mos管的
工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道，
mos管有三個
工作區(qū)域： 截止區(qū)域 線性（歐姆）區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時，
mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，
mos管
處于關(guān)斷狀態(tài)，因?yàn)?/div>
2022-12-19 23:35:59
34598 在說MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測量的這個波形。
2023-02-03 15:35:472321 
從多個維度分析了米勒效應(yīng)，針對Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們再和大家一起，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
2023-02-14 09:25:467164 文章主要是講一下關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識，例如：MOS管工作原理、MOS管封裝等知識。
2023-05-23 10:09:23742 
通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:364571 
P溝道MOS管和N溝道MOS管的互補(bǔ)性體現(xiàn)在哪里？？？？？？？？求大神幫助?。。。。。?！
2013-09-24 16:50:43
這個二極管導(dǎo)出，保護(hù)了MOS管的D極和S極。如果沒有這個二極管，就有可能擊穿這個MOS管了。由于MOS管工作頻率比較高，所以它的寄生二極管工作頻率也要高，就是說它的反向恢復(fù)時間很短（Trr)，所以也就
2016-12-20 17:01:13
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-31 13:59:26
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因?yàn)榫€性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計(jì)算呢？
2018-10-25 11:14:39
也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩：因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。A、減緩驅(qū)動強(qiáng)度 1、提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節(jié)講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個很核心的一環(huán)，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
電源時，此時如果使用傳統(tǒng)MOS管工作原理圖的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，實(shí)際加到柵極的最終電壓只有 4.3V。這時候我們選擇標(biāo)稱柵極電壓為4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)
2021-12-03 16:37:02
，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升，此時Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值，此時
2021-01-27 15:15:03
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
了VDS對ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)，在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
2018-11-20 14:06:31
點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)，在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間，由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)
2018-11-20 14:10:23
VGS<VTH，則無法形成導(dǎo)電溝道，不能即源極和漏極連接起來，此時即使加上漏極電壓，也不會有電流因此，導(dǎo)電溝道的形成，是MOS工作的基礎(chǔ)。（注：忽略亞閾區(qū)導(dǎo)電）。2. 柵極電壓越大，縱向電場就越
2012-07-04 17:27:52
電路、數(shù)字電路和混合電路。 MOS管由n型溝道MOS管和p型溝道MOS管組成，它們的工作原理是當(dāng)它們處于靜態(tài)工作狀態(tài)時，將它們注入微小電流，電流通過氧化層，形成電場，氧化層通過其「能帶結(jié)構(gòu)」來控制正向
2023-03-08 14:17:15
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3，雙電壓應(yīng)用中在一些控制電路中
2018-11-14 09:24:34
什么是MOS管？MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
在開關(guān)電源當(dāng)中，開關(guān)管的關(guān)斷和開通時間影響著開關(guān)電源的工作效率，而MOS管的一些參數(shù)起著決定性的作用，那么MOS管的選擇又存在哪些技巧呢? 由于MOS管對電路的輸出有很好的益處，其在電源中經(jīng)
2021-10-28 08:44:51
` 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為
2019-02-14 11:35:54
motor輸入一次高電平，MOS管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，我電路有什么問題沒有
2014-03-22 10:57:13
。因此，MOS管有時被稱為場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管工作原理MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣...
