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在混合70/30 4k配置(70%讀,30%寫)中,R5100遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他競爭對手,在88.7μs的延時(shí)下實(shí)現(xiàn)了701K IOPS的峰值性能,Solidigm和Memblaze排名第二和第三。...
Rambus是DDR5 RCD領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,從2016年就開始了DDR5相關(guān)的研發(fā),擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。RCD位于DIMM的中心位置,接收來自內(nèi)存控制器的命控制和地址總線上的信號。...
盡管致態(tài)TiPlus7100 PCIe 4.0 SSD沒有配備獨(dú)立緩存,其閃存規(guī)格其實(shí)已經(jīng)領(lǐng)先很多高端產(chǎn)品,該系列產(chǎn)品的最高標(biāo)稱順序讀寫速度可以達(dá)到7000MB/s、6000MB/s。而長江存儲(chǔ)自己的致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版采用的都是接口速度為1600MT/s的3D NAND顆粒。...
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也是一個(gè)大類,它還可以進(jìn)一步劃分,主要分為:易失性(VM)存儲(chǔ)器與非易失性(NVM)存儲(chǔ)器。...
存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體的重要市場之一,其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場份額。其中,從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看,DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場份額,NOR閃存占比1%,其他存儲(chǔ)芯片份額較小。...
研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件,可以實(shí)時(shí)監(jiān)控DRAM,提供有用的信息,包括動(dòng)態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報(bào),以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)的運(yùn)行健康狀態(tài)。...
用DNA存儲(chǔ)信息的想法可以追溯到分子生物學(xué)出現(xiàn)的時(shí)期。生物化學(xué)家Frederick Sanger發(fā)明了Sanger測序法讓DNA序列可以測量,從此人類可以讀出以代號為A、T、C、G,排列組合而成的核苷酸序列。...
如果 FaceBoo k平臺(tái)創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的,那么它將有一個(gè)不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng),可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。...
隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。...
地址譯碼器根據(jù)地址信號總線,選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元。假設(shè)譯碼器有j條地址輸入線,則可以尋址2的j次方個(gè)存儲(chǔ)器單元,則存儲(chǔ)矩陣由2的j次方個(gè)存儲(chǔ)器單元組成,每個(gè)存儲(chǔ)單元為k位。...
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲(chǔ)器種類見圖基本存儲(chǔ)器種類。...
相變存儲(chǔ)器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。...
從致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版的設(shè)計(jì)上,我們也能看到致態(tài)的努力,它不是簡單地僅僅刻上《三體》的經(jīng)典名句而已,其散熱器由厚達(dá)5毫米的鋁制材質(zhì)打造,全封閉設(shè)計(jì),散熱器每一面都鋪設(shè)了0.5毫米厚的導(dǎo)熱膠,可以快速導(dǎo)出SSD兩面產(chǎn)生的熱量。...
近年來,隨著芯片工藝制造的進(jìn)步,工藝制程逐漸接近物理極限,深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展使得計(jì)算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度,非易失,易加工等優(yōu)點(diǎn)的阻變存儲(chǔ)器(RRAM),被認(rèn)為是最具代表性的新型存儲(chǔ)器之一,是低功耗,低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。...
需要設(shè)計(jì)一些算法使得能對整個(gè)存儲(chǔ)器做均衡的訪問,而不是僅僅去對幾個(gè)特定的區(qū)域持續(xù)寫入,將對某些塊的操作分布到整片存儲(chǔ)器上,實(shí)現(xiàn)各塊寫入的平衡,這類算法就稱為損耗均衡(wear leveling)算法。...
動(dòng)態(tài)損耗均衡:這些算法通過重復(fù)使用擦除次數(shù)較少的塊來實(shí)現(xiàn)損耗平衡[1]。即當(dāng)下寫入地址的被寫入量超過規(guī)定的閾值時(shí)就讓其與一個(gè)認(rèn)為的寫入次數(shù)不大的地址做交換。...
傳統(tǒng)上,計(jì)算主要依賴于基于馮諾依曼架構(gòu)的互連設(shè)備。在此架構(gòu)的簡化版本中,存在三個(gè)計(jì)算構(gòu)建塊:內(nèi)存、輸入/輸出 (I/O) 接口和中央處理單元 (CPU)。...
DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器,也就是大家常說的內(nèi)存。今天,我們再來看看半導(dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域,也就是非易失性存儲(chǔ)器(也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD硬盤等)。...
我們來思考一個(gè)問題,當(dāng)我們在編程器中把一條指令寫進(jìn)單片機(jī)內(nèi)部,然后取下單片機(jī),單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令,那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個(gè)地方,并且這個(gè)地方在單片機(jī)掉電后依然可以保持這條指令不會(huì)丟失,這是個(gè)什么地方呢?這個(gè)地方就是單片機(jī)內(nèi)部的只讀存儲(chǔ)器即ROM(READ ONLY MEMORY)。為...
當(dāng)時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失,也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù),斷電后,數(shù)據(jù)會(huì)丟失,也稱內(nèi)存。...