碳化硅二極管的檢測方法應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)

　　碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管，具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度等特性，可以用于電路中的放大、檢測、控制等功能。使用碳化硅二極管時，首先要確定電路的工作電壓，然后根據(jù)電路的工作電壓選擇合適的碳化硅二極管，并將其安裝在電路中，最后根據(jù)電路的要求進(jìn)行調(diào)試，以確保電路的正常工作。

　　碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)有： 1. 具有良好的耐腐蝕性，可以有效抵抗多種腐蝕性介質(zhì)的侵蝕。 2. 具有良好的耐磨性，可以有效抵抗多種磨損性介質(zhì)的侵蝕。 3. 具有良好的抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度，可以提高產(chǎn)品的使用安全性。 4. 具有良好的熱穩(wěn)定性，可以提高產(chǎn)品的使用壽命。

　　碳化硅二極管的缺點(diǎn)有： 1. 成本較高，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。 2. 加工工藝復(fù)雜，不利于大規(guī)模生產(chǎn)。 3. 具有較高的熱膨脹系數(shù)，不利于產(chǎn)品的精度控制。

　　碳化硅二極管的檢測方法主要有：

　　1、電性能測試：測量二極管的正向和反向電壓降，以及正向和反向電流；

　　2、結(jié)構(gòu)檢測：檢查二極管的外觀，檢查封裝是否完整，檢查焊接是否良好；

　　3、熱性能測試：測量二極管的熱阻，以及熱電偶的溫度；

　　4、電磁兼容性測試：測量二極管的電磁兼容性，以及電磁屏蔽性能；

　　5、絕緣性能測試：測量二極管的絕緣電阻，以及絕緣強(qiáng)度。

　　碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、電力設(shè)備、汽車電子設(shè)備、航空航天設(shè)備、軍事設(shè)備等領(lǐng)域。

　　審核編輯：郭婷

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1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度

2020-03-13 13:42:49

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC

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650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷

2020-09-24 16:22:14

二極管+PPTC的電池防反接電路，這種電路有何優(yōu)缺點(diǎn)？

二極管+PPTC的電池防反接電路，這種電路有何優(yōu)缺點(diǎn)？

2019-12-13 14:56:18

二極管常見問題15答。申請加精。絕對有用。

的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流小，可靠性不高等缺點(diǎn)。但是目前已有很大

2012-07-15 15:28:24

二極管的檢測方法與經(jīng)驗(yàn)

二極管的檢測方法與經(jīng)驗(yàn)1、檢測小功率晶體二極管A）判別正、負(fù)電極① 觀察外殼上的的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。② 觀察外殼上的色點(diǎn)。在

2020-09-18 17:02:29

二極管適合并聯(lián)么？

?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r候，流過電流的時候會產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書下載：

2021-03-22 17:25:26

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！　〉栊ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管也有兩個缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！　?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率

2019-01-11 13:42:03

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs

2019-10-24 14:21:23

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電

2023-04-11 15:29:18

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些？

　　由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管

2020-06-28 17:30:27

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)

2021-03-16 08:00:04

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無

2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>

2021-03-29 11:00:47

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？

2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

商用?！　?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應(yīng)用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景?！　?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有

2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。　　碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上

2023-02-28 16:34:16

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管

2016-11-04 15:50:11

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二極管新能源電動汽車解決方案

小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復(fù)電流? 溫度無關(guān)開關(guān)? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上

2021-11-06 09:26:20

Si與SiC肖特基二極管應(yīng)用對比優(yōu)勢

阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。　　源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力

2019-01-02 13:57:40

【轉(zhuǎn)】發(fā)光二極管的識別與檢測

圖：當(dāng)給這個PN加反向偏置電壓時，PN結(jié)截止，發(fā)光二極管不能發(fā)光，如下圖：在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光，氮化鎵二極管

