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通常需要在芯片內(nèi)配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求,如何組織SRAM,并且配合上述計(jì)算流程,也是一個(gè)重要的設(shè)計(jì)內(nèi)容。...
本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系,結(jié)構(gòu)特點(diǎn),并對(duì)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基本原理以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。...
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長(zhǎng)而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲(chǔ)、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存儲(chǔ);這一路的發(fā)展不僅見證了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的飛速進(jìn)步,也反映了人類對(duì)信息記載與保存的不斷追求。...
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面從而確保內(nèi)存穩(wěn)定,另外,DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計(jì)也有明顯變化,金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近...
典型的SoC存儲(chǔ)體系包括處理器內(nèi)部的寄存器、高速緩存(Cache)、片內(nèi)ROM、片外主存。其中,內(nèi)部寄存器通常由十幾個(gè)到幾十個(gè)構(gòu)成,用于緩存程序運(yùn)行時(shí)頻繁使用的數(shù)據(jù)(局部變量、函數(shù)參數(shù)等)。...
在SoC中,存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。...
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM則是非易失性存儲(chǔ)器, ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable...
以MT41J128M型號(hào)為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3,每個(gè)bank的大小為16Mbit,一共有8個(gè)bank。...
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。...
PCIe 4.0 SSD初期就面臨嚴(yán)重的發(fā)熱問題,但至少被動(dòng)散熱片都可以搞定。PCIe 5.0 SSD更是直接飛起,首批產(chǎn)品幾乎清一色都用上了主動(dòng)風(fēng)扇,性能也無法滿血。...
為了提升SSD的性能,HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨(dú)立緩存設(shè)計(jì)。本次測(cè)試的2TB產(chǎn)品配備了多達(dá)4GB獨(dú)立緩存(編號(hào)為H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士LPDDR4內(nèi)存顆粒 ),用于存放記錄數(shù)據(jù)位置的FTL映射表。SSD的讀寫操作都需要查詢這張記錄表,要...
近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)即將發(fā)布新款SATA SSD產(chǎn)品SC001 XT,外觀尺寸為2.5寸,目前提供容量為500G/1TB,未來還會(huì)發(fā)布250GB/2TB的版本。...
在刪除和重新加載塊后,可能會(huì)在用戶存儲(chǔ)器(裝入和工作存儲(chǔ)器)中產(chǎn)生間隔,從而減少可使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。使用壓縮功能,可將現(xiàn)有塊在用戶存儲(chǔ)器中無間隔地重新排列,并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲(chǔ) 空間。...
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)存儲(chǔ)器,NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫...
光盤的材質(zhì)是有鋁夾層的塑料,在上面燒洞就形成了數(shù)據(jù),讀取時(shí)利用光在鋁層上的鏡面反射,有洞的地方光不能被反射('0'),沒有洞的地方光被反射('1')...
NAND FLASH是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)介質(zhì), 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì),通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲(chǔ) 存在浮柵中,在無電源供應(yīng)的情況下數(shù)據(jù)仍然可以保持。相對(duì)于HDD,具有讀寫速度快、訪問時(shí)延低等特點(diǎn)。...
FIFO緩存是介于兩個(gè)子系統(tǒng)之間的彈性存儲(chǔ)器,其概念圖如圖1所示。它有兩個(gè)控制信號(hào),wr和rd,用于讀操作和寫操作...
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。...
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。...