氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計人員而設(shè)計，在極小的芯片級封裝中，實現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，是多電平轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電、太陽能逆變器
2022-04-08 16:01:44
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司?(EPC)宣布推出通過車規(guī)認證的晶體管和集成電路最新成員，針對飛行時間激光雷達（ToF激光雷達）應(yīng)用，讓客戶實現(xiàn)具有更高的性能和更小型化的解決方案，用于機器人、無人機、3D傳感器
2022-04-28 17:59:424194 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2071是面向要求高功率密度的應(yīng)用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器
2022-05-17 17:51:112990 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司?為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。? EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:412953 
GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用EPC的GaN EPC2032進行實驗。 EPC
2021-03-23 16:19:563138 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換，EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級實現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 09:16:201319 EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計，采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合，可實現(xiàn)高達2 MHz的開關(guān)頻率，從而實現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
2022-03-16 09:42:381168 
表面貼裝型 N 通道 350 V 6.3A（Ta） 模具
2024-02-01 19:02:36
EPC2001C–增強型功率晶體管
2023-03-28 18:19:32
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
2023-03-29 22:53:09
EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
2023-03-30 11:52:57
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
，發(fā)射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發(fā)射極E接黑表筆。正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
標準化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數(shù)百千瓦的功率。這主要歸功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
300V，一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3．行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管，應(yīng)選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應(yīng)大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統(tǒng)。 當在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統(tǒng)。 當在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運行時，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化散熱增強的行業(yè)標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標應(yīng)用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
v-1 s-1，是硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動。當務(wù)之急是找出能生產(chǎn)透明高性能器件的替代材料?！ √娲鷮?dǎo)電氧化物
2020-11-27 16:30:52
（IGBT）絕緣柵雙極晶體管結(jié)合了巨型晶體管GTR和功率MOSFET的優(yōu)點。它具有良好的性能和廣泛的應(yīng)用。IGBT也是三端器件：柵極、集電極和發(fā)射極。晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù)包括電流放大因數(shù)
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
更高的功率耗散，因為輸出晶體管不能飽和。在更高的頻率下，更大的相移也是可能的，這可能會導(dǎo)致負反饋下的不穩(wěn)定?！ ∵_林頓晶體管原理圖通常描繪了在單個大圓圈內(nèi)連接在一起的一對晶體管元件?；パa達林頓或
2023-02-16 18:19:11
（GaN）技術(shù)實現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
導(dǎo)致電子節(jié)氣門EPC警告燈點亮的原因有哪些？如何解決POLO電子節(jié)氣門EPC燈亮的問題？
2021-05-14 06:07:41
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
`手機EOS保護方案如何通過350V的測試？ 自從OPPO 手機的快充作為賣點，大家都覺得滿足了自己的很大需求，快充電流從1A到2A ， 到目前已經(jīng)在測試的5A，手機快充的需求日益增長，然而滿足快充
2017-07-31 13:59:25
的開關(guān)動作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
EPC標簽芯片的面積不足1平方毫米，可實現(xiàn)二進制96（128）字節(jié)信息存儲，它的標識容量上限是：全球2.68億家公司，每個公司出產(chǎn)1600萬種產(chǎn)品，每種產(chǎn)品生產(chǎn)680億個。這樣大的容量可以將全球每年
2019-06-21 06:06:31
標準化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
集成電路［7］。圖7顯示了單片功率級GaN IC的框圖和實際芯片照片。將這種單片集成電路的實驗測量效率（如圖8所示）與使用具有相同導(dǎo)通電阻的eGaN?晶體管的分立電路進行比較，并由uPI半導(dǎo)體uP1966
2023-02-24 15:15:04
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
各位前輩可有辦法不用變壓器產(chǎn)生穩(wěn)定的350V直流電壓？
2011-11-19 14:28:56
進一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術(shù)，PTVA127002EV展現(xiàn)出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
所示。為了方便仿真，控制端直接接到了負載電源24V的電壓上，也就是一上電壓負載就應(yīng)該導(dǎo)通。圖中使用的晶體管只是LTspice仿真模型庫當中現(xiàn)成的模型，沒有什么特殊的型號要求，并用一個PNP晶體管替代了圖
2016-06-03 18:29:59
關(guān)鍵詞 EPC-296x摘 要 EPC-296x 產(chǎn)品上各接口說明及使用方法
2009-11-02 14:51:47
28 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一項易于操控，簡單實用且特別適合用于自動化控制的靈活性應(yīng)用技術(shù)，其所具備的獨特優(yōu)越性是其它
2010-04-01 17:42:4913201 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:101681 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9004開發(fā)板，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普200V增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品
2011-08-19 08:51:181085 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9005/EPC9006 開發(fā)板 ，這種開發(fā)板能使用戶更方便地使用宜普增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管設(shè)計產(chǎn)品。 EPC9005開發(fā)板 EPC9005開發(fā)板能使用戶更方便地使用
2011-09-28 09:30:241206 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣佈推出採用增強型氮化鎵場效應(yīng)電晶體的EPC9003及EPC9006開發(fā)板， 展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應(yīng)電晶體而優(yōu)化的積體電路閘極驅(qū)動器可幫助工程師簡單
2012-10-12 09:12:491308 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0710585 EPC為汽車激光雷達（LiDAR）系統(tǒng)設(shè)計的新款80 V EPC2214獲得了美國汽車電子協(xié)會AEC Q101認證。
2019-04-23 14:02:512611 EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級EPC2216氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖 – 電流可高達28 A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時間及flash激光雷達系統(tǒng)更準確、更精確及更快速。
2020-01-16 09:48:002893 EPC2152是一個單晶驅(qū)動器并配以基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN? FET）、采用EPC專有的氮化鎵集成電路技術(shù)的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動器
2020-03-20 09:14:392553 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 器件成為研發(fā)的重點，相關(guān)的應(yīng)用開發(fā)活動也十分活躍。 EPC新近推出的EPC2218增強模式氮化鎵功率晶體管（eGaN FET）就是在這個大趨勢下應(yīng)運而生的一款性能優(yōu)異的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脈沖增強型GaN FET，該晶片的尺寸為3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:152397 氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。EPC Space 通過其新的 eGaN
2022-07-27 08:03:05515 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:54580 
是一種高度移動的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:242061 
EPC2106是增強型單片 GaN 晶體管半橋，將兩個 eGaN 功率 FET 集成到單個器件中，從而消除了 PCB 上所需的互連電感和間隙空間。
2022-08-29 09:15:42562 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 EPC EPC9194 三相 BLDC 電機驅(qū)動逆變器參考設(shè)計可提供高達 60Apk (40ARMS) 的輸出電流。 EPC 的 EPC9194 是一款 3 相 BLDC 電機驅(qū)動逆變器
2023-11-14 16:53:02646
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