)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:28
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基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢(shì)。GaN-on-Si晶體管的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達(dá)到安培單位，通常如果沒(méi)有晶體管這個(gè)電路只能達(dá)到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成，并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運(yùn)行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機(jī)制可能有些復(fù)雜，但總的來(lái)說(shuō)，它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
50V以下。需要說(shuō)明的一點(diǎn)是，捕捉波形時(shí)使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動(dòng)器的封裝集成消除了共源電感，從而實(shí)現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過(guò)程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">GaN FET搭建高效的過(guò)熱和電流保護(hù)電路。
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來(lái)，這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過(guò)電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無(wú)用的。IGBT一般使用在大電流的場(chǎng)景。...
2021-10-29 08:28:40
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過(guò)控制門(mén)電壓，來(lái)調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導(dǎo)體工藝而開(kāi)發(fā)出來(lái)的晶體管
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！??！
2016-06-07 23:27:44
, 193) !important]⑤ 單脈沖？1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形確認(rèn)電流、電壓用示波器確認(rèn)晶體管上的電壓、電流。需要全部滿足規(guī)格書(shū)上記載的額定值，特別應(yīng)該確認(rèn)下列項(xiàng)目。特別應(yīng)該確認(rèn)的項(xiàng)目晶體管
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
計(jì)算機(jī)開(kāi)關(guān)機(jī)的，那么就會(huì)把計(jì)算機(jī)關(guān)閉。這就是機(jī)器語(yǔ)言的原理。實(shí)際用于計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備上的晶體管大多是MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），它也分為N型和P型，NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
我有臺(tái)晶體管測(cè)試儀：WQ4832，但是剛買(mǎi)的二手機(jī)，不會(huì)用，不知道有沒(méi)有高手能指導(dǎo)指導(dǎo)？
2011-10-21 08:57:17
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱(chēng)為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類(lèi)。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類(lèi)。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
是自來(lái)水的閥門(mén)，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門(mén)、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制
2019-07-23 00:07:18
是自來(lái)水的閥門(mén)，發(fā)射極是配管，集電極是水龍頭。用自來(lái)水的構(gòu)造來(lái)舉例說(shuō)明晶體管的作用。把晶體管的3個(gè)引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來(lái)水的閥門(mén)、水龍頭和配管。通過(guò)微小之力（即基極的輸入信號(hào)）來(lái)控制
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
【不懂就問(wèn)】圖中的晶體管驅(qū)動(dòng)電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說(shuō)D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時(shí)使得變壓器次級(jí)產(chǎn)生的的正脈沖通過(guò)D2，直接驅(qū)動(dòng)MOSFET管Q2，達(dá)到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測(cè)試晶體管外，還能測(cè)試二極管，測(cè)試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測(cè)試晶體管特性的專(zhuān)用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
2021-11-11 09:29:38
Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
差分放大器具有什么性能？CMOS差動(dòng)放大器晶體管不匹配的原因？差分放大器中的不匹配效應(yīng)應(yīng)該怎么消除？
2021-04-12 06:46:18
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開(kāi)關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開(kāi)關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點(diǎn)。【功率元器件的基本結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤(pán)和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
，裝在基于金屬的封裝中，并用陶瓷環(huán)氧樹(shù)脂蓋密封。GaN on SiC HEMT技術(shù)40W輸出功率AB類(lèi)操作預(yù)先匹配的內(nèi)部阻抗經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試負(fù)柵極電壓/偏置排序IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 09:57:55
）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：IGT2731L120產(chǎn)品名稱(chēng)： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對(duì)SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
其“打開(kāi)”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動(dòng)。當(dāng)Ve比Vc大得多時(shí)，PNP晶體管導(dǎo)通。換句話說(shuō)，雙極PNP晶體管僅在基極和集電極端子均針對(duì)發(fā)射極極化時(shí)才導(dǎo)通。十一、PNP 與 NPN 晶體管下表總結(jié)了PNP晶體管和NPN晶體管之間的主要區(qū)別：
2023-02-03 09:44:48
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
邏輯高電壓驅(qū)動(dòng)，則集電極電流會(huì)簡(jiǎn)單地停止流動(dòng)，從而使用單個(gè)晶體管執(zhí)行 NAND 邏輯處理。多發(fā)射極晶體管取代了 DTL 的二極管，并同意減少開(kāi)關(guān)時(shí)間和功耗。
