全新功率半導體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能

世界各地計算機數(shù)量眾多，耗能量也相當龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級的數(shù)目。

　　在美國，供電網(wǎng)把大約13 800Vac的交流電配送到各個社區(qū)，最后利用變壓器(不對能耗產(chǎn)生顯著影響)將電壓降為480Vac。而每個數(shù)據(jù)中心幾乎都備有一個UPS(不間斷電源)。可是，這個功率調(diào)節(jié)級的效率可能只有70%。在服務器機架上，208Vac的交流電壓被轉(zhuǎn)換為12或48Vdc的直流電壓，再降壓至處理器、硬盤驅(qū)動器和內(nèi)存所需的總線電壓。

圖1 一個典型數(shù)據(jù)中心的功率轉(zhuǎn)換級

　　以一個每板帶兩個處理器的滿裝服務器機架為例，假設轉(zhuǎn)換效率為90%，若功耗為5kW，則會浪費500W的能量。高性能低壓MOSFET具有更低的導通阻抗和更低的開關(guān)損耗，能夠提高這些轉(zhuǎn)換級的效率。

　　上一代降壓轉(zhuǎn)換器采用肖特基二極管和60V額定電壓的功率MOSFET，效率為80%～85%；而現(xiàn)在使用的功率MOSFET產(chǎn)品，即使處理器輸入電壓下降，也能夠獲得90%以上的效率。

　　先進的低壓功率MOSFET降低損耗

　　在20世紀90年代中期以前，因為傳導損耗(I2R)仍是總功耗的主要成分，低壓功率MOSFET的開發(fā)焦點一直放在RDS(ON)上。隨著開關(guān)頻率的上升，研究人員開始逐漸關(guān)注柵極電容和柵極電荷。圖2所示為功率MOSFET品質(zhì)因數(shù)(歸一化RSP和RSP·QGD)的變化趨勢。在過去14年間，這些參數(shù)減小了近10倍。

圖2 30V功率MOSFET的品質(zhì)因數(shù)的變化趨勢

　　業(yè)界已開發(fā)出數(shù)種能夠減小導通阻抗和柵極電荷的新技術(shù)，其中一種技術(shù)就是在柵極溝槽底部采用一層加厚的氧化層(見圖3)。這種方案不僅有助于降低柵漏電容(CGD)，還能增大漂移區(qū)的阻抗。它也有利于降低導通阻抗和柵極電荷，因為現(xiàn)在可以一方面通過薄柵極氧化層來獲得更低的Vth(閾值電壓)以及更低的導通阻抗，同時又可以在溝槽底部采用加厚氧化層以獲得最低的CGD。

圖3 底部帶加厚氧化層的功率MOSFET器件橫截面圖

　　還有一種技術(shù)就是采用電荷平衡或超級結(jié)器件結(jié)構(gòu)。它最初是針對高壓器件開發(fā)的，現(xiàn)在也可用于低壓器件。利用電荷平衡方案，可以在漂移區(qū)獲得兩維電荷耦合，因而能夠在漂移區(qū)采用更高的摻雜濃度，最終降低漂移阻抗。飛兆半導體通過采用第四個電極、屏蔽以及加厚氧化層，實現(xiàn)了這種概念，如圖4所示。

圖4 帶屏蔽電極的功率MOSFET器件橫截面圖

　　其他參數(shù)現(xiàn)在也變得更具相關(guān)性，例如，體二極管反向恢復、內(nèi)部柵極阻抗以及MOSFET的輸出電荷(QOSS)。低壓MOSFET產(chǎn)品現(xiàn)在開始針對二極管反向恢復以及輸出電容的最小化而優(yōu)化。在開關(guān)頻率和輸出電流較高時，這些損耗元件的重要性便更為明顯。

