射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:53
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功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對(duì)于電源設(shè)計(jì)人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會(huì)隨時(shí)間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機(jī)制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
在電源設(shè)備領(lǐng)域，尤其是PC電源設(shè)備領(lǐng)域，經(jīng)過廠商們多年來的宣傳，80PLUS認(rèn)證已經(jīng)成為大家選購電源的一個(gè)重要標(biāo)準(zhǔn)。 而在國內(nèi)市場，跟它剛興起時(shí)只有寥寥少數(shù)高端產(chǎn)品擁有認(rèn)證不同，如今擁有80PLUS
2020-10-06 17:43:003645 氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:002732 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:19779 對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:091274 
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求，在 50% 負(fù)載條件下，115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率，另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 16:11:44772 首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 
(PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有 配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
文章目錄80 PLUS認(rèn)證前言1、基本理論1-1、功耗的產(chǎn)生1-2、轉(zhuǎn)換效率1-3、有功功率、視在功率和功率因數(shù)1-4、PFC功率因數(shù)校正電路1-5、全球各國交流電電壓2、正片！80 PLUS詳解
2021-12-31 07:48:00
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
對(duì)比GaN FET：新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會(huì)消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅(qū)動(dòng)器分開封裝，因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù)，并且最終會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外，這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02
。每個(gè)階段都會(huì)對(duì)效率產(chǎn)生影響。這里，通過實(shí)現(xiàn)不同的電路拓?fù)浜洼^少的階段來提高電力系統(tǒng)的效率。圖2顯示了這個(gè)問題的解決方案。PFC級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級(jí)。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
采用了數(shù)字控制器 UCD3138A。效率高達(dá)95.8%，同時(shí)提供良好的熱性能。主要特色 高達(dá) 95.8% 的高效率LM5113+ GaN Mosfet保護(hù)功能 OCP、OVP適用于 HSFB 直流-直流的全面數(shù)字控制滿負(fù)載時(shí)具有良好的熱性能完全符合電信客戶的要求
2018-11-02 16:47:28
（GaN）技術(shù)實(shí)現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級(jí)尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2022-09-23 07:12:02
我最近訪問了德州儀器（TI）的先進(jìn)技術(shù)戰(zhàn)略和營銷，寬帶隙解決方案的Masoud Beheshti，以及應(yīng)用工程師Lixing Fu進(jìn)行了演示，該演示演示了TI聲稱是業(yè)界最小的納秒級(jí)GaN驅(qū)動(dòng)器
2019-11-11 15:48:09
GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)（驅(qū)動(dòng)器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
升壓從動(dòng)器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動(dòng)損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)㈤_關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級(jí)具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡化設(shè)計(jì)使用 TI
2018-10-25 11:49:58
較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。使用壽命預(yù)測指標(biāo)功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
了80PLUS的認(rèn)證規(guī)范，以提高電源的轉(zhuǎn)換效率，避免不必要的資源浪費(fèi)。該方案最早于2003年開始實(shí)施，2007年被正式納入到能源之星4.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中。到今天為止，80Plus已成為公認(rèn)的最嚴(yán)格的電源節(jié)能規(guī)范
2016-11-23 10:35:21
，原因是功率級(jí)的直通電流損耗。在右邊，效率逐漸下降?！ ?b class="flag-6" style="color: red">效率逐漸下降的原因有兩個(gè)：來自低壓側(cè) FET 主體二極管的傳導(dǎo)損耗和反向恢復(fù)損耗。在主體二極管導(dǎo)電期間，主體二極管電壓下降約 0.7伏。方程式 1
2018-11-28 11:01:36
今天的博文是一個(gè)動(dòng)手操作項(xiàng)目：你將用一個(gè)氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)、一個(gè)Hercules? 微控制器和一個(gè)滾輪來調(diào)節(jié)一盞燈的亮度。我將會(huì)談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設(shè)備充上電，我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
描述此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路
2018-10-17 15:38:45
于Antec的產(chǎn)品。CM6800，單面PCB，整體水平是介于海韻的S12和S12II之間的一個(gè)方案。交叉負(fù)載能力較強(qiáng)，號(hào)稱50度的溫度標(biāo)定。效率中上，距離80plus要差一些，雖然早有 80plus
2009-09-08 17:58:57
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
的影響。美國能源計(jì)劃署針對(duì)當(dāng)前資源利用率不高的情況，對(duì)PC電源做出了80PLUS的認(rèn)證規(guī)范，以提高電源的轉(zhuǎn)換效率，避免不必要的資源浪費(fèi)。 該方案最早于2003年開始實(shí)施，2007年被正式納入到能源之星4.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2016-05-05 09:49:43
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動(dòng)器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級(jí)設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級(jí)設(shè)計(jì)，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers
2009-12-12 11:59:37618 通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)
2010-02-04 09:20:10505 
從80PLUS誕生至今已經(jīng)有11年的歷史，如今已經(jīng)成為了衡量電源轉(zhuǎn)換效率的標(biāo)桿，在這11年的歷史中，那么究竟是哪些廠商率先拿到了認(rèn)證？又是在哪個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)？想必玩家們都很期待，下面給隨筆者的步伐，讓我們細(xì)數(shù)80PLUS認(rèn)證電源之最。
2016-02-16 16:28:332352 電源上的80PLUS認(rèn)證大家都很熟悉了，包括白牌和銅牌、銀牌、金牌、白金、鈦金等不同級(jí)別，越高級(jí)說明電源的轉(zhuǎn)換效率越高。
2020-11-26 10:04:362103 電源上的80PLUS認(rèn)證大家都很熟悉了，包括白牌和銅牌、銀牌、金牌、白金、鈦金等不同級(jí)別，越高級(jí)說明電源的轉(zhuǎn)換效率越高。
2020-11-26 10:16:07643 文章目錄80 PLUS認(rèn)證前言1、基本理論1-1、功耗的產(chǎn)生1-2、轉(zhuǎn)換效率1-3、有功功率、視在功率和功率因數(shù)1-4、PFC功率因數(shù)校正電路1-5、全球各國交流電電壓2、正片！80 PLUS詳解
2022-01-11 12:03:39
0 GaN晶體管擁有開關(guān)速度快、效率高等優(yōu)勢，本方案結(jié)合Transphorm公司的GaN FET和士蘭微電子的有源鉗位反激式（ACF）PWM控制器，實(shí)現(xiàn)了94.5%的峰值效率和30W/in3的無封裝功率密度，用于筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)和其他終端設(shè)備的電源供電。
2022-06-15 09:29:53933 
除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始?jí)別的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外，基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對(duì)伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛(wèi)星和運(yùn)載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:411059 
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:08570 
FET 消除了反向恢復(fù)損耗。使用 GaN FET 將開關(guān)電源的峰值效率提高到 99%。1-4盡管 GaN 成本仍然是行業(yè)廣泛采用的障礙，但 GaN FET 可實(shí)現(xiàn)的性能（包括效率和密度改進(jìn)）最終
2022-08-05 08:04:511049 
GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用。
2022-08-05 08:05:04573 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
2022-10-28 12:00:200 達(dá)到20%左右的效率。為了提高利用太陽能的整體系統(tǒng)效率，很多工程師在太陽能逆變器設(shè)計(jì)中改用GaN FET。
2023-02-08 09:18:24242 
在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:12419 
在半橋拓?fù)渲胁⒙?lián) Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
2023-02-17 20:08:302 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 GaN FET 半橋的電路設(shè)計(jì)和 PCB 布局建議-AN90006
2023-02-20 19:29:057 N 溝道 80 V、4.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-PSMN4R4-80PS
2023-02-27 19:20:541 D2PAK 中的 N 溝道 80 V、3 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 FET-PSMN2R8-80BS
2023-03-03 18:57:110 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y8R5-80E
2023-03-03 19:02:510 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y72-80E
2023-03-03 19:03:220 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y41-80E
2023-03-03 19:04:390 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y25-80E
2023-03-03 19:05:200 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y11-80E
2023-03-03 19:06:140 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9Y107-80E
2023-03-03 19:06:400 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK9611-80E
2023-03-03 19:08:130 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y9R9-80E
2023-03-03 19:09:060 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y98-80E
2023-03-03 19:09:250 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y7R8-80E
2023-03-03 19:09:500 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y72-80E
2023-03-03 19:10:210 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y41-80E
2023-03-03 19:11:450 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y25-80E
2023-03-03 19:12:330 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK7Y14-80E
2023-03-03 19:14:210 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK769R6-80E
2023-03-03 19:18:150 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK764R2-80E
2023-03-03 19:18:450 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK753R8-80E
2023-03-03 19:20:300 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK964R7-80E
2023-03-03 19:23:300 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK964R2-80E
2023-03-03 19:32:560 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) FET-BUK763R8-80E
2023-03-03 19:42:490 N 溝道 TrenchMOS 邏輯電平 FET-BUK954R4-80E
2023-03-06 22:26:080 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15385 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27411 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 （80PLUS或80+）認(rèn)證則是一種衡量電源能效的標(biāo)準(zhǔn)，它評(píng)估電源在不同負(fù)載情況下的效率水平。下面將詳細(xì)介紹為什么電源要做80 PLUS認(rèn)證以及具備80 PLUS認(rèn)證的電源的優(yōu)勢。 一、為什么電源要做80 PLUS認(rèn)證？ 1. 節(jié)能環(huán)保：能源是一個(gè)全球關(guān)注的議題，能源的高效利用與環(huán)境保
2024-01-22 13:48:37530
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