2021-11-11 09:13:30
如下：※ uGS開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示?！?uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在
2019-07-05 08:00:00
如下：※ uGS開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示。※ uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在
2019-07-05 07:30:00
：※ uGS開啟電壓UT:MOS管工作在截止區(qū)，漏源電流iDS基本為0,輸出電壓uDS≈UDD,MOS管處于“斷開”狀態(tài)，其等效電路如下圖所示?！?uGS>開啟電壓UT:MOS管工作在導(dǎo)通區(qū)，漏
2019-07-03 07:00:00
1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全
2020-10-10 11:21:32
哪個幫我分析下MOS管的工作原理，P管不是很懂，哪個幫我解說下謝謝
2016-05-20 10:15:00
自舉升壓電路是怎樣工作的？如果不給MOS管添加自舉電路會有什么后果？
2021-08-06 06:19:30
米勒平臺形成的基本原理米勒平臺形成的詳細(xì)過程
2021-03-18 06:52:14
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
時，兩個pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個過程需要時間。而mos三極管工作方式不同，沒有這個恢復(fù)時間
2018-03-25 20:55:04
1、如何理解MOS管工作在可變電阻區(qū) 工作在可變電阻區(qū)的條件：Vgs>Vgs(th)、VdsVgs(th)、Vds>Vgs-Vgs(th)，已經(jīng)進(jìn)入飽和區(qū)（恒流區(qū)），是否還能工作在
2020-08-31 14:18:23
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
全程圖解MOS管工作原理及注意事項(xiàng)
2019-07-27 09:37:13
最近的項(xiàng)目打算使用MOS管高端驅(qū)動IC芯片，目前選型是IR2117，由于平時硬件涉及不多，有個疑惑希望大家?guī)兔獯穑?b class="flag-6" style="color: red">MOS管驅(qū)動IC是不是只能工作在PWM模式下？如果被控MOS管長時間處于打開
2020-12-13 21:28:35
管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流
2018-10-25 14:40:18
組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大，所以最關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 過快的充電會
2020-06-26 13:11:45
。如果米勒平臺區(qū)的時間太長，會導(dǎo)致MOS管由于電壓和電流重疊區(qū)的時間較長，導(dǎo)致MOS管發(fā)熱嚴(yán)重，既會導(dǎo)致MOS管被熱擊穿，還會使整個系統(tǒng)的效率下降。原作者：零下12度半 大話硬件
2023-03-22 14:52:34
也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩： 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個電容足夠大，并且
2018-11-27 14:11:15
，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。同樣的問題也發(fā)生
2018-10-19 15:28:31
是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?！ ∠旅媸俏覍?b class="flag-6" style="color: red">MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路?！ OSFET管FET
2018-12-03 14:43:36
狀態(tài)) 所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管中的米勒平臺實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志 用用示波器測量GS
2018-12-19 13:55:15
、偏置電路因?yàn)椴煌愋偷?b class="flag-6" style="color: red">MOS管工作在放大區(qū)，要求柵極電壓極性不同，例如，結(jié)型場效應(yīng)管要求柵源與漏源電壓極性相反，而增加型MOS管則要求柵源與漏源電壓極性相同，至于耗盡型MOS管的柵偏壓極性，可以正偏
2018-10-30 16:02:32
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-1-31 09:44 編輯
有個快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？
2021-01-25 09:21:46
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
是晶體管的工作原理。三極管工作時，兩個pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個過程需要時間。而MOS三極管工作
2018-11-14 14:49:31
原理。三極管工作時，兩個pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個過程需要時間。而MOS管工作方式不同，沒有這個恢復(fù)時間，因此
2013-10-29 17:32:48
MOS管發(fā)熱情況有： 1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)
2013-10-30 17:32:39
超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗?！ ⊥瑫r，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底
2018-11-12 14:51:27
詳細(xì)講解MOS管工作原理
2020-05-11 09:14:26
詳細(xì)講解MOS管工作原理
2020-05-24 09:20:26
的靜態(tài)功耗。同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3. 雙電壓應(yīng)用在
2017-08-15 21:05:01
，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3. 雙電壓應(yīng)用在一些控制電路中
2017-12-05 09:32:00
最大電壓為20v，這樣應(yīng)該會使mos管工作在線性區(qū)而不是開關(guān)狀態(tài)了吧？請問我這么理解正確與否？如果我要用在MOS管工作電壓大于20v的電路，這個問題應(yīng)該怎么解決呢
2014-11-25 21:25:51
