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      電子發(fā)燒友網(wǎng) > 技術(shù)文庫

      電子發(fā)燒友網(wǎng)技術(shù)文庫為您提供最新技術(shù)文章，最實用的電子技術(shù)文章，是您了解電子技術(shù)動態(tài)的最佳平臺。

      • 常用存儲單元的原理和特點

        在芯片設(shè)計時，通常需要用到各種類型的存儲單元，用以臨時或者永久地存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場合的不同，所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進行了介紹，并簡述了其工作原理和特點。需要特別說明的是，由于作者為數(shù)?；旌霞呻娐饭こ處煟虼吮疚氖且宰髡叩慕嵌冗M行介紹和分析的，側(cè)重于一些類如ADC數(shù)據(jù)處理...

        3683次閱讀 · 0評論 DRAM存儲單元sramEPROM

      • DRAM和NAND預(yù)計將占汽車內(nèi)存收入的近90%

        2021 年，獨立內(nèi)存市場規(guī)模高達1670億美元。占整個半導(dǎo)體市場的 28%。相比之下，汽車存儲器市場（2021 年為 43億美元）占全球存儲器市場收入的 2.6%，占汽車半導(dǎo)體的 10%——表明非存儲器電子元件在當(dāng)前車輛中的普及。...

        1162次閱讀 · 0評論 NAND存儲器

      • PCle 5.0接口的NVMe國態(tài)硬盤已不再遙遠？

        3DMark儲存基準(zhǔn)測試支持現(xiàn)在最新的存儲技術(shù)，并專注于實用、真實的游戲性能，而且該項測試同樣基于真實應(yīng)用的磁盤軌跡回放，可以反映最真實的性能表現(xiàn)。...

        1950次閱讀 · 0評論 SSDPCIe

      • 信號完整性仿真：DDR3/4/5系列地址信號端接優(yōu)化對比

        導(dǎo)讀：DDR5協(xié)議發(fā)布已經(jīng)有一段時間了，其中的變化還是比較大的，地址信號采取了ODT的端接形式，本篇文章為大家仿真一下DDR5地址信號。同時，我也推薦大家關(guān)注我在仿真秀原創(chuàng)的精品課《DDR3/4/5系列信號完整性仿真24講》，讓你清楚掌握DDR協(xié)議和仿真關(guān)鍵技術(shù)要點。...

        2359次閱讀 · 0評論 DDR3仿真信號完整性DDR4DDR5

      • 技術(shù)前沿：半導(dǎo)體存儲器

        按照存儲介質(zhì)的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學(xué)存儲器、磁性存儲器和半導(dǎo)體存儲器三類。光學(xué)存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導(dǎo)體存儲器是目前存儲領(lǐng)域市場規(guī)模最大的存儲器件。自上世紀(jì) 40 年代電子計算機問世以來，計算機存儲設(shè)備隨著其他硬件設(shè)備的發(fā)展和軟件、數(shù)據(jù)量的...

      • 一文詳解DMA控制器(DMA)主要特征及參數(shù)

        CPU無時不刻的在處理著大量的事務(wù)，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數(shù)據(jù)的復(fù)制和存儲數(shù)據(jù)，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復(fù)雜計算事務(wù)，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？...

        6188次閱讀 · 0評論 存儲器cpusramdma

      • 一文搞懂各種RAM、ROM存儲的異同點

        半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲密度高、耗電量少、耐震等特點。...

        3258次閱讀 · 0評論 半導(dǎo)體存儲器ROMRAM

      • 基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲器

        二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級薄的厚度，其受到靜電場屏蔽效應(yīng)大大減弱，利用門電壓可以對其電學(xué)性能進行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管(Memtransistor)可以模擬人腦中復(fù)雜的突觸活動，有望應(yīng)用于未來非馮架構(gòu)的神經(jīng)形態(tài)計算等。此外，相比于平面構(gòu)型，二維納米功能材料通常具有開...

        827次閱讀 · 0評論 MOSFET半導(dǎo)體存儲器憶阻器

      • DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別

        DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。...