雙柵極MOSFET
在多種射頻應(yīng)用中特別
2023-08-02 12:26:53
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于更常見(jiàn)的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質(zhì)差，包括多晶結(jié)構(gòu)、低熱導(dǎo)率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等?；诠璧慕饘?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負(fù)載?！ ∨c使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比，達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成為它們的替代品。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)晶體管縮放?！ ∑矫嬖O(shè)計(jì)不會(huì)超出 30 nm 的柵極長(zhǎng)度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”，但是適度的輸出電流和相對(duì)于其發(fā)射極（E）的基極（B）的負(fù)電壓將使其“打開(kāi)”，從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動(dòng)。我可以用NPN代替PNP嗎？如果您還記得一個(gè)簡(jiǎn)單
2023-02-03 09:45:56
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
，這反過(guò)來(lái)又使耗盡層盡可能小，從而通過(guò)我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式，其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率
2022-11-17 08:05:25
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱(chēng)為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來(lái)到，您將它們放入板中。您打開(kāi)電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒(méi)有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管使用的電流的最大值解說(shuō)DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過(guò)100mA電流。用IC=100mA定義。個(gè)別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過(guò)IC=100mA
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例，構(gòu)成數(shù)字晶體管的個(gè)別晶體管能流過(guò)100mA電流。用IC=100mA定義。個(gè)別晶體管連接電阻R1、R2，則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過(guò)IC=100mA時(shí)，基極電流IB需要相對(duì)
2019-04-22 05:39:52
一個(gè)級(jí)聯(lián)，功率器件是JFET，級(jí)聯(lián)中的下部晶體管是MOSFET。級(jí)聯(lián)碼的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)不可訪問(wèn)，與IGBT相同。因此，只能影響打開(kāi)，而不能影響關(guān)閉！可以快速關(guān)閉柵極處的MOSFET，但器件的關(guān)斷方式不會(huì)
2023-02-20 16:40:52
晶體管的代表形狀晶體管分類(lèi)圖：按照該分類(lèi)，掌握其種類(lèi)1. 按結(jié)構(gòu)分類(lèi)根據(jù)工作原理不同分類(lèi)，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此，開(kāi)始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
，開(kāi)辟了新的可能性。GaN晶體管可以實(shí)現(xiàn)高得多的dV/dt壓擺率，因此可以比硅MOSFET更快地切換，從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。GaN晶體管的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是沒(méi)有反向恢復(fù)電荷，傳統(tǒng)硅MOSFET設(shè)計(jì)的反向恢復(fù)
2017-08-21 14:36:14
：LGA （a） 和 BGA （b） 格式的 GaN 晶體管顯示了器件電流流的方向，從而最大限度地減少了共源電感 雖然最小化構(gòu)成環(huán)路的各個(gè)元件（即電容ESL、器件引線電感和PCB互連電感）的電感很重
2023-02-24 15:15:04
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類(lèi)型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對(duì)于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類(lèi)型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開(kāi)關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
如果說(shuō)起來(lái)，電子管也算得上是晶體管的“前輩”了。但是，如今電子管在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域中的地位已經(jīng)漸漸地被晶體管所取代，只有在少數(shù)對(duì)于音頻質(zhì)量有著極高要求的產(chǎn)品中，才會(huì)出現(xiàn)電子管的身影。那么晶體管
2016-01-26 16:52:08
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨?fù)值，從而在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管?！ D1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅(qū)動(dòng)方案（右）?！ ‘?dāng)并聯(lián)配置CoolGaN?晶體管時(shí)，可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
IGBT 是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為 IGBT，是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉，使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，取代FinFET晶體管技術(shù)?！ 〈送?，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)。
2020-07-07 11:36:10
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
控制電路。有了前面的這些基礎(chǔ)，下面再加入一個(gè)新的電路需求，用晶體管實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)電路。感興趣的同學(xué)可以先不要往下看，自己在腦海中想一想，看看有沒(méi)有火花迸出來(lái)。圖2一個(gè)PNP、NPN控制負(fù)載圖3《電子學(xué)
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-28 14:16:52582 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-30 14:30:213346 
GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 ) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類(lèi)型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:021649 
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