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MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor即，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。 MOS可以分為兩種：耗盡型和增強(qiáng)型。...
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。...
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。...
無論是NMOS還是PMOS ，按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：單獨(dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。...
放大電路中耦合電容和旁路電容如何判別? 耦合電容負(fù)極不接地，而是接下一級(jí)的輸入端，旁路電容負(fù)極接地。...
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。...
SQ82968采用CSP2.605×2.605-16封裝，是一款低功耗、高驅(qū)動(dòng)能力（30mA）的16位DAC芯片，內(nèi)置高精度基準(zhǔn)（5ppm/°C），滿足光模塊對(duì)激光器偏壓控制芯片小尺寸的要求。...
緩沖電路是控制開關(guān)器件快速上升和下降引起的瞬態(tài)尖峰的重要辦法。它們通常主要是由一些無源器件組成的網(wǎng)絡(luò)，用來控制電路中無功元件產(chǎn)生的振蕩。...
首先我們要知道如何辨別三極管的組態(tài)，很簡單，三極管一共三極，找出又不是信號(hào)輸入又不是信號(hào)輸出的那極(x極)，就是共x組態(tài)。如下圖，E輸入，C輸出，為共基(B)組態(tài)。...
場效應(yīng)晶體管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。從導(dǎo)電載流子的帶電極性來看，分為N溝道(電子型)和P溝道(空穴型)，按照導(dǎo)電溝道形成機(jī)理的不同，又分為增強(qiáng)型(簡稱E型)和耗盡型(簡稱D型)兩種。...
今天我們來學(xué)習(xí)一下生活中無處不在的運(yùn)算放大器的應(yīng)用。本篇推送僅列出運(yùn)算發(fā)大器的特點(diǎn)、解題方法、和應(yīng)用電路及附圖。運(yùn)算放大器有兩個(gè)輸入端：反相輸入端，同相輸入端和一個(gè)輸出端，一種可以進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算的放大電路。...
UBER是三極管啟動(dòng)的臨界電壓，它會(huì)受集射極電壓大小的影響，正常工作時(shí)，NPN硅管啟動(dòng)電壓約為0.6V； UBE<UBER時(shí)，三極管高絕緣，UBE>UBER時(shí)，三極管才會(huì)啟動(dòng)； UCE增大，特性曲線右移，但當(dāng)UCE>1.0V后，特性曲線幾乎不再移動(dòng)。...
該電容器的用途是吸收柵電流（Cgd·dVDS/dt），以便降低柵極電阻器產(chǎn)生的柵極電壓，從而降低自開通電壓。...
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，在器件的工作過程中會(huì)出現(xiàn)意想不到的問題。...
三極管基本電路就是放大器，例如功放就是一個(gè)放大器，輸入的聲音很小，輸出的聲音卻很大。放大器的輸出和輸入電壓（或電流）之比稱為放大倍數(shù)，又叫做增益。...
輸出匹配電路中，由于功率管采用推挽式工作，所以在輸出端加入1:1巴倫實(shí)現(xiàn)不平衡-平衡變換。...
綠色橢圓形內(nèi)的三個(gè)參數(shù)，最小噪聲系數(shù)Fmin,最佳源導(dǎo)納對(duì)應(yīng)的源反射系數(shù)，晶體管的等效噪聲電阻，稱為晶體管的噪聲參數(shù)，這三個(gè)參數(shù)，管子廠家一般會(huì)在s2p文件上提供。...
IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。...
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