...

  2193次閱讀 · 0評論 MOSFET可控硅固態(tài)繼電器SSR

• SAR ADC 的基本操作及工作原理

  對于每一位，SAR 邏輯向 DAC 輸出一個二進(jìn)制代碼，該代碼取決于正在審查的當(dāng)前位和已經(jīng)近似的先前位。比較器用于確定當(dāng)前位的狀態(tài)。...

  3089次閱讀 · 0評論 寄存器adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器

• IGBT的工作原理 影響IGBT可靠性因素有哪些

  IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。...

  2357次閱讀 · 0評論 開關(guān)電源變頻器IGBT電力晶體管

• 關(guān)于電阻不常見的6個參數(shù)介紹

  0歐姆電阻，并不是絕對的0歐姆，0這個數(shù)沒辦法計算的，所以誤差和功率，都和普通電阻不一樣。 誤差是<0.05Ω，功率不計算，只計算通過的電流。0402的0歐姆電阻額定電流是1A。 硬件設(shè)計的時候，如果在電源線上串聯(lián)0歐姆電阻，一定要算清楚電流。...

  997次閱讀 · 0評論 電阻歐姆電阻

• 半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別？

  半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。...

  2643次閱讀 · 0評論 集成電路二極管半導(dǎo)體晶體晶體管

• 一文解析MOS管/三極管/IGBT之間的關(guān)系

  PN結(jié)是半導(dǎo)體的基礎(chǔ)，摻雜是半導(dǎo)體的靈魂，先明確幾點(diǎn)。...

  2038次閱讀 · 0評論 三極管二極管MOS管IGBTPN結(jié)

• MOSFET的基礎(chǔ)知識

  金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源，并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進(jìn)行的。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，電流通過在 體區(qū)（稱為bulk或body）中形成的溝道，從MOSFET的漏極流向...

  2229次閱讀 · 0評論 MOSFET半導(dǎo)體晶體管FETp溝道

• 運(yùn)放-7-壓擺率SR造成的問題現(xiàn)象

  可以看懂，輸入1.5V的時候，輸出嚴(yán)重失真，不僅幅度達(dá)不到1.5V，波形也酷似三角波。這是為啥嗯？1V輸入的時候沒問題，1.5V的時候輸入有問題，難道是運(yùn)放仿真模型不對，為非軌至軌？...

  1526次閱讀 · 0評論 正弦波運(yùn)放三角波
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