MOS管與IGBT是不是都有這個GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
請問三極管和MOS管工作狀態(tài)是怎樣的？
2021-10-26 07:27:01
如圖是ATK-USB-UART_V1.2_SCH此文件里的圖，其是USB轉(zhuǎn)TLL串口模塊圖的一部分，想咨詢下這個圖中三極管工作在哪個區(qū)？是放大還是飽和？當(dāng)CH340_TXD分別為5V或0V時，管子如何工作呢？Vb，Vc，Ve的對地電壓各是多少？
2019-07-10 04:37:45
ncp81074a這個mos管的驅(qū)動看不太懂，為啥珊級要加兩個電阻，OUTL和OUTH不是是驅(qū)動兩個mos管嗎？只用一個電阻不行嗎？
2020-08-10 10:34:51
的VDS（ON）在短路時達(dá)到14.8V，MOS管功耗會很大，從而導(dǎo)致MOS管因過功耗而失效。如果MOS管沒有工作在飽和區(qū)，則其導(dǎo)通壓降應(yīng)該只有幾伏，如圖2（a）中的VDS所示?！ 。?）關(guān)斷階段 如圖2
2018-12-26 14:37:48
mos場效應(yīng)管工作原理
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載
2009-04-25 15:46:344851 
MOS管工作原理及其驅(qū)動電路，很好的資料學(xué)習(xí)?？靵硐螺d學(xué)習(xí)吧
2016-01-13 14:47:14
0 詳細(xì)講解MOS管工作原理，很好的資料學(xué)習(xí)?？靵硐螺d學(xué)習(xí)吧
2016-01-13 14:47:540 MOS管工作原理.docx
2017-01-22 19:43:5122 MOS管工作原理
2017-05-10 16:55:3240 本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹了mos管的作用。
2018-04-03 14:30:30105443 
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1180321 詳細(xì)講解MOS管工作原理 在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是
2018-12-28 14:28:013109 
MOS管的工作原理（以N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。
2020-08-02 09:47:498991 MOS管的等效模型 我們通?？吹降?b class="flag-6" style="color: red">MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3727499 
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:142286 當(dāng) VGS < VTH時，mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，mos管處于關(guān)斷狀態(tài)，因?yàn)樵诼O和源極之間沒有感應(yīng)溝道。
2022-11-16 09:21:055609 MOS管是 金氧半場效晶體管 它的原理是怎么樣的？ 他又有哪些特性？ 視頻詳解來了 MOS管比三極管好在哪里？ ? MOS管的工作原理 ? MOS管驅(qū)動設(shè)計(jì) ? MOS管的米勒平臺 ? 更多MOS
2022-12-14 11:34:52744 主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識。
2023-01-29 09:27:233653 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對方法。
2023-02-10 14:05:506736 
MOS管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。
2023-02-22 16:02:331591 
關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個人認(rèn)為今天聊的這個話題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:194149 文章主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識。
2023-05-18 10:38:541791 
MOS管基礎(chǔ)知識：輕松理解MOS管工作原理。MOS管是一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的半導(dǎo)體三端器件，很多特性和應(yīng)用方向都與三極管類似。這種器件不僅體積小、質(zhì)量輕、耗電省、壽命長、而且還具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用廣泛，特別是在大規(guī)模的集成電路中。
2023-06-13 09:46:11674 的電流。與其他晶體管類似，MOS管有三個工作狀態(tài)，即截止區(qū)、飽和區(qū)和線性區(qū)。下面將詳細(xì)介紹MOS管的這三個工作狀態(tài)。 一、截止區(qū)： 當(dāng)MOS管的柵極電壓小于閾值電壓時，MOS管處于截止?fàn)顟B(tài)。此時，MOS管中的p型襯底和n型漏極之間是沒有任何電流流動的。因此，在這種狀態(tài)下，MOS管可以被視為一種電阻無窮大的開路電路
2023-08-25 15:11:319944 mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種基于場效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 MOS管的工作原理是通過操控柵極
2023-09-02 11:31:184854 MOS管工作在不同的區(qū)域時的應(yīng)用場景是什么？? MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種電子元器件，也是一種常見的放大器
2023-09-18 18:20:461430 MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對措施
2023-11-27 17:52:431378 
電流通過器件，從而實(shí)現(xiàn)放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)功能。耗盡型MOS管在實(shí)際中應(yīng)用廣泛，了解它的工作原理對于電子工程師和科學(xué)家來說是非常重要的。 耗盡型MOS管的工作原理可以總結(jié)為以下五個階段：禁閉、負(fù)阻、開啟、飽和和截止。 第一階段是禁閉狀態(tài)
2023-12-19 09:44:59766 MOS管工作狀態(tài)如何判斷？ 歐若奇科技 專業(yè)電路設(shè)計(jì)，PCB復(fù)制，原理圖反推，電子產(chǎn)品優(yōu)化設(shè)計(jì)等 如何判斷mos管工作狀態(tài) MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分
2024-01-09 09:14:48251 
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