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• PWM態(tài)存在開關(guān)管的ZCS導通現(xiàn)象如何解決？

  在諧振電流過零前Q2驅(qū)動脈沖到來，Q2導通；但此時Q1的體二極管D1也在續(xù)流，因此，電流從D1到Q2迅速換流，Q2為ZCS導通。...

  524次閱讀 · 0評論 二極管PWM

• mosfet與igbt對比優(yōu)缺點

  在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。...

  8258次閱讀 · 0評論 MOSFET整流器IGBT開關(guān)管

• 模擬電子技術(shù)的十年新發(fā)展計劃

  未來十年，模擬電路將不斷發(fā)展，以利用成千上萬的專用于模擬任務的設備。前幾年的模擬設計取決于一些設備的詳細性能：放大器的輸入級，或典型PLL電路的元件——這些可以作為電路圖繪制，并通過仔細檢查單個設備的行為來理解和改進。...

  1634次閱讀 · 0評論 混合信號模擬設計無線通信模擬芯片無線電處理器

• MOS管的基礎知識(二)

  前面解決了MOS管的接法問題，接下來談談MOS管的開關(guān)條件。...

  4766次閱讀 · 0評論 MOS管電平N溝道NMOS管PMOS管
  

• MOS管的基礎知識(一)

  MOS管符號上的三個腳的辨認要抓住關(guān)鍵地方...

  1249次閱讀 · 0評論 MOS管p溝道高電平符號寄生二極管
  

• 一文看懂TSV

  肖特基的硅片上制作孔專利 此后， IBM開始在集成電路領域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。...

  1973次閱讀 · 0評論 集成電路memsTSV

• 英飛凌FP100R12KT4 IGBT模塊內(nèi)部拆解分析

  該模塊由塑料外殼封裝起來，底部為導熱鈑金，導熱鈑金貼在散熱器上，用四個螺絲固定。Pin腳焊在陶瓷襯板上。...

  8358次閱讀 · 0評論 英飛凌變頻器IGBT伺服電機控制

• 國內(nèi)企業(yè)逐步切入，國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機會

  在車載充電器領域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。...

  757次閱讀 · 0評論 MOSFET光伏逆變器碳化硅

• 深入探討精密數(shù)據(jù)采集信號鏈的噪聲分析

  在很多應用中，模擬前端接收單端或差分信號，并執(zhí)行所需的增益或衰減、抗混疊濾波及電平轉(zhuǎn)換，之后在滿量程電平下驅(qū)動ADC輸入端。今天我們探討下精密數(shù)據(jù)采集信號鏈的噪聲分析，并深入研究這種信號鏈的總噪聲貢獻。...

  730次閱讀 · 0評論 噪聲adc數(shù)據(jù)采集信號鏈差分信號

• 基于二極管的限幅電路

  限幅電路（Clipper）顧名思義是將信號幅值進行限制，篩選出符合的幅值。 帶負偏差串接正限幅電路 Series positive clipper with negative bias，正幅值的波形被削減，保留負幅值的波形的基礎上偏移負電壓...

  1043次閱讀 · 0評論 二極管限幅電路

• 淺談晶振在數(shù)字電路中的重要性

  在石英晶體的兩個電極上施加電場會使晶體產(chǎn)生機械變形，反之，如果在晶體兩側(cè)施加機械壓力就會在晶體上產(chǎn)生電場。...

  1036次閱讀 · 0評論 晶振數(shù)字電路晶體諧振器

• 功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外研究總結(jié)

  對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內(nèi)外最新研究進行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來的應用與發(fā)展前景。...

  542次閱讀 · 0評論 功率器件氧化鎵寬禁帶半導體

• 功分器和合路器的區(qū)別 100W功率放大器的原理圖

  作為功分器來講，信號從IN輸入，當信號到達A、B二點時為同頻同相信號。所以R上無電流流過即無功率損耗, R在這里起到改善隔離的作用。...

  6163次閱讀 · 0評論 功分器合路器

• SiC MOSFET為何替代不了IGBT？

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。...

  2340次閱讀 · 0評論 IGBT特斯拉半導體器件碳化硅

• SAR切換電容ADC的基本原理

  用了這么久ADC,從沒細看過ADC的內(nèi)部原理和如何獲得最佳精度，今天看到一篇ST的官方文檔講的不錯，這里整理分享給大家。...

  1664次閱讀 · 0評論 微控制器轉(zhuǎn)換器SARSTadc

• 如何將運算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差

  運算放大器最初是為模擬數(shù)學計算而開發(fā)的，從那時起，它們已被證明在許多設計應用中都很有用，它們可以使用求和放大器電路執(zhí)行兩個給定電壓值的加法，并使用差分放大器執(zhí)行兩個電壓值之間的差。除此之外，運算放大器還通常用作反相放大器和同相放大器。...

  3143次閱讀 · 0評論 放大器運算放大器差分放大器增益減法器

• 關(guān)于MOS管開關(guān)時電壓電流波形問題

  如圖，為什么在Vce下降前ic就開始上升了呢？...

  4166次閱讀 · 0評論 MOS管波形ZVS電壓電流
  

• 如何判斷MOS管的工作狀態(tài)

  MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。...

  3831次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體場效應管MOS管源極

• 三極管與MOS管的正確應用

  適合發(fā)射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發(fā)射結(jié)正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導通。...

  862次閱讀 · 0評論 三極管MOS管

• SiC和GaN的共源共柵解決方案

  GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計的此類設備，其中許多每天運行數(shù)小時，因此節(jié)省的能源將是巨大的。...

  695次閱讀 · 0評論 電動汽車led逆變器SiCGaN
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