        11283次閱讀 · 0評論 DDR3DDRDDR2DDR4LPDDR

      • 是什么導(dǎo)致存儲器需求下降？

        三星電子因為晶圓代工廠規(guī)模小，所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習(xí)EUV曝光30萬到40萬張，但似乎還不夠，7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是，它傳聞3nm這邊的尖端已經(jīng)無藥可救了，他們正在為2nm修煉。...

        585次閱讀 · 0評論 DRAM存儲器

      • 提供即時寫入功能的FRAM存儲器

        FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。...

        653次閱讀 · 0評論 存儲器EEPROMframEDR

      • 高性價比NVMe SSD深度測試

        盡管SSD現(xiàn)在已經(jīng)非常普及，但從很多已經(jīng)配備SSD的電腦來看，其實SSD還是不夠用。因為很多電腦，從品牌機到DIY機器一般只會采用一塊性能較高、容量不大的SSD，往往只有512GB或1TB。...

        2089次閱讀 · 0評論 存儲器SSDPCIeCrucialnvme

      • 主存儲器的基本組成

        基本上主存由三部分組成 存儲體 地址寄存器 數(shù)據(jù)寄存器。...

      • 介紹關(guān)于SRAM兩大問題挑戰(zhàn)

        平面到FinFET的過渡對SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關(guān)鍵節(jié)距已導(dǎo)致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對更大的片上SRAM容量的需求不斷增長，這樣做的時機不會更糟。離SRAM將主導(dǎo)DSA處理器大小的局面并不遙遠。...

        1269次閱讀 · 0評論 CMOS存儲器sramFlash單片機

      • 億鑄存算一體AI大算力芯片：存算一體架構(gòu)

        在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中，處理與存儲單元是分離的。由于存算分離，AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大，會導(dǎo)致功耗大大增加，也就是存儲墻。...

        2340次閱讀 · 0評論 存儲器sramAIreram存算一體

      • 英特爾數(shù)據(jù)存儲如何操作和實現(xiàn)

        隨著CPU性能的不斷提升，以及PCIe 4.0時代的來臨，原本基于磁盤的存儲方案越發(fā)捉襟見肘。磁盤存儲容量有所提升，但單位容量的性能卻不斷降低，從而使得SLA下降。...

      • FM25V02A-GTR型號存儲器的產(chǎn)品介紹

        　　FM25V02A-GTR型號元器件是一款鐵電存儲器，采用先進的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時消除了復(fù)雜性，串行通信引起的開銷和系統(tǒng)級可靠性問題閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器。與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V02A執(zhí)行寫入以總線速度運行，不會產(chǎn)生寫入延遲...

        2539次閱讀 · 0評論 存儲器EEPROMF-RAM鐵電存儲器

      • 全面解析存儲知識：RAID、CDP、集群、VTL虛擬帶庫等存儲技術(shù)

        　　RAID （Redundant Array of Independent Disks）即獨立磁盤冗余陣列，RAID技術(shù)將多個單獨的物理硬盤以不同的方式組合成- -個邏輯硬盤，從而達到提升存儲容量、讀寫性能和數(shù)據(jù)安全性的目的。...

        1052次閱讀 · 0評論 存儲技術(shù)RAIDCDP

      • 什么是列存儲，特點及場景在哪？

        列式存儲(column-based)是相對于傳統(tǒng)關(guān)系型數(shù)據(jù)庫的行式存儲(Row-basedstorage)來說的。簡單來說兩者的區(qū)別就是如何組織表：...

        5782次閱讀 · 0評論 cpu存儲

      • 利用STM32系列豐富的外設(shè)資源來外擴SRAM芯片

        具有高達2MB的嵌入式閃存，在某些設(shè)備上具有讀-寫功能。兩個用于以太網(wǎng)的通用DMA控制器和專用DMA控制器（在某些變型中），高速USB On-The-Go接口和Chrom-ART圖形加速器（在某些變型中）。...

        1342次閱讀 · 0評論 QSPISRAM芯片STM32F7
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