2018-11-02 22:09:47

了解功率二極管，這15個知識點(diǎn)你必須知道

的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降

2017-05-22 14:07:53

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？

什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？

2021-06-18 08:32:43

介紹二極管的反向恢復(fù)時間和碳化硅二極管

是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不

2023-02-15 14:24:47

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅

2021-09-23 15:02:11

低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度解析

相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。

2020-07-30 07:14:58

低壓降肖特基二極管的檢測方法

低壓降二極管的檢測主要是判斷低壓降二極管的極性和檢測低壓降二極管的好壞。在檢測中普通低壓降二極管和發(fā)光低壓降二極管的檢測方法也有所不同。 1、發(fā)光低壓降二極管的檢測對發(fā)光低壓降二極管進(jìn)行檢測

2015-11-27 17:49:28

關(guān)于功率二極管的一些疑問大掃盲

最近比較熱門的碳化硅二極管是用碳化硅為原料的二極管。目前常見的多為高壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)點(diǎn)：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔?/div>

2014-04-26 13:42:10

關(guān)于功率二極管的一些問題，你知道嗎？

：反向恢復(fù)特性很好，媲美肖特基硅二極管。但是可以做高壓的二極管。在PFC中已有較多應(yīng)用。缺點(diǎn)：正向?qū)▔航当容^大。還有一點(diǎn)與硅二極管不同的是其導(dǎo)通壓降隨溫度上升反而增大。早期的碳化硅二極管，還有可承受沖擊電流

2016-11-14 20:04:40

創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管

2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣？

硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50

2023-02-20 16:29:54

發(fā)光二極管的工作原理是什么

來制成發(fā)光二極管，在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃光。它是半導(dǎo)體二極管的一種，可以把電能轉(zhuǎn)化成光能；常簡寫為LED。發(fā)光二極管

2012-07-12 15:40:31

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

采用雙脈沖測試方法對圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件和純硅 IGBT進(jìn)行對比測試，以評估續(xù)流二極管（硅快恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管）對主開關(guān)管損耗的影響，并同時檢測續(xù)流二極管的恢復(fù)行為?！　D

2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會導(dǎo)致開關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時，只需在柵極和源極之間增加一個二極管電壓鉗位即可解決這一難題?！　≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅

2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

得到更低柵極開關(guān)驅(qū)動損耗（圖1）.碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等

2016-08-05 14:32:43

基于低功耗SiC二極管的最高功率密度實(shí)現(xiàn)方案

2019-07-25 07:51:59

基本半導(dǎo)體力內(nèi)絕緣型碳化硅肖特基二極管

　　本期SiCer小課堂，將為大家介紹基本半導(dǎo)體內(nèi)絕緣型TO-220封裝碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品。該產(chǎn)品在內(nèi)部集成一個陶瓷片用于絕緣和導(dǎo)熱，可簡化生產(chǎn)步驟，提高生產(chǎn)質(zhì)量和整機(jī)的長期可靠性，有效

2023-02-28 17:06:57

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

　　導(dǎo) 讀　　追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管

2023-02-28 17:13:35

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

、反向恢復(fù)時間短的半導(dǎo)體二極管）主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過

2023-02-07 15:59:32

快恢復(fù)二極管的好壞如何檢測？

二極管的好壞。其實(shí)快恢復(fù)二極管的檢測方法與塑封硅整流二極管是相同的，即先用Rx1k擋檢測一下其單向?qū)щ娦?，一般正向電阻為幾千歐左右，反向電阻為無窮大；再用Rx1擋復(fù)測一次，一般正向電阻為幾歐，反向電阻仍

2021-06-25 17:46:42

求大佬分享關(guān)于二極管及三極管的檢測方法和經(jīng)驗(yàn)

二極管的檢測方法與經(jīng)驗(yàn)三極管的檢測方法與經(jīng)驗(yàn)

2021-04-09 06:54:46

淺析基于碳化硅MOSFET的諧振LLC和移相電路在新能源汽車的應(yīng)用

) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷

2016-08-25 14:39:53

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測短路，短路保護(hù)最短時間限制在1.5μs左右?！　?）高dv/dt及di/dt對系統(tǒng)影響　　在高壓大電流條件下進(jìn)行開關(guān)動作時，器件開關(guān)會產(chǎn)生高dv/dt及di/dt

