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Local Dimming LED TV背光驅(qū)動(dòng)整體方案 - 全文

2012年04月13日 09:55 本站整理 作者:秩名 用戶評(píng)論(0

  目前,液晶電視的使用越來越廣泛,從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)上來說,如何降低背光的功耗最受到關(guān)注。因?yàn)楸彻庠词亲畲蟮哪芰肯恼?,降低了背光的功耗,也就大大降低了整機(jī)的功耗。這其中的技術(shù)包括改善背光源的驅(qū)動(dòng)電路,改善LED的發(fā)光效率,開發(fā)新的LED種類,目前,Local Dimming是這些技術(shù)中最易于實(shí)現(xiàn),效果最明顯的一項(xiàng)技術(shù)。尤其是直下式LED背光搭配Local Dimming技術(shù),可大幅度降低電量、提高顯示畫面對(duì)比值、灰階數(shù)、及減少殘影等。

  1. Local Dimming BLU概述

  Local Dimming即局部背光調(diào)節(jié)的意思,利用數(shù)百個(gè)LED組成的背光代替CCFL背光燈,背光LED可根據(jù)圖像的明暗進(jìn)行調(diào)節(jié),顯示幕圖像中高亮的部分的亮度可以達(dá)到最大,而同時(shí)黑暗的部分可以降低亮度,甚至關(guān)閉,以達(dá)到最佳的對(duì)比度。這樣,暗區(qū)亮度的降低就降低了背光的功耗。Local Dimming廣義而言,大致可分為三大類,分別為0D、1D、2D dimming,其中,2D dimming能將local dimming的技術(shù)發(fā)揮到最佳效果。從下圖可看出local dimming和非local dimming在能耗上和對(duì)比度上的差別。

  

local dimming和非local dimming在能耗上和對(duì)比度上的差別

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  2. 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

  基于MCU的loacl dimming方案由三個(gè)部分組成,分別是FPGA或SOC,MCU和LED Driver IC,SOC采集圖像信號(hào)并通過SPI接口發(fā)送資料給MCU,MCU進(jìn)行資料處理后再通過SPI控制1個(gè)或多個(gè)LED Driver.

  

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖

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  3. SAC Demo Board的結(jié)構(gòu)框圖

  SAC的方案是將DC-DC部分,MCU和LED Driver置于同一套板上,DC-DC可根據(jù)燈串電壓的不同要求進(jìn)行升壓或降壓,MCU采用Cortex M0 32位高性價(jià)比MCU,LED Driver采用AMS的AS3695C,DC-DC為24升壓到50V,具體要升到多高的電壓根據(jù)所接LED的總電壓,因?yàn)锳S3695C可驅(qū)動(dòng)16路通道,有兩路回饋,因此每8路通道為一個(gè)回饋,需要兩組DC-DC電路。

  方案框圖:

  

 方案框圖:

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  方案BOM表(每16通道)

  

方案BOM表(每16通道)

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  4. 各主要元器件特點(diǎn)

  AS3695C特點(diǎn):

  ●可驅(qū)動(dòng)16通道的LED

  ●輸出電壓30V,外置MOSFET,驅(qū)動(dòng)電流由MOSFET決定

  ●電流精度高達(dá)+/-0.5%

  ●集成SPI接口

  ●具有開短路、過溫檢測(cè)和保護(hù)動(dòng)作

  Cortex M0 單片機(jī)特點(diǎn):

  ●Cortex-M0內(nèi)核,高達(dá)50MHz的主頻,高達(dá)40個(gè)I/O口

  ●2-8K SRAM,32K Flash

  ●2 SPI,最高速率可達(dá)25MHz

  ●極低的功耗,更快的處理速度,僅相當(dāng)于8位元MCU的價(jià)格

  MAP5201

  ●專門為L(zhǎng)ED TV 背光驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)

  ●寬電壓輸入范圍,最高至36V

  ●支援升壓(Boost)和降壓(Buck)兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

  ●內(nèi)部集成1A MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

  ●開關(guān)頻率可程式設(shè)計(jì),最大500Khz

  ●輸出短路保護(hù)電路

  ●獨(dú)立控制的雙路DC-DC輸出。

  MDD1903

  ●N溝道MOSFET

  ●耐壓100V

  ●ID =11A @VGS =10V

  ●RDS(ON) < 120mΩ @VGS = 10V

  < 135mΩ @VGS = 6.0V

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