　　封裝阻抗、電感及其熱特性也對功耗有著重大影響，隨著目前器件尺寸越來越小，以及組合封裝解決方案在應用中開始逐漸流行，這一點便尤其顯著。

　　在DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中，重負載條件下，因傳導損耗，效率主要由導通阻抗決定；而在輕負載條件下，控制效率的主要因素是柵極電荷、反向恢復電荷和輸出電容。圖5顯示了不同輸出負載條件下，各個元件的相對功耗。

圖5 DC/DC轉(zhuǎn)換器中各個元件的相對功耗

　　最近幾年來，功率轉(zhuǎn)換半導體解決方案的開發(fā)速度大大加快。2010年推出的器件的效率增益，特別是輕載條件下的效率增益，預計將有大幅度提高(如圖6所示)。

圖6 兩代功率MOSFET技術(shù)之間的效率比較

　　先進的高壓器件降低AC/DC級的功耗

　　帶PFC的開關(guān)模式電源通常運用在數(shù)據(jù)中心，而現(xiàn)在也常見于電信電源和白色家電，以執(zhí)行第一級功率轉(zhuǎn)換。功率因數(shù)校正電路歷來都是采用整合了功率開關(guān)(MOSFET或IGBT)和升壓二極管的升壓轉(zhuǎn)換器拓撲。不過，由于引入了軟恢復二極管(如飛兆半導體的HypeRFast Stealth)，可以去掉或簡化緩沖電路，升壓轉(zhuǎn)換器可采用硬開關(guān)模式來實現(xiàn)。通過Stealth二極管或SiC肖特基二極管與SupreMOS等新超級結(jié)技術(shù)的結(jié)合，設計人員能夠獲得更低的傳導損耗和開關(guān)損耗，并簡化柵極驅(qū)動，減少EMI。

　　利用PFC不僅可以確保器件符合EN61000-3-2等規(guī)范標準，減少元件上的應力，從而減少諧波成分，增強可靠性；還能夠通過增大電源的最大功率來提高轉(zhuǎn)換效率。

　　AC/DC級的大多數(shù)大功率有源PFC設計都整合了一個連續(xù)電流模式(CCM)升壓轉(zhuǎn)換器拓撲，因為這種結(jié)構(gòu)十分簡單，并且具有很寬的AC輸入電壓范圍。另一種PFC工作模式，臨界導通模式(BCM)，則用于低功率級。CCM升壓轉(zhuǎn)換器(如圖1所示)會采用硬開關(guān)模式控制升壓二極管和開關(guān)器件，但是硬開關(guān)的缺點是二極管的反向恢復特性會增加開關(guān)器件的導通損耗，并產(chǎn)生EMI。

　　二極管的反向恢復特性決定了它如何從正向傳導狀態(tài)轉(zhuǎn)換到反向電壓阻斷狀態(tài)。如果反向恢復電流過于突然地從IRRM(最大反向恢復電流)返回到零，就會產(chǎn)生電壓尖刺和嚴重的EMI。電路設計人員會通過降低開關(guān)的導通di/dt，或者增加緩沖電路(snubber circuit)來減輕這種效應。在使用以前的二極管技術(shù)的年代，設計人員只能采用一個軟二極管或快速恢復二極管。不過，以往軟二極管技術(shù)的IRRM值很大，在二極管trr(反向恢復時間)期間會產(chǎn)生很大的導通損耗；同時，降低開關(guān)導通速度也會增加開關(guān)導通損耗。而增添緩沖電路又會增加成本和復雜性，并降低可靠性。除此之外，因為基本RC方案中緩沖電阻的功耗很大，使緩沖電路還常常涉及復雜的能量恢復方案。為解決這個問題，可采用一個Stealth II二極管來減小導通損耗。MOSFET超級結(jié)技術(shù)能夠極大地降低導通阻抗RDS(ON)，從而降低傳導損耗；而且超級結(jié)器件的速度非?？?，可大大降低關(guān)斷損耗。只要采用像SupreMOS和Stealth-II二極管這樣的新技術(shù)，就能夠使軟開關(guān)PFC實現(xiàn)最大效率。