2023-02-27 16:03:36

激光二極管穩(wěn)壓二極管檢測方法分享

　?。ㄒ唬┡卸ü苣_的排列順序　　將萬用表置于R×1K擋，按照檢測普通二極管正、反電阻的方法，即可將激光二極管的管腳排列順序確定。但檢測時要注意，由于激光二極管的正向壓降比普通二極管要大，所以當(dāng)檢測

2021-05-13 07:52:48

肖特基二極管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些？

突破性的進(jìn)展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。肖特基二極管缺點(diǎn)：肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電

2021-09-09 15:19:01

肖特基二極管的檢測方法

以下；SR350 就是表示3A50V。另肖特基二極管耐壓一般在100V以下，沒有150V以上的。肖特基二極管的檢測方法有哪些答：(1)二端型肖特基二極管的檢測1)用指針式萬用表檢測。將萬用表置于“R

2019-06-12 04:20:33

肖特基二極管的目前趨勢

，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電壓約為1V

2017-04-19 16:33:24

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管

2023-02-20 15:15:50

部分關(guān)于功率二極管相關(guān)知識

2020-09-18 17:00:12

CSD01060E分立碳化硅肖特基二極管

CSD01060E為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-27 20:10:54

C3D04060F分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060F為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-28 15:37:47

C3D04060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D04060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-28 15:55:46

C3D08060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D08060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-28 16:54:16

C3D10060A分立碳化硅肖特基二極管

C3D10060A為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-28 17:04:18

C3D16060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D16060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-29 10:28:06

C3D20060D分立碳化硅肖特基二極管

C3D20060D為600 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更堅固

2022-05-29 10:32:40

C6D06065G分立碳化硅肖特基二極管

C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:36:12

C3D06065E分立碳化硅肖特基二極管

C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢肖特基勢壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案

2022-05-29 19:45:27

C4D02120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:25:12

C4D02120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:29:57

C4D05120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:35:42

C4D05120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:40:17

C4D08120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:44:47

C4D08120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:48:49

E4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-02 18:54:09

C4D10120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 14:24:29

C4D10120E分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:14:54

C4D10120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:21:10

C4D10120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:25:26

C4D15120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:30:26

C4D15120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:37:08

C4D15120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:43:35

E4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:49:31

E4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 18:54:14

C4D20120H分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:01:56

C4D20120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:07:00

C4D20120A分立碳化硅肖特基二極管

C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:12:16

E4D20120G分立碳化硅肖特基二極管

E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:18:42

C4D30120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:34:40

C4D40120D分立碳化硅肖特基二極管

C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。Wolfspeed 的 1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管

2022-06-03 19:46:36

#電路知識 #二極管 #SiC碳化硅 1分鐘帶你了解碳化硅二極管的優(yōu)勢！

二極管電路

深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-09-28 17:01:37

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>

2020-11-17 15:55:05

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碳化硅二極管的應(yīng)用

高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。碳

2023-02-05 16:34:59

1314

碳化硅二極管是什么意思碳化硅二極管如何測量好壞

　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能

2023-02-10 17:45:17

1732

碳化硅二極管的使用方法和檢測方法

　　碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時，電子會從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。

2023-02-15 15:13:42

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碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

2023-02-15 15:21:40

629

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅

2023-02-21 10:04:11

1693

SiC碳化硅二極管、SiC碳化硅肖特基勢壘二極管常用規(guī)格介紹

SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片

2023-02-21 10:12:24

1680

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管

2023-02-21 10:16:47

2090

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件

2023-02-21 13:38:16

1795

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。

2023-06-02 14:10:32

747

碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢你知道嗎

今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管

2022-12-14 11:36:05

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碳化硅二極管的檢測方法 應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)

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碳化硅二極管的檢測方法應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)